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IGBT高壓大功率驅動和保護電路的應用及原理

作者: 時間:2010-12-16 來源:網絡 收藏

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/180106.htm

通過對功率器件的工作特性分析、要求和方法等討論,介紹了的一種可的集成驅動模塊HCPL-3I6J的

關鍵詞:IGBT;驅動;電源

IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛。IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優點于一體,具有電壓控制、輸入阻抗大、驅動功率小、控制簡單、開關損耗小、通斷速度快和工作頻率高等優點。

但是,IGBT和其它電力電子器件一樣,其應用還依賴于電路條件和開關環境。因此,IGBT的驅動和保護電路是電路設計的難點和重點,是整個裝置運行的關鍵環節。

為解決IGBT的可靠驅動問題,國外各IGBT生產廠家或從事IGBT應用的企業開發出了眾多的IGBT驅動集成電路或模塊,如國內常用的日本富士公司生產的EXB8系列,三菱電機公司生產的M579系列,美國IR公司生產的IR21系列等。但是,EXB8系列、M579系列和IR21系列沒有軟關斷和電源電壓欠壓保護功能,而惠普生產的HCLP一316J有過流保護、欠壓保護和1GBT軟關斷的功能,且價格相對便宜,因此,本文將對其進行研究,并給出1700V,200~300A IGBT的驅動和保護電路。


1 IGBT的工作特性
IGBT是一種電壓型控制器件,它所需要的驅動電流與驅動功率非常小,可直接與模擬或數字功能塊相接而不須加任何附加接口電路。IGBT的導通與關斷是由柵極電壓UGE來控制的,當UGE大于開啟電壓UGE(th)時IGBT導通,當柵極和發射極間施加反向或不加信號時,IGBT被關斷。

IGBT與普通晶體三極管一樣,可工作在線性放大區、飽和區和截止區,其主要作為開關器件應用。在驅動電路中主要研究IGBT的飽和導通和截止兩個狀態,使其開通上升沿和關斷下降沿都比較陡峭。


2 IGBT驅動電路要求
在設計IGBT驅動時必須注意以下幾點。

1)柵極正向驅動電壓的大小將對電路性能產生重要影響,必須正確選擇。當正向驅動電壓增大時,.IGBT的導通電阻下降,使開通損耗減小;但若正向驅動電壓過大則負載短路時其短路電流IC隨UGE增大而增大,可能使IGBT出現擎住效應,導致門控失效,從而造成IGBT的損壞;若正向驅動電壓過小會使IGBT退出飽和導通區而進入線性放大區域,使IGBT過熱損壞;使用中選12V≤UGE≤18V為好。柵極負偏置電壓可防止由于關斷時浪涌電流過大而使IGBT誤導通,一般負偏置電壓選一5V為宜。另外,IGBT開通后驅動電路應提供足夠的電壓和電流幅值,使IGBT在正常工作及過載情況下不致退出飽和導通區而損壞。

2)IGBT快速開通和關斷有利于提高工作頻率,減小開關損耗。但在大電感負載下IGBT的開關頻率不宜過大,因為高速開通和關斷時,會產生很高的尖峰電壓,極有可能造成IGBT或其他元器件被擊穿。

3)選擇合適的柵極串聯電阻RG和柵射電容CG對IGBT的驅動相當重要。RG較小,柵射極之間的充放電時間常數比較小,會使開通瞬間電流較大,從而損壞IGBT;RG較大,有利于抑制dvce/dt,但會增加IGBT的開關時間和開關損耗。合適的CG有利于抑制dic/dt,CG太大,開通時間延時,CG太小對抑制dic/dt效果不明顯。

4)當IGBT關斷時,柵射電壓很容易受IGBT和電路寄生參數的干擾,使柵射電壓引起器件誤導通,為防止這種現象發生,可以在柵射間并接一個電阻。此外,在實際應用中為防止柵極驅動電路出現尖峰,最好在柵射間并接兩只反向串聯的穩壓二極管,其穩壓值應與正負柵壓相同。


3 HCPL-316J驅動電路
3.1 HCPL-316J內部結構及工作

HCPL-316J的內部結構如圖1所示,其外部引腳如圖2所示。

 


從圖1可以看出,HCPL-316J可分為輸入IC(左邊)和輸出IC(右邊)二部分,輸入和輸出之間完全能滿足高壓IGBT驅動的要求。

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