據韓媒報道，當地時間6月12日，三星電子在美國硅谷舉辦“三星晶圓代工論壇2024（Samsung Foundry Forum,SFF）”，并公布了其晶圓代工技術戰略。

活動中，三星公布了兩個新工藝節點，包括SF2Z和SF4U。其中，SF2Z是2nm工藝，采用背面電源輸送網絡（BSPDN）技術，通過將電源軌置于晶圓背面，以消除與電源線和信號線有關的互聯瓶頸，計劃在2027年大規模生產。與第一代2nm技術相比，SF2Z不僅提高了PPA，還顯著降低了電壓降（IR drop），從而提高了高性能計算（HPC）的性能。SF4U則是4nm工藝變體，通過結合光學縮放技術改進功率、性能和面積（PPA），該工藝計劃于2025年量產。

目前，三星對SF1.4（1.4nm）的準備工作進展順利，正在按計劃達成性能和量產目標，預計該工藝將于2027年量產。

在技術路線上，三星重點介紹了全環繞柵極（GAA）工藝技術的進展。三星的GAA工藝已進入量產的第三年，基于GAA技術演進，三星計劃在今年下半年量產第二代3nm工藝（SF3），并計劃在即將推出的2nm工藝上采用GAA。

三星電子晶圓代工事業部總裁崔思英在演講中表示：“在所有技術都在圍繞AI發生革命性變革的時代，最重要的是能夠實現AI的高性能、低功耗半導體，”三星電子將通過針對AI半導體優化的GAA（Gate-All-Around）工藝技術和光學器件技術，提供客戶在AI時代所需的一站式AI解決方案，以實現低功耗的高速數據處理。到2027年，該公司計劃將光學元件集成到其AI解決方案中。