國產芯片領域中，存儲芯片的表現和追趕速度是最快的領域。此前有消息稱國產存儲芯片大廠已經完成了192層的3D NAND閃存樣品的自主研發，并在今年年底前會實現量產交付。

而目前有消息稱，長江存儲計劃跳過192層，直接切入232層閃存生產。

這意味著，如果長江存儲實現量產232層閃存芯片，我國在存儲芯片領域的技術將達到國際先進水平。

而目前三星和SK海力士明年初會量產超200層閃存，長江存儲越過192層，直接生產232層，將到達一線水平。