近年來，隨著科技的不斷進步和全球對綠色低碳發展的需求日益增長，半導體行業迎來了前所未有的發展機遇。氮化鎵（GaN）作為一種新型半導體材料，以其高功率、高效率、耐高溫等特性，在消費電子、電動汽車、可再生能源等多個領域展現出巨大的應用潛力。作為全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者，英飛凌在氮化鎵領域持續深耕，通過戰略布局、技術創新、市場應用拓展等不斷鞏固其市場地位。

近日，英飛凌在上海慕尼黑展會期間舉辦了一場專門的氮化鎵新品媒體溝通會，會上英飛凌科技大中華區消費、計算與通訊業務市場總監程文濤先生以及英飛凌科技大中華區消費、計算與通訊業務高級首席工程師宋清亮先生，向EEPW介紹了英飛凌在氮化鎵領域的最新技術成果與新品，并分享其收購GaN Systems公司后帶來的積極作用。

CoolGaN?技術的創新應用

氮化鎵材料以其卓越的開關速度、超低導通阻抗以及高度集成設計，正引領著電子技術的革新。氮化鎵器件能夠輕松應對高頻工作環境，顯著減小了被動元器件和散熱器的尺寸，從而降低了系統成本。同時，其單位面積導通阻抗遠低于硅器件，在相同功率下減少了熱量產生，提高了系統的能效比。

自2023年10月成功收購GaN Systems以來，英飛凌的氮化鎵產品線得到了顯著擴展。從原來的兩種產品——分立式功率器件（Discrete Power）和集成式功率器件（Integrated Power），擴展至五種創新產品，以滿足不同應用場景的需求。新一代CoolGaN?半導體器件系列，專為高壓（HV）與中壓（MV）應用精心打造，極大地拓寬了氮化鎵（GaN）技術的應用邊界，覆蓋40V至700V的廣泛電壓范圍，加速推動了行業的數字化轉型與低碳環保進程。

CoolGaN? Transistor系列涵蓋高壓與中壓多樣產品，專注增強型器件，融合電壓與電流型驅動技術，得益于GaN Systems收購，實現技術全面整合。所有氮化鎵器件均為貼片封裝，確保最小封裝集成參數，展現高速特性優勢。

CoolGaN? BDS作為創新亮點，提供理想雙向開關解決方案，解決傳統MOS管拓撲結構限制，實現單顆器件雙邊可控，開關迅速，引領技術變革。該產品雖未上市，但預期將受市場熱烈反響，適用于電池保護、大功率電池管理、電動工具及儲能光伏等高壓雙向開關需求場景。

CoolGaN? Smart Sense引入溝槽電流檢測技術，通過內部溝槽采樣電流，實現高精度電流監控，避免外部電阻損耗及高速開關下的雜訊問題，提升系統性能與穩定性。

針對市場長期存在的門極驅動難題，CoolGaN? Drive提供集成化解決方案，簡化設計，確保高效穩定驅動。該方案兼容原有硅器件驅動電壓，無需調整偏置電壓，實現無縫替換與升級，提升用戶體驗。

收購GaN Systems讓英飛凌更飽滿

通過此次產品系列的推出，英飛凌旨在進一步強化CoolGaN?的品牌優勢，并顯著提升其在全球GaN器件市場供應鏈中的穩定供應能力。依托英飛凌自主研發的8英寸晶圓工藝精心制造，彰顯了英飛凌在技術創新與產能提升上的堅定承諾。根據Yole Group的權威預測，GaN器件市場將迎來前所未有的增長機遇，預計未來五年將以驚人的46%年復合增長率持續擴張，而英飛凌正站在這一行業變革的前沿，引領未來。

通過收購GaN Systems，英飛凌不僅獲得了GaN Systems豐富的產品線和技術專利，還極大地豐富了自身的物料品類。這使得英飛凌能夠為客戶提供更加全面、多樣的氮化鎵解決方案，滿足不同行業、不同應用場景的需求。同時，英飛凌的IP儲量也因此得到了顯著提升，為其在氮化鎵技術領域的持續創新提供了堅實的基礎。

程文濤表示，GaN Systems在氮化鎵技術領域的深厚積累為英飛凌打開了新的技術研發思路。雙方研發資源的整合和應用人員的協作，產生了許多思想上的碰撞和靈感火花。雙方的技術交流與合作，促進了英飛凌在氮化鎵技術上的不斷突破和創新。例如，英飛凌在收購后推出的CoolGaN系列新產品，就是雙方技術融合與創新的成果體現。一方面，雙方研發團隊的合并使得英飛凌在氮化鎵技術領域的研發力量得到了加強；另一方面，GaN Systems在市場推廣方面的經驗和資源也為英飛凌提供了新的助力。這使得英飛凌能夠更快地推出符合市場需求的新產品，并迅速占領市場先機。

技術與市場的雙重優勢

英飛凌對GaN Systems的收購，無疑是其在氮化鎵領域的一次重要布局。GaN Systems作為氮化鎵領域的領軍企業，擁有15年的技術積累和豐富的市場經驗。通過此次收購，英飛凌不僅獲得了GaN Systems在氮化鎵器件和模塊方面的專利技術和專業知識，還進一步豐富了其產品線，提高了在氮化鎵領域的競爭力。

GaN Systems在大功率應用和封裝方面的專長，與英飛凌在半導體制造和系統集成方面的優勢形成了良好的互補。例如，GaN Systems的嵌入式芯片封裝技術，通過去除焊線，實現了極低的電感，有利于GaN開關的快速開關速度。這種技術結合英飛凌在制造工藝和封裝技術方面的積累，將進一步提升氮化鎵器件的性能和可靠性。