a一级爱做片免费观看欧美,久久国产一区二区,日本一二三区免费,久草视频手机在线观看

新聞中心

EEPW首頁 > 光電顯示 > 業界動態 > 諾貝爾獎后 日本GaN產學應用新動態

諾貝爾獎后 日本GaN產學應用新動態

作者: 時間:2016-07-26 來源: Digitimes 收藏

  當諾貝爾獎委員會在2014年宣布物理獎得主是發明而得獎的日本學者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學者后,掀起日本人對LED及氮化鎵()注意,也讓相關研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關注。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/201607/294504.htm

  比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學聯盟,便有29家企業、14所大學、與2個技術研發基金會加入;日本產業技術總和研究所(AIST)與名古屋大學(Nagoya University)合作,在2016年成立產總研名大氮化鎵半導體先進零組件開創研究實驗室(-OIL),都是諾貝爾獎后的成果。

  而也就在2016年4月,豐田汽車(Toyota Motor)捐助名古屋大學成立2個單位,豐田尖端功率半導體產學協同研究部門,以及研究捐款部門。豐田干部對該社會長內山田竹志的移動表示,這是希望仿效產官學合作成功的德國范例,讓先進技術能順利快速的成為市場標準的作為。

  天野浩自1995年讓GaN材料的實用化后,接下來20年的努力目標,基本上在擴大GaN的用途,比方GaN材料功率半導體,以及利用新制程改進效率,例如利用氮化銦鎵(InGaN)控制光線波段與發光方向,還有讓平面結構的GaN發光晶體變成立體結構,增加表面積與發光效率。

  天野浩及研究團隊在2016年5月17~20日的國際會議,帶來節能社會的次世代半導體研發公開發表會上,便提出相關新技術的報告,比方讓GaN晶體垂直排列,像插花用的劍山,讓同樣亮度的LED基板面積縮小為10分之1,以及利用類似構造制成的功率半導體等。

  目前制成的劍山狀GaN半導體,每根突出部分0.25微米,長度約20微米,現已可做到每根以1微米間隔排列,再以紫外線照射后可發出不同波長的紫外線,接下來的發展方向是研究不同的排列構造,以便控制光線發射方向與波段。

  這些技術先前花了大概20年醞釀,名古屋大學GaN聯盟原來的預定計劃,把相關研究列為2030年以前的重心,不過GaN-OIL成立后,產總研提供1億~10億日圓之間(約94萬~943萬美元)預算,加上豐田方面未公布的捐贈經費,相關研究有可能提前到2020~2025年便上市。

  天野浩在GaN-OIL成立記者會上便表示,希望這個機構能讓大學單獨研究到實用化的漫長時間,可以明顯縮短。過去這些技術從大學研發后,還要耗費不少時間取得專利,再授權給新創企業或其他有意發展的企業,相當耗時。新成立的產官學合作單位,可望縮減相關法律程序耗時與資金取得難度,加速上市。



關鍵詞: GaN 藍光LED

評論


相關推薦

技術專區

關閉