中國半導體產業建設又添一樁喜訊，8月2日下午，上海華虹(集團)有限公司與無錫市人民政府在無錫舉行戰略合作協議簽約儀式，總投資約100億美元的華虹集團集成電路研發和制造基地項目正式落戶無錫高新區，標志著華虹集團在上海以外的第一個集成電路研發制造基地的開局。

　　據報道，華虹宏力，由原上海華虹NEC電子有限公司和上海巨集力半導體制造有限公司合并而成，為具備8寸晶圓代工技術的純晶圓代工廠商。目前，華虹宏力在上海張江和金橋共有3條8寸晶圓生產線，月產能為15.5萬片，技術制程自1微米到90納米之間。主要生產的產品為標準邏輯、嵌入式非易失性存儲器、電源管理元件、功率元件、射頻、模擬和混合信號元件等。

　　在國內，半導體芯片的進口額多年來遠超石油，國產芯片的占比則只有約10%左右。“缺芯之痛”一直是制約國內電子信息產業健康發展的一大瓶頸。特別是一些高端芯片，如存儲器、中央處理器等，更是幾乎完全要依賴進口。

　　正是為提升半導體芯片國產化率，擺脫產業嚴重受制于人的局面，2014年國家發布了《集成電路發展規劃綱要》，并成立逾千億規模的國家集成電路產業投資基金，這些政策都為國內集成電路產業帶來了新的機遇和信心。

　　半導體產業鏈通常包括設計、制造、封裝測試等環節。華虹宏力作為芯片代工企業，伴隨其自身發展的同時，也有效帶動了上下游企業的發展。

　　此次上海華虹集團和無錫市政府簽約推動的合作項目將分期建設數條12英寸集成電路芯片生產線。其中一期項目將建設一條月產能約4萬片的12英寸生產線以及相關配套設施。首期項目實施后，將適時啟動第二條生產線建設。

　　華虹宏力積極在萬物互聯浪潮下，市場戰略布局和技術發展規劃轉趨積極。日前上海華虹(集團)有限公司董事長、上海市集成電路行業協會會長張素心曾表示，承擔建設國家“909”工程以來，華虹集團已建成200mm和300mm兩大制造平臺和國家級集成電路研發中心，芯片產品廣泛應用于電子信息產業各領域，未來將持續朝向自主可控、做大做強集成電路制造業邁進。

　　目前華虹宏力較受認可的芯片代工領域包括嵌入式非易失性存儲器(eNVM)、功率器件及電源管理技術等，并積極布局微控制器(MCU)、新能源汽車和物聯網等領域。

　　而在技術發展路線圖方面，隨著90納米嵌入式NVM技術的成功開發，目前華虹宏力越來越多的智能卡客戶產品持續導入至90納米工藝技術。華虹宏力也繼續開發包括射頻絕緣體上硅(SOI)器件在內的射頻相關技術，以滿足持續增長的智能手機的市場需求以及未來5G蜂窩通信的發展及應用。

　　在工藝平臺上，涵蓋了SONOS嵌入式閃存和EEPROM工藝、浮柵型嵌入式閃存及EEPROM工藝、硅基射頻工藝、功率器件工藝、電源管理IC工藝以及設計服務與IP支持，從IP、IC設計服務、EDA工具、光罩制造等產品和服務提供晶圓代工較完整的解決方案。

　　值得一提的是，華虹宏力已在智能卡和物聯網方面耕耘多年，擁有突出的嵌入式非易失性存儲器技術。有SONOSFlash和SuperFlash技術，以及eFlash+高壓和eFlash+射頻(RF)兩個衍生工藝平臺，技術節點涵蓋0.18微米到90納米。同時還可為客戶提供高性能、高密度的標準單元庫，并可根據不同需求為客戶定制高速度、低功耗、超低靜態功耗的嵌入式閃存IP、嵌入式電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)IP，減小低功耗設計難度。