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掌握拓撲選擇:優化電池供電設備設計

作者:Prasad Paruchuri,安森美技術營銷部 時間:2025-04-20 來源:EEPW 收藏


本文引用地址:http://www.j9360.com/article/202504/469581.htm

隨著技術的不斷進步,我們如今能夠研發出比以往更緊湊、功率更大、使用壽命更長且充電速度更快的電池。

在道路上,由電池驅動的車輛數量日益增多。在家庭中,從手持電動工具到割草機,各類設備都已實現無線化。在建筑領域,錘鉆、沖擊扳手、圓鋸、射釘槍等設備也都依靠電池供電。在倉庫里,叉車、托盤搬運車、自動引導車輛(AGV)等物料搬運設備,都因電池性能的提升而獲益匪淺。

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隨著變得越來越普及,快速充電對于提升此類設備的便利性至關重要。本文討論了設計高效電池充電系統時必須考慮的標準,介紹了較為常用的拓撲,并闡述了(onsemi)的功率半導體如何助力實現高性能方案。

1   電池充電系統

電池充電系統適用于多種類型的化學電池,包括鉛酸電池、鎳氫電池和鋰離子電池。目前,大多數采用12V至120V的鋰離子或磷酸鋰電池。電池充電器必須根據應用的要求和工作環境進行設計。對于手持式電動工具而言,電池充電器必須緊湊輕便,并且能夠在無需強制散熱的情況下運行。此類小型高效充電器需要高能量密度,這要求充電器必須具備低功率損耗和更小的散熱器,而快速充電則需要高頻充電器。

在工業應用中,充電器必須堅固耐用,能夠承受惡劣的室內外環境,并且可能需要由120-277V交流電源,甚至480V交流電源來供電。

因此,設計人員必須為其最終應用謹慎選擇最佳拓撲,并優化器件選擇,以滿足性價比要求。

2   電池充電拓撲

圖1顯示了典型電池充電系統的框圖。在前端,來自市電的輸入電壓經濾波后,通過功率因數校正(PFC)電路轉換為直流電壓。該系統的第二級由DC-DC轉換和恒壓/ 恒流控制功能組成,用以提供所需的充電輸出。

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圖1 典型電池充電系統框圖

許多設計利用微控制器對充電器進行編程,以提供不同的電池電壓和電流能力。

3   為應用選擇最佳拓撲

接下來,我們將分析幾種電路拓撲,并討論它們在不同電池供電應用中的適用性。

3.1 PFC拓撲

連續導通模式升壓拓撲(圖2)是最簡單且成本最低的PFC拓撲,它由輸入EMI濾波器、橋式整流器、升壓電感器、升壓FET 和升壓二極管組成。

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圖2 連續導通模式升壓拓撲

使用固定頻率平均模式控制器,例如的NCP1654和NCP1655 CCM PFC控制器,可以實現更高的PFC和更低的總諧波失真(THD)水平。這些器件極大地簡化了PFC的實現,有效減少了外部元件的數量,同時集成了輸入功率失控箝位電路等多種安全特性。

對于更高功率的應用,的FAN9672和FAN 9673 PFC控制器是不錯的選擇。碳化硅(SiC)在充電應用中具有顯著優勢,包括低開關損耗和高工作頻率。因此,在PFC設計中建議使用SiC升壓二極管。在2kW至6.6kW的高功率應用中,輸入橋的損耗明顯更高,通過用Si MOSFET 或SiC MOSFET等有源開關代替二極管,可以降低這些損耗。

其他常見的拓撲包括半無橋PFC 和圖騰柱PFC(TPFC),它們消除了橋式整流器,并且損耗更低。TPFC(圖3)由EMI濾波器、升壓電感器、高頻半橋、低頻半橋、雙通道柵極驅動器和固定頻率TPFC控制器組成。

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圖3 圖騰柱PFC拓撲

TPFC電路的高頻橋臂要求功率開關中集成具有低反向恢復時間的二極管,SiC和GaN功率開關均適合此級。安森美建議,對于600W至1.2kW的功率水平,使用集成柵極驅動器的GaN,而對于1.5kW至6.6kW的應用,則使用SiC FET。集成SiC二極管的IGBT可用于20-40KHz的較高頻率應用。電路的低頻橋臂可以使用低RDS(on)超級結MOSFET或低VCE(SAT)IGBT。對于更高功率(4.0 kW 至6.6 kW)的應用,設計人員應考慮采用交錯式TPFC拓撲。

安森美650V EliteSiC MOSFET為TPFC設計的高頻橋臂提供了一系列選擇。對于3.0kW應用,可以考慮使用NTH4L032N65M3S。對于高達6.6kW的應用,NTH4L015N65M2和NTH4L023N065M3S是不錯的選擇。對于TPFC電路的低頻橋臂,NTHL017N60S5器件是一個合適的選擇。

3.2 隔離式DC-DC轉換器

對于隔離式DC-DC轉換,根據應用的功率水平,可以采用多種不同的拓撲。

帶有次級側同步橋式整流器的半橋LLC 拓撲(圖4)非常適合600 W 至3.0 kW 的充電器應用。根據功率水平的不同,可以使用GAN功率開關(NCP58921,600W至1.0kW)或SiC MOSFET(2kW和3.0kW)。對于更高功率水平(4.0 kW 至6.6 kW)的應用,設計人員應考慮采用全橋LLC(圖5)或交錯式LLC拓撲。

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圖4 集成Lr的半橋LLC

設計人員可以選擇將NTBL032N65M3S或NTBL023N065M3S EliteSiC MOSFET用于初級側半橋,而對于次級側同步整流器,可以選用80-50 V PowerTrench? MOSFET(例如NTBL0D8N08X 和NTBL4D0N15MC)。

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圖5 帶有次級電壓倍增電路的全橋LLC拓撲

乘坐式割草機、叉車和電動自行車等應用可能需要功率水平介于6.6 kW至11.0 kW之間的雙有源橋(DAB)充電解決方案。雙有源橋拓撲(圖6)適用于6.0kW至30.0kW的應用,并且可以將多個6.0kW充電器并聯使用來支持12.0kW至30kW的應用。

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圖6 雙有源橋技術

根據應用的具體要求,設計人員可以采用不同形式的雙有源橋拓撲。對于采用120-347V單相交流輸入電壓的工業充電器,可以使用單級雙有源橋拓撲(圖7),而對于功率水平在4.0kW至11.0kW的應用,則需要采用三相雙有源橋,其初級拓撲中使用雙向交流開關,次級拓撲中使用全橋。

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圖7 單級雙有源橋轉換器

安森美的產品組合中包括適用于雙向開關應用的650-750 V Elite SiC MOSFET和iGaN HEMT器件。NTBL032N65M3S 和NTBL023N65M3S EliteSiCMOSFET建議用于初級雙向開關,iGaN技術同樣也適用。

4   優化拓撲和器件選擇

電動工具和設備的便捷性取決于電池能否實現快速高效充電。電池充電解決方案的設計人員必須考慮所需的功率水平和工作電壓,精心選擇最佳的拓撲。此外,設計人員為設計選擇的器件必須能夠滿足應用的性能要求。

安森美的產品組合涵蓋廣泛的低壓、中壓和高壓功率分立器件,其中包括二極管、MOSFET、IGBT 等硅基器件。基于SiC 的開關器件正日益受到青睞,因為它們具有更快的開關速度和出色的低損耗運行特性,從而能夠在不犧牲性能的情況下提高功率密度。 借助安森美的芯片和封裝技術,安森美的功率器件具有出色的質量和穩健性,能夠幫助您超越設計目標。

(本文來源于《EEPW》



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