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AMD公布3D封裝技術:處理器與內存、緩存通過硅穿孔堆疊在一起

作者: 時間:2019-03-20 來源:快科技 收藏
編者按:在Rice Oil&Gas高性能計算會議上,AMD高級副總裁Forrest Norrod介紹,他們正跟進3D封裝技術,目標是將DRAM/SRAM(即緩存等)和處理器(CPU/GPU)通過TSV(硅穿孔)的方式整合在一顆芯片中。

  目前的智能手機普遍實現了處理器SoC和內存(DRAM)的堆疊式封裝(PoP),從日前公布的信息來看,PC產品也有望實現類似的技術。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/201903/398650.htm

  在Rice Oil&Gas高性能計算會議上,高級副總裁Forrest Norrod介紹,他們正跟進技術,目標是將DRAM/SRAM(即緩存等)和處理器(CPU/GPU)通過TSV(硅穿孔)的方式整合在一顆芯片中。

  其實此前,就率先推出了HBM顯存產品,實現了GPU芯片和顯存芯片整合封裝,但那僅僅屬于2.5D方案。

  

AMD公布3D封裝技術:處理器與內存、緩存通過硅穿孔堆疊在一起

  3D堆疊的好處在于縮短了電流傳遞路徑,也就是會降低功耗。不過,的挑戰在于如何控制發熱。

  

AMD公布3D封裝技術:處理器與內存、緩存通過硅穿孔堆疊在一起

  遺憾的是,AMD并未公布更多技術細節。

  AMD稱,雖然光刻工藝在精進,但是頻率甚至要開始走下坡路,需要一些新的設計助力。

  其實Intel今年也公布了名為Foveros的3D芯片封裝技術,將22nm I/O基板、10nm Sunny Core和四核Atom整合在一起,功耗僅7瓦。

  

AMD公布3D封裝技術:處理器與內存、緩存通過硅穿孔堆疊在一起


  

AMD公布3D封裝技術:處理器與內存、緩存通過硅穿孔堆疊在一起


關鍵詞: AMD 3D封裝

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