- 高頻率開關的MOSFET和IGBT柵極驅動器，可能會產生大量的耗散功率。因此，需要確認驅動器功率耗散和由此產生的結溫，確保器件在可接受的溫度范圍內工作。高壓柵極驅動集成電路（HVIC）是專為半橋開關應用設計的高邊和低邊柵極驅動集成電路，驅動高壓、高速MOSFET 而設計。《高壓柵極驅動器的功率耗散和散熱分析》白皮書從靜態功率損耗分析、動態功率損耗分析、柵極驅動損耗分析等方面進行了全面介紹。圖 1 顯示了 HVIC 的典型內部框圖。主要功能模塊包括輸入級、欠壓鎖定保護、電平轉換器和輸出驅動級。柵極驅動器損耗
- 關鍵字：
MOSFET IGBT 柵極驅動器 功率耗散
- 在電子電路設計中，散熱設計是非常重要的一項指標。但在很多設計環境下，空間的狹小程度限制了散熱功能設計與發揮。在大功率電源MOSFET當中這種情況尤
- 關鍵字：
大功率電 MOSFET 功率耗散
- 在將一個運算放大器設計成為全新應用時經常被問到的兩個問題是：
1.他的功率耗散“典型值”是多少?在我的第一個帖子進行了介紹。
2.他的功率耗散“最大值”是多少?
應該在目標電路中評估運算放大器的最大功率。我們假定放大器運行的第一種情況是這樣的。我們將最低負載電阻RL加載到輸出上，正如OPA 316電氣特性表中所列出的那樣。這個表格中列出的值為2 k?(紅色橢圓中的值)。
當VS和 IQ為最大值，并且輸出
- 關鍵字：
運算放大器 功率耗散
- 摘要：本文討論了UCSP封裝的功率耗散能力和其相對于其他封裝是如何限制輸出功率的。關鍵詞：UCSP封裝；功率耗散
UCSP 封裝UCSP(晶片級封裝)是一種封裝技術，它消除了傳統的密封集成電路(IC)的塑料封裝，直接將硅片焊接到PCB上，節省了PCB空間。但也犧牲了傳統封裝的一些優點，尤其是散熱能力。大多數音頻放大器的封裝都帶有一個裸露焊盤，使IC底層直接連接到散熱器或PCB地層。這種設計為IC到周圍環境提供了一條低熱阻的導熱通道，避免器件過熱。使用UCSP封裝，IC通過底部焊球直接焊接到PCB上，因而
- 關鍵字：
0706_A 雜志_設計天地 模擬技術 電源技術 UCSP封裝 功率耗散 封裝
功率耗散介紹
您好，目前還沒有人創建詞條功率耗散!
歡迎您創建該詞條，闡述對功率耗散的理解，并與今后在此搜索功率耗散的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
