對于復雜的電路板，如高階通信系統，設計人員愈來愈需要為不同的DSP、FPGA、ASIC和微處理器提供更多的電壓軌。目前必須面對的電源系統設計挑戰，是在高速數字電路產生電流瞬時的情況下，將電壓偏差降到最低。越來越需要關注的問題是，在使用先進IC時，如最新的GHz級DSP、FPGA、ASIC和微處理器，電流瞬時期間會出現輸出電壓的峰值偏差。如果核心電壓(VCC)超出指定的容差上限，IC必須重設，否則會發生邏輯錯誤。為避免發生這種狀況，設計人員需要更注意所使用的負載點(point-of-load, POL)模塊瞬時效能。

最新GHz級DSP之類的數字負載需要相當快速的瞬時響應，以及相當低的電壓偏差。為達到這些目標，通常需要為DC/DC轉換器加裝多個輸出電容，讓它在回饋回路響應前有足夠的維持時間。使用電源模塊，并加裝電容以符合電壓瞬時容差后，便形成一套完整的電源解決方案。

由于設計人員逐漸增加輸出電容，因此瞬時幅度會降低，然而，增加電容會降低電源系統頻寬，高電能儲存的優點會被緩慢的響應時間抵消。

更快速的瞬時響應
借由創新的DC/DC電源模塊技術，系統設計人員如今能夠運用較少的輸出電容，達到更快速的瞬時響應及更低的電壓偏差。德州儀器的T2系列新一代PTH模塊(見圖1)便是其中一例，這個系列的模塊結合一項全新的TurboTrans技術，能夠大幅減少客戶為達到特定電壓偏差目標而使用輸出電容的需求。這項專利技術的運作方式是修改模塊的控制回路，讓設計人員自行調整模塊，以符合特定的瞬時負載需求，只需增加一個外部電阻就可以完成調整工作。

圖1 采用TurboTrans的T2電源模塊

在高瞬時負載的應用中，TurboTrans技術能夠讓設計人員減少高達8倍數量的輸出電容，同時將電壓偏差降低，因此能夠節省電容成本與印刷電路板空間。這項技術的另一項優點是提升超低ESR電容的穩定性。設計人員便能夠使用較新的Oscon輸出電容、聚合物鉭質輸出電容或所有陶瓷輸出電容，而完全不需顧慮穩定性問題。如此一來，便能夠運用可達到高溫無鉛焊錫規范的電容技術。

更快速的瞬時響應與更低的電壓偏差
TurboTrans技術能夠減少增加電容以達到特定瞬時目標的需求。對于TI的額定30A PTH08T210W之類的模塊，經證實可減少高達8倍數量的電容。圖2顯示改變量為5A/μs的10A負載步階所需的50mV最大偏差瞬時目標范例。第一張圖顯示 PTH08T210W以470μF的最低需求輸出電容運作，而且TurboTrans功能已關閉。電壓偏差由于瞬時而達到150mV。為滿足所需的50mV偏差值，設計人員總共需要10 560μF的輸出電容，如第二張圖所示，這是未使用Turbo Trans功能的模塊常見的結果。第三張圖則顯示使用TurboTrans功能的結果，其中只需要1320μF的輸出電容。

圖2 瞬時響應vs.電容

這個范例顯示減少的電容有8倍之多。當然，減少所需的電容與使用的電容類型有關，因為每個電容類型都有各自的寄生阻抗。不同的電容類型有不同的ESR與ESL特性，低ESR電容貯電模塊相當適合采用TurboTrans技術。

透過先進的TurboTrans技術，系統設計人員如今能夠在較短的設計過程中以極低的成本使用POL模塊，以達到特定的瞬時負載需求。如圖3所示，這只需要在T2系列模塊的VSENSE接腳與TurboTrans接腳之間接上電阻，從而就可根據數據表決定電阻的值與所需的電容數量。