全球NAND閃存價格已連續四個月下跌，為應對這一不利局面，廠商開始減產以平衡供求，進而穩定價格。美光率先宣布將減產，隨后三星也被曝出將調整其韓國本土的NAND產量以及中國西安工廠的開工率，韓國另一大存儲芯片制造商SK海力士也計劃削減產量。后續預計還會有其他大廠跟進，消息人士透露鎧俠預計也會減產。

· 美國存儲芯片大廠美光發布的最新財報顯示，其2025財年第一季度（截至2024年11月）總營收87.1億美元，同比上升84.3%，符合市場預期。但從細分業務來看，美光的DRAM和NAND業務在環比層面卻有明顯分化，其中DRAM業務環比增長20%，而NAND業務卻下滑了5%，主要原因是受到了手機、汽車及工業等市場需求持續走低的影響。

預計2025財年第二季度NAND出貨量仍將環比下降，并且影響下一季度業績，美光高管確認在閃存市場需求放緩的背景下將其NAND晶圓啟動率較此前水平下調10%并減慢制程節點轉移。美光執行副總裁首席財務官Mark Murphy表示：“在NAND業務方面，我們正在采取迅速而果斷的行動來降低資本支出并削減晶圓產量。”

· 三星決定在西安的NAND閃存工廠削減產量，平均月產量將從20萬片晶圓降至17萬片，減產幅度超過10%。這一舉措被視為三星維護盈利能力和促進市場價格穩定的戰略部署。與此同時，三星在韓國華城的12號和17號生產線也將進行產量調整，以進一步縮減整體產能規模。

回顧2023年初，三星在面對嚴峻市場環境時，已經采取過減產措施。西安第一工廠的12英寸晶圓月產量從2022年第四季度的12.5萬塊削減至次年第一季度的11萬塊，減幅約12%；西安第二工廠的產量也從每月14.5萬塊調整至13.5萬塊，減幅約7%。三星此次再次減產，展現了其在全球NAND閃存市場波動中的審慎態度和策略調整。

· SK海力士是全球第二大NAND閃存廠商，銷售額僅次于三星，目前的NAND閃存產能為每月30萬片晶圓，計劃在今年上半年削減10%（30000片晶圓）的產量。

· 鎧俠原定于2024年10月在東京證券交易所上市，但此次IPO再次被推遲。盡管該公司在過去兩個季度開始盈利，但NAND市場仍然不穩定。由于擔心庫存上升，以及為應對生成性AI浪潮而于2025年大規模生產第八代NAND設備，鎧俠計劃在第四季度（市場需求的過渡期）減少產量，以避免產能過剩問題。

在此前的上升周期時，NAND廠商為了滿足市場需求增長，不斷擴大產能，但此次的上升周期過于短暫，導致產能過剩問題凸顯。三星、SK海力士等主要廠商的部分NAND產能處于閑置或低利用率狀態。

據TrendForce半導體研究中心（DRAMeXchange）發布的數據顯示，通用NAND固定價格自2023年10月起連續五個月上漲后，在2024年3月增速減緩，維持平穩狀態，而后從9月開始轉為下跌趨勢；2024年9月至11月，NAND價格環比分別下降11.44%、29.18%和29.8%，顯示面向存儲卡和USB設備的通用型NAND閃存（128Gb 16Gx8 MLC）的固定價格在去年8月時為4.9美元，但此后逐月下跌至2.08美元 —— 跌幅已經超過50%，是繼2015年8月統計以來的最低價格。

NAND市場仍處于下行周期

2025年第一季度NAND市場將面臨嚴峻挑戰，供貨商庫存持續上升，訂單需求下降，平均合約價預計環比將再下降10%-15%。獲利能力進一步減弱，因此今年或許會有部分產品線從NAND轉向DRAM，消費端NAND價格一直到2025年下半年才可能反彈回升。

NAND制造商面臨的最緊迫問題是庫存控制。由于該行業預期制造商將降價，庫存成本上升可能會破壞定價策略并產生過剩供應壓力。系統運營商和主要云服務商（CSP）預計價格會下降，導致對短期訂單持謹慎態度，這可能會形成惡性循環，這對NAND制造商來說是不利的。

面對NAND市場持續走低的態勢，不僅美光，三星、SK海力士、鎧俠等頭部廠商也都采取了減產措施，以阻止NAND價格的下跌趨勢，NAND市場的“寒冬”仍在無限期拉長。但如果這些減產措施激發整個行業采取類似行動，NAND價格可能會回升。此前實施的減產措施，帶動了整個供應鏈主動下單、價格上漲，使得上游企業認為限制產能可以平衡市場供需，從而鼓勵下游客戶提前備貨。

中國臺灣工商時報在報道指出，目前全球主要內存制造商的庫存周轉期已恢復到10-12周的正常范圍。業界預計，如果削減產能無法增加出貨量，可能會實施更嚴厲的措施來減少整體供應量。

企業大規模減產其實難度很大：一方面，生產線的關停與重啟并非易事，涉及到高昂的成本、復雜的設備維護以及技術人員的調配。一旦減產過度，后續若市場回暖，產能恢復的時間差可能導致錯失商機；另一方面，減產決策的協同性較差，各廠商出于自身利益考量，難以達成完全一致的減產步調，有可能導致市場上的供應波動頻繁，價格體系混亂。

根據報道稱，三星正在考慮將其P4 NAND生產線的一部分產能轉換為DRAM。三星設備解決方案（DS）副總裁KimJae-joon表示，公司正下調通用DRAM與NAND存儲產品的產量，以符合逐漸下滑的市場需求；SK海力士也有消息稱，可能將清州M14、M15X和M16工廠的部分NAND產能轉用于生產HBM；鎧俠方面消息顯示，由于擔心未來庫存上升，選擇減少第四季度NAND產量，但同時為應對生成性AI浪潮需求，鎧俠將于2025年大規模生產第八代NAND設備，并準備投產最先進存儲產品。

PC、移動及消費產業出貨量維持低迷，相比之下，隨著人工智能（AI）相關半導體對高帶寬存儲（HBM）需求的推動，面向AI數據中心的企業級固態硬盤價格相對穩定。這在一定程度上能夠緩解今年第一季度市場所面臨的供應過剩壓力，AI驅動的大容量SSD需求成為了市場復蘇的關鍵。目前，NAND閃存市場的競爭正在慢慢升溫，加緊提升NAND產品的性能和容量。

NAND閃存市場新競爭

其實，自NAND閃存進入3D時代以來，芯片層數一直是各大NAND閃存芯片廠商競爭的焦點，堆棧層數越來越高。今年以來，隨著存儲原廠NAND制程相繼迭代，200層以上NAND的供應增加，高密度NAND在市場應用中逐步取得進展：

· 三星236層V8 TLC NAND產能放量增長，同時290層V9 TLC/QLC NAND開始量產；

· SK海力士擴大238層NAND在企業級SSD的應用，并推出321層NAND Flash；

· 鎧俠及西部數據推動218層BiSC8 NAND加速在OEM廠商的導入，采用BiSC8和CMOS鍵合技術生產的2Tb QLC NAND已開始送樣；

· 美光量產276層G9 TLC NAND，并已在面向客戶端OEM的SSD中采用。

三星宣布其半導體研究所成功完成突破性的400層NAND技術開發，且于11月將這項技術轉移到平澤P1廠的量產線上，預計將于明年下半年開始量產。另外，三星計劃采用新型鍵合技術，在不同的晶圓上分別創建單元和外圍設備，然后進行鍵合；這種方法將實現具有大存儲容量和出色散熱性能的“超高”NAND堆棧，非常適合用于AI數據中心的超高容量SSD。這款芯片被稱為「Bonding Vertical NAND Flash，簡稱BV NAND」，其單位面積的位密度將提高1.6倍，三星的目標是到2030年開發超過1000層的NAND芯片。

需要注意的是，1000層NAND可沒有那么好做。從理論上講，堆疊1000層以上的NAND是可行的，但需要解決堆棧過程中的沉積和蝕刻問題。具體來看，在2D NAND的發展進程中，光刻技術是推動其發展的關鍵工藝，3D NAND則完全不同，存儲單元以垂直堆疊的方式實現容量的增長。

除此之外，3D NAND工藝流程中最困難的部分當屬高縱深比要求的蝕刻工藝。在3D NAND結構中，必須通過蝕刻工藝從器件的頂層到底層蝕刻出微小的圓形孔道，將存儲單元能夠垂直聯通起來。這也意味著倘若未來堆疊的層數超過1000層，芯片廠商或將需要面臨越來越復雜、昂貴的工藝。存儲產業需要找到新的解決方法不斷滿足人們日益增長的存儲需求，當然，這也可能是一種全新的存儲介質，各大原廠同樣深知這一點，目前也在積極投入研發當中，例如：FeRAM、MRAM、PCM、RRAM等。然而，哪種器件能夠突出重圍，成為下一代非易失性存儲器件，還需時間給出答案。

隨著AI時代的到來和對存儲需求的不斷增長，SSD在數據傳輸速度、耐用性和存儲容量方面都面臨著巨大的挑戰。然而，QLC SSD以其高存儲密度和優化服務器空間的能力，以及降低能耗和總體擁有成本的優勢，有望在市場中占據一席之地。行業專家預測，隨著視頻和圖像數據量的持續增長，TLC/QLC SSD將成為AI推理應用的主要選擇。

市場研究公司Omdia最新報告顯示，今年QLC NAND的市場規模預計將比去年增長85%，其在整個NAND閃存市場的份額將從去年的12.9%增長到今年的20.7%，增長近8個百分點。到2027年，QLC NAND將占整個NAND市場的46.4%，在短短三年內份額有望增長超過一倍，接近目前以51%的份額占據市場主導地位的TLC產品。

QLC技術允許每個單元存儲4個比特（bit），而TLC為3個比特，MLC和SLC分別為2個和1個比特。這意味著與其他NAND類型相比，QLC NAND可大幅提高存儲容量。因此，QLC NAND的特性非常符合大型科技公司的需求，與傳統機械硬盤（HDD）相比，QLC NAND有著讀取速度更快、單位面積存儲密度更高以及功耗更低的優勢。盡管長期以來QLC NAND有著壽命較短、寫入速度較慢的劣勢，但數據中心逐漸轉向讀取密集型工作負載之后，這些缺點已被抵消。

NAND制造商也在迅速應對QLC NAND需求的激增。業界樂觀地認為，“NAND的春天”可能會比預期來得更猛烈。與去年基于人工智能需求的HBM增長一樣，NAND市場也可能經歷類似的長期市場形態。

目前，SSD、HDD之間的價格差距也在迅速縮小，單位容量價格差距從2015年的20倍減少至當前的約10倍。業界預計，SK海力士旗下的NAND子公司Solidigm預計將大大受益，截至2023年年底，Solidigm總產量的60%是QLC NAND，雖然美光的市場份額達40.1%，高于Solidigm的21.1%，但美光的產品主要集中在消費領域。用于AI服務器的高附加值QLC NAND供應很可能由Solidigm和三星主導，三星計劃在今年下半年量產第九代280層QLC NAND，而SK海力士通過Solidigm推出了容量達60TB的QLC固態硬盤產品，并在2025年準備300TB產品，以最大程度滿足AI導向的需求。

NAND技術的發展進度并沒有減緩，各大廠商投入大量資金進行研發和設備升級，以提高存儲密度、性能和降低成本。然而，市場低迷使得產品價格下降，廠商的利潤空間受到壓縮，進一步加大了成本壓力，再加上NAND市場競爭激烈，三星、鎧俠、西部數據等廠商為了爭奪市場份額，紛紛采取降價等策略，導致產品價格下降，市場整體利潤水平降低。就目前的種種跡象來看，NAND存儲芯片市場并未真正“復蘇”，行業仍然需要大量時間“去庫存”，而迎來真正復蘇或許還需要更多的時間。