東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）產品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產品，為其面向太陽能逆變器、電動汽車充電站和開關電源等工業設備降低功耗。東芝現已開始提供該系列的十款新產品，其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產品和采用TO-247封裝的五款產品。最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產品，其采用東芝第3代650 V SiC SBD的改進型結勢壘肖特基（JBS）結構[1]。在結勢壘中使用新型金屬，有
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東芝 SiC 肖特基勢壘二極管 工業電源
Diodes 公司?(Diodes)近日宣布推出首款碳化硅?(SiC) 蕭特基勢壘二極管?(SBD)。產品組合包含?DIODES DSCxxA065系列，共有十一項?650V 額定電壓?(4A、6A、8A 和?10A) 的產品，以及?DIODES DSCxx120系列，共有八款?1200V 額定電壓?(2A、5A 和?10A) 產品。這些寬帶隙?SBD 的優點包括可大幅提高效率和高溫可靠
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Diodes 碳化硅 肖特基勢壘二極管 SBD
東芝公司(TOKYO：6502)旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出第二代650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)，該二極管將該公司現有產品所提供的正向浪涌電流(IFSM)提高了約70%。新系列八款碳化硅肖特基勢壘二極管出貨即日啟動。 這些新的碳化硅肖特基勢壘二極管采用東芝的第二代碳化硅工藝制造，與第一代產品相比，正向浪涌電流提高了約70%，同時開關損耗指標“RON?*?Qc”?[1]降低了大約30%，這使它們適合應用于高效功率因數校正(PFC)方案中
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東芝 肖特基勢壘二極管
肖特基勢壘二極管介紹
肖特基二極管SBD（Schottky Barrier Diode），又稱為金屬-半導體二極管,是近年來間世的低功耗、大電流、超高速半導體器件。SBD用某些金屬和半導體相接觸，在它們的交界面處便會形成一個勢壘區（通常稱為“表面勢壘”或“肖特基勢壘”），產生整流，檢波作用。其金屬層除鎢材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵，多為N型半導體。
這種器件是由多數載流子導電的 [
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