IT之家 12 月 11 日消息，眾所周知，傳統集成電路技術使用平面展開的電子型和空穴型晶體管形成互補結構，從而獲得高性能計算能力，但這種晶體管密度的提高主要是靠縮小單元晶體管的尺寸來實現。例如，大家最常見的案例就是半導體行業的高精度尺寸微縮，從 14>10nm>7nm>5nm（不代表實際柵距）這樣一直按照 0.7 的倍率不斷迭代。

據復旦大學微電子學院官方公告，該學院教授周鵬、研究員包文中及信息科學與工程學院研究員萬景團隊繞過 EUV 工藝，研發出性能優異的異質 CFET 技術。IT之家了解到，相關成果已經發表于《自然 — 電子學》雜志上。

簡單來說，研究人員創新地設計出了一種晶圓級硅基二維互補疊層晶體管，可以在相同的工藝節點下，實現器件集成密度翻倍，從而獲得卓越的電學性能。

官方表示，極紫外光刻設備復雜，在現有技術節點下能夠大幅提升集成密度的三維疊層互補晶體管 (CFET) 技術價值凸顯，但全硅基 CFET 的工藝復雜度高且性能在復雜工藝環境下退化嚴重。

據介紹，這種硅基二維互補疊層晶體管利用成熟的后端工藝將新型二維材料集成在硅基芯片上，并利用兩者高度匹配的物理特性實現 4 英寸大規模三維異質集成互補場效應晶體管。

這種技術可以實現了晶圓級異質 CFET 技術。相比于硅材料，二維原子晶體的單原子層厚度使其在小尺寸器件中具有優越的短溝道控制能力。該技術將進一步提升芯片的集成密度，滿足高算力處理器，高密度存儲器及人工智能等應用的發展需求。

▲ 硅基二維疊層晶體管的概念、晶圓級制造與器件結構 圖源：復旦大學官網