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(2022.3.28)半導體周要聞-莫大康

作者: 時間:2022-04-06 來源:求是緣半導體聯盟 收藏

周要聞2022.3.21- 2022.3.25

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/202204/432773.htm

1. 2021年全球產業鏈營收,第一次見到全球產業鏈營收2021年為8925億美元

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Source;digitimes research;2022-Mar


2. 量價齊揚!2021年全球前十大IC設計業者營收破千億美元

據TrendForce集邦咨詢研究顯示,2021年由于各類終端應用需求強勁,導致晶圓缺貨,全球IC產業嚴重供不應求,連帶使價格上漲,拉抬2021年全球前十大IC設計業者營收至1,274億美元,年增48%。

TrendForce集邦咨詢進一步表示,與2020年的排名最大不同之處有三,其一,英偉達(NVIDIA)超越博通(Broadcom)成為名第二;其二,聯詠(Novatek)與瑞昱(Realtek)名次分別上升至第六及第八名;至于原先排名第十的戴樂格(Dialog)則因被IDM大廠瑞薩(Renesas)收購,故由奇景(Himax)取代第十名位置。

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3. ICinsights:模擬市場持續火熱

預計 2022 年模擬 IC 總銷售額將增長 12% 至 832 億美元,單位出貨量將增長 11% 至 2387 億(圖 1)。預計 2022 年模擬 IC 的平均售價將增長 1%。

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今年,IC Insights 跟蹤的每個主要通用模擬和特定應用模擬市場類別預計都將實現銷售額增長,從放大器和比較器領域的 7% 增長到汽車專用模擬 IC 的 17% 增長(圖 2)

IC Insights在最新報告中對 2020 年領先的模擬 IC 供應商進行了排名(下圖)。這 10 家公司的模擬 IC 銷售額合計為 354 億美元,占去年模擬 IC 市場總額 570 億美元的 62%,與 2019 年的份額相同。


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4. 展望來年3nm之爭,GAAFET為何輸給FinFET?

GAAFET有多種不同的稱謂,比如說有人叫他nanosheet FET,Intel則稱其為RibbonFET。GAA結構晶體管的本質,就是把FinFET的fin轉90°,然后把多個fin橫向疊起來,這些fin都穿過gate——或者說被gate完全環抱,所以叫做gate all around;另外每個翻轉過的fin都像是一片薄片(sheet),它們都是channel,叫做nanosheet FET也是順理成章的。

三星作為GAAFET晶體管生產制造的馬前卒,必然面臨更多的技術挑戰。比如說硅基溝道中較低的空穴遷移率(hole mobility),致pFET性能表現不佳。IBM在此前的IEDM上表示,這一問題的解決方法在于pFET可應用壓縮應力的鍺化硅(SiGe)溝道材料:“pFET鍺化硅溝道能夠實現40%的遷移率提升,相較硅基溝道有10%的性能優勢,而且有更低的閾值電壓(Vt),NBTI(負偏壓溫度不穩定性)表現也有提升?!?/p>

GAAFET的制造流程,首先在substrate上沉積超薄的鍺化硅與硅的交替層,形成一種超晶格結構(super-lattice),每種材料疊多層。sheet就是在超晶格結構中曝光與蝕刻的。隨后內部spacer隔層構成;在spacer蝕刻時,超晶格結構中,鍺化硅層的表面部分凹陷,再填入介電材料。隨后源極漏極形成;超晶格結構中的鍺化硅層移除,留下硅基層sheet,也就是channel溝道。最后,通過沉積high-k(高介電常數)的介電與金屬gate材料來構成gate。


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每一步都存在相當多的工程問題,也就要求工廠有完美的工藝流程控制策略。材料供應商Brewer Science說越小的節點,工藝控制存在的挑戰就越大。在3nm節點以后,EUV光刻、原子層沉積(atomic layer deposition)、檢測與量測等等技術都需要持續進化。

談了這么多,可能仍然沒有很多同學最想了解的關鍵。畢竟3nm工藝現在還沒有成品問世。即便問世了,恐怕我們也很難搞清楚三星當前遭遇的主要技術挑戰在哪兒。

本文的上篇已經談到了三星3nm GAA工藝與臺積電N3,預計在晶體管密度方面的變化——還算是比較直觀的比較??偟膩碚f,三星雖然在3nm節點上轉向了GAAFET,在晶體管結構和密度潛力上占據優勢。但預期的晶體管密度、功耗與速度提升,都和臺積電N3 FinFET有著較大的差距。

只能說三星現階段相關GAAFET的技術儲備,在未來有機會發揮作用,并趕上臺積電。但一方面在于早做新技術探索總是充滿更多的不確定性,如前所述,foundry廠也需要解決大量GAAFET晶體管制造流程中的技術挑戰。


5. 英偉達黃仁勛承認正在與Intel談代工合作

使用英特爾作為代工服務合作伙伴需要很長時間。“代工討論需要很長時間,而且不僅僅是欲望。我們必須對齊技術,必須對齊商業模式,必須對齊產能,必須對齊兩家公司的運營流程和性質. 這需要相當長的時間和大量深入的討論。

”英特爾現在生產 GPU,英偉達現在生產 GPU,這意味著兩家公司現在將在多個細分市場直接競爭。黃還評論了與英特爾分享英偉達秘密的潛在擔憂,他的回答頗具啟發性:“多年來,我們一直在與英特爾密切合作,在我們與公眾分享我們的路線圖之前就與他們分享了我們的路線圖。英特爾已經知道我們的多年的秘密。AMD 多年來一直知道我們的秘密。我們足夠熟悉,并意識到我們必須合作。


6. 英偉達又炸自動駕駛圈,拿下比亞迪Orin提前量產Hyperion 9性能翻倍

3月22日晚間,英偉達創始人黃仁勛在GTC 2022大會上宣布,其自動駕駛芯片Orin于本月正式投產銷售。與此同時,英偉達推出了基于Atlan芯片的新一代自動駕駛平臺DRIVE Hyperion 9,并計劃于2026年量產。

英偉達,既掌控自動駕駛的大腦,又掌控自動駕駛的神經。

自動駕駛芯片、平臺與車型三者之間的關系并不容易理解,英偉達給出一個形象的比喻:汽車是軀體,自動駕駛平臺是神經,自動駕駛芯片是大腦。

Hyperion 9自動駕駛平臺方面,相比目前的第8代平臺,最明顯的改變是支持感知硬件數量大幅度提升,最多可達50個。其中包括,車外部分14個攝像頭、9個毫米波雷達、3個激光雷達以及20個超聲波雷達;車內部分,可支持3個攝像頭以及1個毫米波雷達。

Hyperion 9的感知硬件數量多了17個,但產生的數據量將會是8代平臺的2倍以上。這意味著Hyperion 9的性能兩倍于第8代平臺。

Hyperion 9將支持L3級自動駕駛和停車場L4級泊車功能。

雖然英偉達還沒有公布各模塊具體的核心參數,但在算力方面,Atlan芯片的目標算力是1000TOPS,而Orin芯片的算力水平是254TOPS。Atlan提升了3倍左右。


7. 臺積電英特爾三星全球布局對比

英特爾方面,其在全球共有約11萬名員工,目前生產布局以歐美地區為主,晶圓生產基地包括美國亞歷桑那、奧勒岡、及愛爾蘭、以色列等,另外在新墨西哥、哥斯大黎加與馬來西亞,也有封測相關據點。

目前,英特爾在全球10個地點擁有15處正常生產的晶圓廠。在美國的英特爾生產工廠地點包括:亞利桑那州Chandler、新墨西哥州Rio Rancho 、俄勒岡州Hillsboro。除美國本土之外,愛爾蘭萊克利普、以色列比薩、以色列Kiryal Gat、中國大連。封裝方面,英特爾在美國擁有一座測試基地和一座裝配開發工廠。其余裝配工廠均在美國境外,分別是中國上海、中國成都、哥斯達黎加圣荷西、馬來西亞 Kulim、馬來西亞檳城、越南胡志明市。

以制程來看,依照英特爾先前公布的制程技術發展藍圖,該公司已有采用Intel 7制程的產品,其Intel 4制程預計于今年下半準備量產,2023年開始出貨,Intel 3制程計劃于2023年下半年準備開始生產,Intel 20A制程估計于2024年逐步量產,另外,Intel 18A制程已進入開發階段,于2025年初問世。

目前,臺積電擁有四座十二吋超大晶圓廠(GIGAFAB? Facilities)、四座八吋晶圓廠和一座六吋晶圓廠,并擁有一家百分之百持有子公司—臺積電(南京)有限公司之十二吋晶圓廠及二家百分之百持有子公司—WaferTech美國子公司、臺積電(中國)有限公司八吋晶圓廠產能。其中于2016年成立的臺積電(南京)有限公司,下設有一座十二寸晶圓廠以及一個設計服務中心。除此之外,臺積電還在臺灣島內擁有4個后段封測廠。

目前,三星在本國、中國西安、中國蘇州、美國奧斯汀擁有7個制造中心,并在印度、美國、以色列、英國、丹麥、中國擁有多個研發中心。

展望今年第一季度,三星指出晶圓代工將專注于提高其先進制程產量,進而提升供應穩定性。此外,公司將在今年上半年量產3nm GAA首代制程3GAE,后續將開發第二代GAA制程3GAP。


8. 640億美元,2021年全球半導體材料市場收入增長15.9%

半導體行業協會SEMI報告全球半導體材料市場 2021 年收入增長 15.9% 至 643 億美元


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9. 華虹半導體發行股份科創板上市!

華虹半導體在港交所公告,董事會批準可能發行人民幣股份及將該等人民幣股份在上交所科創板上市的初步建議。將予發行的人民幣股份(包括將因超額配股權(如有)獲行使而發行的人民幣股份)不得超過本公司經根據建議發行人民幣股份擬發行及配發的人民幣股份擴大后的已發行股本25%。


10. 智算中心爭奪戰算力不能解決一切

在數據中心的生命周期里,80%的費用是運營費用,而其中一半是電費。比如,傳統的風冷PUE差不多在2.2,這個損耗是非常巨大的,現在國家標準是PUE要到1.3。PUE是數據中心電力使用效率的衡量指標,越小越好。

為了節能,各家企業都使用了絕技,有些把數據中心放在山洞里,有些放在海里,有些放在沙漠里?!拔磥淼臄祿行闹挥幸环N冷卻叫液冷。”浪潮信息副總裁劉軍對數智前線說。隨著摩爾定律的發展,服務器的面積會越來越小,散熱要求則越來越高,“只有液冷才能解決這個問題?!?/p>


11. 算一算蘋果的芯片成本賣貴了?

我們可以看到 ,如果M1 芯片每個die的良率為80%,那么其價值為$40 , 良率為70%的M1 Pro 價值為$96,良率為60%的 M1 Max 在每個die價值為$200.這些芯片是由TSMC的5 nm工藝制造,并估計代工費用每片17,000美元。

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12. 摩爾定律的現在及未來

技術對人類而言從未像現在這樣重要。在四大超級技術力量的推動下,萬物都在數字化。

這四大超級技術力量是無所不在的計算、從云到邊緣的基礎設施、無處不在的連接和人工智能,它們將超越并改變世界。目前,我們看到世界對算力的需求永無止境,更多的算力將持續推動行業進行更多創新。例如,全球每天會產生約270000PB(即27x1019)的數據②。預計到2030年,平均每個人將擁有1petaflop(每秒進行1015次浮點運算)的算力和1PB的數據,時延不到1毫秒③。這種對計算能力越來越強的需求,是驅動行業推進摩爾定律的動力。


當下的創新

制程

英特爾下一個偉大的架構創新是RibbonFET,這是英特爾在Gate All Around(GAA)晶體管上的實現,將與Intel 20A一同推出。RibbonFET代表了英特爾自FinFET以來的首個全新晶體管架構。RibbonFET能在更小的占用空間中,以相同的驅動電流提供更快的晶體管開關速度。同時,英特爾還提供業界首個背面電能傳輸架構PowerVia。以前,電源來自裸片頂部并與信號互連“競爭”?,F在通過分離電源和信號,能更有效地使用金屬層,這減少了對兩者的權衡,并提升了性能。下一代極紫外(EUV)光刻技術,即高數值孔徑(High-NA),進一步提高了分辨率并減少誤差,降低了制程工藝的復雜性,同時提高了設計規則的靈活性。英特爾正與ASML及其他生態伙伴緊密攜手,率先將這項技術投入量產。


封裝

展望未來,隨著進入先進封裝時代,我們看到封裝帶來了晶體管密度的提升。甚至連戈登本人也意識到了封裝的重要性,并在他的原始論文中寫到:“事實證明,用較小的功能模塊構建大型系統可能會更經濟,這些功能模塊將分別進行封裝和互連。”④隨著進入先進封裝時代,這些2D和3D堆疊技術為架構師和設計師提供了工具,以進一步增加單個設備的晶體管數量,并將有助于實現摩爾定律所需的微縮。

例如Ponte Vecchio,英特爾將47種不同的晶片組合在一個封裝中,為先進封裝功能樹立了新的基準。

英特爾即將推出的下一代Foveros技術——Foveros Omni和Foveros Direct,提供了新的微縮、新的互連技術和新的混搭能力。Foveros Omni進一步將互連間距微縮到25微米,并增加了多個基礎晶片的選擇,與EMIB技術相比,其實現了近4倍的密度提升,同時也擴展了英特爾混搭基礎晶片的能力。Foveros Direct引入了無焊料直接銅對銅鍵合,可實現低電阻互連和10微米以下的凸點間距。由此產生的互連能力,為功能性裸片分區開辟了新的視野,這在以前是無法實現的。同時,該技術還能垂直堆疊芯片的多個有源層。隨著這些技術和其他技術進入市場,先進封裝將為設計師和架構師提供另一種工具用于推進摩爾定律。


摩爾定律的現在及未來

技術對人類而言從未像現在這樣重要。在四大超級技術力量的推動下,萬物都在數字化。

這四大超級技術力量是無所不在的計算、從云到邊緣的基礎設施、無處不在的連接和人工智能,它們將超越并改變世界。目前,我們看到世界對算力的需求永無止境,更多的算力將持續推動行業進行更多創新。例如,全球每天會產生約270000PB(即27x1019)的數據②。預計到2030年,平均每個人將擁有1petaflop(每秒進行1015次浮點運算)的算力和1PB的數據,時延不到1毫秒③。這種對計算能力越來越強的需求,是驅動行業推進摩爾定律的動力。

總而言之,當考慮到所有制程工藝和先進封裝創新時,英特爾有諸多選擇能繼續按照客戶要求的節奏,將單個設備的晶體管數量翻一番。只有當創新停止時,摩爾定律才會失效,而英特爾在制程工藝、封裝和架構方面的創新將永不止步。預計到2030年,英特爾將在單個設備中提供約1萬億個晶體管,我們正為實現這一目標不懈努力。

13. 高盛不看好晶圓代工的五大原因

高盛證券最新指出,根據外部風險造成市場波動、設備交期拉長等五大因素,下修臺積電、聯電、世界股價預期,是繼美銀證券調整十檔電子股后,又一大型外資券商出手微幅修正估值,且主因均非看壞指標企業基本面。

一、高盛總體經濟學團隊最近才下修全球GDP預測,盡管目前尚未看到晶圓代工端出現砍單,然考慮到總體經濟下滑影響消費產品需求,確實不排除2022年底、2023年初面臨部分訂單調整。

二、基于需求的波動性,2022年要再看見晶圓代工迎來全面性漲價的機率不高,就算有任何漲價,那也將是針對急單或是先前取得相對低報價的客戶。整體而言,高盛對臺積電、聯電、世界2022年的財務模型中,都沒有納入進一步漲價可能;至于2023年,高盛預期,除了臺積電8吋晶圓可能漲價外,其他晶圓代工價格都將持平。

三、根據高盛調查,因半導體設備產能吃緊,晶圓廠采購的設備平均出現三至六個月的延遲(特別是二線晶圓代工廠),高盛因而調降晶圓代工廠近二年產能擴張幅度,亦下修2022年資本支出預期。

四、鑒于地緣政治風險導致市場波動加劇,高通膨情況支持升息周期,高盛經濟學家更新亞洲市場股權成本(COE)假設,同時,高盛宏觀團隊將臺股市場的股票風險溢價假設從6%上調至6.25%。

五、大部分晶圓代工廠向客戶收費都是以美元計價,因此,新臺幣相對美元貶值通常有利這些臺廠的營收;在獲利方面,盡管物料成本多以美元計價,可能會抵消部分營收來自新臺幣貶值的好處,但如人工成本、營運成本多不是以美元計價,整體來看對臺廠毛利率、營業利益率仍為有利因素。


14. 2022主要代工業者產能擴充計劃

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15. 格科半導體ASML先進ArF光刻機正式MOVE IN!

自上市以來,格科微“12英寸CIS集成電路特色工藝研發與產業化項目”推進迅速,廠房建設基本完成,相關設備有序搬入、安裝。從2022年3月7日開始,格科半導體順利搬入光刻機主要廠商之一——ASML的相關設備。3月24日,格科半導體再次迎來了重要階段性成果,成功實現整套ASML光刻機中的關鍵設備——先進ArF光刻機的搬入。如期搬入最關鍵的設備,標志著公司能夠確保安全防疫和潔凈室生產線穩定運營兩手抓、兩不誤,為公司高端CIS產品快速研發及市場化推廣打下堅實基礎。


16. 兩大因素所致部分非手機市場2022年訂單量或出現明顯下滑

“筆電市場已經開始‘退熱’了,就目前的訂單和客戶需求情況來看是在持續下探,并且由于前兩年的漲幅太猛,今年市場整體的需求量或許會有比較明顯的衰退。如果是從公司本身的情況來看,我們預估全年訂單量縮減大概會達到20%左右?!?/p>

其實工業、醫療、可穿戴、智能家居等幾個熱度較高的非手機領域,都可以納入AIoT市場,因為AI技術的加持,給這些產品創造了更大的發展空間。根據IDC發布的報告數據,2019年全球AIoT市場規模達到2264億美元,預計到2022年達到4820億美元,2019-2022年復合增長率為28.65%。

如前所述,由于產業鏈原本預期的增長局面沒有出現,供給端的產能布局卻已經就位,很可能造成供過于求的局面。不僅如此,AIoT領域中有相當一部分終端的零部件規格參數僅僅停留在中低端智能手機的水平,具備量產能力的廠商數量也不在少數。或許在市場規模增長前期這些產品的利潤水平尚可,但礙于產品本身的技術優勢并不突出,這一水準也將隨著需求量加大而持續降低。



關鍵詞: 半導體 芯片 莫大康

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