IP開發商和代工廠之間的設計協作對于最大限度地提高電路性能和功耗至關重要。2月21日，Arm 和三星宣布，他們將共同優化 Arm 下一代高性能 Cortex-X 和 Cortex-A 內核的設計，以用于三星即將推出的工藝技術，這些技術依賴于全環繞柵極 （GAA） 多橋通道 FET （MBCFET） 晶體管。

此次合作的重點是針對三星下一代 2nm 級工藝技術優化 Arm 的 Cortex-A 和 Cortex-X 通用 CPU 內核，盡管兩家公司沒有透露他們是否打算為三星預計于 2025 年推出的 SF2 生產節點或預計將于 2026 年推出的 SF2P 制造工藝定制 Arm 的 IP。

（圖片來源：三星）

Arm 和三星表示，他們將為廣泛的應用定制 Arm 的 Cortex-A 和 Cortex-X 內核，包括“下一代數據中心和基礎設施定制芯片”、智能手機以及各種需要高性能通用 CPU 內核的基于小芯片的解決方案。

Arm高級副總裁兼客戶業務總經理Chris Bergey表示：“在最新的三星工藝節點上優化Cortex-X和Cortex-A處理器凸顯了我們的共同愿景，即重新定義移動計算的可能性，我們期待繼續突破界限，以滿足AI時代對性能和效率的無情要求。

由于 Arm 和三星之間的聯合合作，兩家公司的客戶將能夠根據需要為其定制設計授權三星 2nm 優化版本的 Cortex-A 或 Cortex-X 內核。這將簡化開發過程并加快上市時間，這可能意味著我們可能會早日看到三星制造的用于數據中心和鄰近應用的 2nm 設計。然而，就目前而言，Arm和三星對何時能夠為他們的共同客戶提供合作的第一批成果守口如瓶。

與當今廣泛使用的 FinFET 晶體管不同，基于 GAA 納米片的晶體管可以通過多種方式進行調諧，以最大限度地提高性能、優化功耗和/或最大限度地提高晶體管密度。因此，我們期待兩家科技巨頭之間的合作取得相當可觀的成果。

雖然 Arm 的 Cortex-A 和 Cortex-X 內核在架構方面相似，但 Cortex-X 往往具有性能優化，使它們能夠運行得更快。這些內核應該在未來幾年的某個時候從Arm和三星的設計技術協同優化（DTCO）中獲益。