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脫穎而出!基本半導(dǎo)體獲頒“中國(guó)芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)

作者:基本半導(dǎo)體 時(shí)間:2019-10-28 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

近日,第十四屆“中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)”在青島舉辦,現(xiàn)場(chǎng)揭曉了“中國(guó)芯”優(yōu)秀產(chǎn)品征集結(jié)果,基本半導(dǎo)體車(chē)規(guī)級(jí)全碳化硅功率模塊(BMB200120P1)榮獲優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)。“中國(guó)芯”是國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的最高榮譽(yù),被譽(yù)為我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)發(fā)展的風(fēng)向標(biāo)。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/201910/406343.htm

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工業(yè)和信息化部電子信息司司長(zhǎng)喬躍山出席活動(dòng)并發(fā)表致辭

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基本半導(dǎo)體董事長(zhǎng)汪之涵博士(左起第五位)登臺(tái)領(lǐng)獎(jiǎng)

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中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)現(xiàn)場(chǎng)

集成電路產(chǎn)業(yè)是國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。“中國(guó)芯”優(yōu)秀產(chǎn)品征集活動(dòng)旨在征集國(guó)內(nèi)集成電路領(lǐng)域產(chǎn)品創(chuàng)新、技術(shù)創(chuàng)新和應(yīng)用創(chuàng)新成果,打造中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)高端公共品牌,并發(fā)揮示范效應(yīng),促進(jìn)我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。本屆“中國(guó)芯”優(yōu)秀產(chǎn)品征集活動(dòng)設(shè)有“年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品、優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品、優(yōu)秀市場(chǎng)表現(xiàn)產(chǎn)品、優(yōu)秀技術(shù)成果轉(zhuǎn)化項(xiàng)目”四大獎(jiǎng)項(xiàng),自啟動(dòng)以來(lái)得到國(guó)內(nèi)集成電路企業(yè)和上下游廠商的高度關(guān)注,共收到來(lái)自125家芯片企業(yè)、187款芯片產(chǎn)品的報(bào)名材料,創(chuàng)歷史新高,涵蓋了國(guó)內(nèi)最優(yōu)秀的集成電路企業(yè),代表著我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)最先進(jìn)的發(fā)展水平。

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2019年“中國(guó)芯”優(yōu)秀產(chǎn)品展示

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第十四屆“中國(guó)芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)

基本半導(dǎo)體本次獲獎(jiǎng)的車(chē)規(guī)級(jí)全碳化硅功率模塊,內(nèi)部集成兩單元1200V/200A碳化硅MOSFET和碳化硅續(xù)流二極管。碳化硅MOSFET采用了最新的設(shè)計(jì)生產(chǎn)工藝,在柵極電輸入電容、內(nèi)部寄生電感、熱阻等多項(xiàng)參數(shù)上達(dá)到業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平。單模塊采用半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),200A輸出電流能力可有效減少逆變器中功率器件數(shù)量,降低系統(tǒng)設(shè)計(jì)難度,提升系統(tǒng)可靠性,并使用了業(yè)內(nèi)主流的單面水冷散熱形式,為高效電機(jī)控制器設(shè)計(jì)提供便利。

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基本半導(dǎo)體車(chē)規(guī)級(jí)全碳化硅功率模塊

車(chē)規(guī)級(jí)全碳化硅功率模塊主要為新能源汽車(chē)應(yīng)用設(shè)計(jì),提升動(dòng)力系統(tǒng)逆變器轉(zhuǎn)換效率、縮小體積、降低重量,進(jìn)而提高新能源汽車(chē)的能源效率和續(xù)航里程。今年9月,青銅劍科技聯(lián)合基本半導(dǎo)體發(fā)布了基于上述車(chē)規(guī)級(jí)全碳化硅功率模塊的新能源汽車(chē)電機(jī)控制器解決方案,可實(shí)現(xiàn)最大功率150kW@800Vdc,最大工作開(kāi)關(guān)頻率100kHz,輸入電壓范圍300~800Vdc,三相輸出電流240A,功率密度達(dá)30kW/L。

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基于車(chē)規(guī)級(jí)全碳化硅功率模塊的新能源汽車(chē)電機(jī)控制器解決方案

基本半導(dǎo)體由清華大學(xué)、浙江大學(xué)、劍橋大學(xué)、瑞典皇家理工學(xué)院等國(guó)內(nèi)外知名高校博士團(tuán)隊(duì)創(chuàng)立,專(zhuān)注于碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,是中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)。

基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的650V~1200V/2A~40A全電流電壓等級(jí)碳化硅二極管、首款國(guó)產(chǎn)工業(yè)級(jí)1200V碳化硅MOSFET系列產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并推向市場(chǎng),車(chē)規(guī)級(jí)全碳化硅功率模塊已完成首批工程樣品并聯(lián)合國(guó)內(nèi)一線(xiàn)主機(jī)廠開(kāi)展測(cè)試,性能均達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平,廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

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中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)現(xiàn)場(chǎng)

“中國(guó)芯”優(yōu)秀產(chǎn)品征集活動(dòng)的成功舉辦,為國(guó)內(nèi)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)提供了集中展示實(shí)力和信心的舞臺(tái),推動(dòng)國(guó)產(chǎn)芯片行業(yè)的自主創(chuàng)新,加快“中國(guó)芯”市場(chǎng)化、產(chǎn)業(yè)化的步伐。未來(lái),基本半導(dǎo)體將再接再厲,以創(chuàng)新、專(zhuān)注的工匠精神,懷揣中國(guó)芯,追夢(mèng)新時(shí)代!




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