近日，中共中央政治局常務委員會會議強調“要加大公共衛生服務、應急物資保障領域投入，加快5G網絡、數據中心等新型基礎設施建設進度。要注重調動民間投資積極性。”

新型基礎設施建設（新基建）指發力于科技端的基礎設施建設，主要包括5G基建、特高壓、城際高速鐵路和城際軌道交通、新能源汽車充電樁、大數據中心、人工智能、工業互聯網等七大領域，涉及到通信、電力、交通、數字等多個社會民生重點行業。 科技創新是中國經濟未來發展的新方向，提升高科技產業在國民經濟中的占比具有長遠意義，如果說過去20年，支撐中國經濟的是傳統基建鐵路、公路、橋梁、房地產的話，那么未來20年支撐中國經濟的是新基建以及教育、醫療、社保等民生消費升級領域基礎設施。

區別于2008年四萬億刺激經濟，新基建或能帶來顯著的經濟社會效益。以5G為例，有分析指出5G網絡建設投資將達到1萬億以上，帶動的產業鏈上下游以及各行業應用投資將超過數萬億投資。更有助于培育繁榮互聯網經濟新產業，帶動十幾萬億產值的新經濟，為搶占全球信息技術制高點奠定堅實基礎。 過去中國適度超前基礎設施建設造就了中國制造的強大競爭力。現在超前的新基建建設，誰能說不會帶來互聯網經濟的繁榮？新基建不是疫情之后經濟下行的短期調控這么簡單。

5G

5G建設涉及基站、核心網、承載網的公共基礎設施，2020年中國5G商業步伐將加快，新基建的推出對于5G進程更起到推波助瀾的作用。

媒體報道，截至今年2月初，三大運營商已在全國開通5G基站約15.6萬個，接近全年目標的三分之一。到今年年底全國范圍內預計將累計開通5G基站超過55萬個。三大運營商加快了5G投建速度，中國移動5G基站數已經超過8萬個；中國聯通累計開通5G基站6.4萬個。中國聯通和中國電信將在上半年完成47個城市的10萬個基站建設，并在今年前三季度完成全國25萬個基站的建設目標。5G產業鏈條非常之廣，與元器件相關的產業包括功率器件、射頻器件、光纖光纜、光模塊等。

功率器件：氮化鎵GaN作為第三代半導體材料，可能是5G時代的最大受益者之一。相比現有的硅LDMOS（橫向雙擴散金屬氧化物半導體技術）和GaAs（砷化鎵）解決方案，GaN器件能夠提供下一代高頻電信網絡所需要的功率和效能。GaN的寬帶性能也是實現多頻載波聚合等重要新技術的關鍵因素之一。GaN HEMT（高電子遷移率場效晶體管）已經成為未來宏基站功率放大器的候選技術。GaN或將主導射頻功率器件市場，搶占基于硅LDMOS技術的基站PA市場。

射頻器件：5G手機和基站都使用射頻器件，包括功率放大器、雙工器、濾波器、天線等。5G提升了速率、減少了延遲、增加了頻率范圍（例如Sub-6（低于6GHz頻段）和毫米波頻段）、MIMO（多輸入多輸出）。因此射頻器件的設計和架構與4G有大的區別，數量上也增加了。4G多模多頻手機需要的功率放大器芯片為5-7顆，而5G可能預測需要15個以上。

光模塊：在5G承載網中，光模塊是網絡物理層的基礎構成單元，廣泛應用于無線及傳輸設備，其成本在系統設備中的占比不斷增高，部分設備中甚至超過50%-70%，是5G低成本、廣覆蓋的關鍵要素。

數據中心

數據中心是集中存放數據計算、存儲網絡設備場所，是支撐云服務的基礎設施。在疫情期間，線上業務和數據流量持續增長，比如企業遠程辦公、學校在線教育云服務需求被挖掘。根據阿里云公布的數據，釘釘在2月3日通過阿里云緊急擴容1萬臺服務器后，4日再度擴容1萬臺云服務器。1月29日至2月6日，騰訊會議每天都在進行資源擴容，日均擴容云主機接近1.5萬臺，8天總共擴容超過10萬臺云主機，共涉及超百萬核的計算資源投入。阿里云和騰訊云的擴容創下了中國云計算史上前所未有的紀錄。

存儲器件：云服務和大數據應用帶動了服務器和數據中心的發展，這也帶動了DRAM和NAND閃存的需求。目前日韓收疫情影響，供貨吃緊，中國廠商加速布局，包括武漢新芯、兆易創新、合肥長鑫都開始布局，彌補市場空缺。合肥長鑫去年9月正式投產19nm工藝8Gb DDR4，預計2021年完成17nm技術研發。兆易創新去年9月公告擬定增33.2億元用于DRAM芯片自主研發及產業化。就市場趨勢來看，倘若韓國和日本疫情未能得到有效控制，供需失衡，將會影響價格走向。近日從元器件電商iCEasy獲悉，存儲器件市場開始供貨短缺的情況，以武漢新芯XM25QH64AHIG、XM25QH128AHIG型號為例，目前只剩下少量存貨。

充電樁

新能源汽車市場快速發展，充電樁建設仍是新能源車產業鏈的短板之一，新基建支持下，充電樁建設將加速。

IGBT模塊：作為開關元件使用，IGBT主要運用于直流快充電樁，直流電樁通過三相電網輸入交流電，經過三相橋式不可控整流電路整流變成直流電，濾波后提供給高頻DC/DC功率變換器，為電動汽車動力蓄電池充電。作為電動控制系統，IGBT在電控系統中用于逆變器模塊，將大功率直流/交流(DC/AC)逆變后驅動汽車電機。比如，深圳芯能的IGBT采用國際領先的溝槽結構+場截止型技術（Trench+FS），合理優化了器件電流密度，獲得了最佳的飽和導通壓降（Vce（sat））和關斷損耗（Eoff）平衡。完美適用于充電樁、電磁加熱、電機驅動、工業電源等各類應用。