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東芝第3代SiC肖特基勢壘二極管產品線增添1200 V新成員,其將助力工業電源設備實現高效率

作者: 時間:2024-09-25 來源:EEPW 收藏

電子元件及存儲裝置株式會社(“”)近日宣布,最新推出第3代碳化硅((SBD)產品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產品,為其面向太陽能逆變器、電動汽車充電站和開關電源等工業設備降低功耗。現已開始提供該系列的十款新產品,其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產品和采用TO-247封裝的五款產品。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/202409/463214.htm

最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產品,其采用東芝第3代650 V SBD的改進型結勢壘肖特基(JBS)結構[1]。在結勢壘中使用新型金屬,有助于這些新產品實現業界領先的[2]1.27 V(典型值)低正向電壓、低總電容電荷和低反向電流。這可顯著降低較大電源應用中的設備功耗。

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東芝將繼續壯大其電源器件的產品線,并將一如既往地專注于提高可降低設備功耗的效率。

■   應用:

-   光伏逆變器

-    電動汽車充電站

-    工業設備UPS的開關電源

■   特性:

-   第3代1200 V SiC SBD

-   業界領先的[2]低正向電壓:VF=1.27 V(典型值)(IF=IF(DC))

-   低總電容電荷:TRS20H120H的QC=109 nC(典型值)(VR=800 V,f=1 MHz)

-   低反向電流:TRS20H120H的IR=2.0 μA(典型值)(VR=1200 V)

■   主要規格:

(除非另有說明,Ta=25 °C)

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注:

[1] 改進型結勢壘肖特基(JBS)結構:該結構將混合式PiN肖特基(MPS)結構(可在大電流下降低正向電壓)整合在JBS結構(不僅可降低肖特基接口的電場,而且還可減少電流泄漏)中。

[2] 在1200 V SiC SBD中。截至2024年9月的東芝調查。



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