據中國國防科技信息網報道，美國射頻微系統公司(RFMD)日前推出世界首個用于制造射頻功率晶體管的碳化硅基氮化鎵晶圓，以滿足軍用和商用需求。該公司實現了從現有高產量、6寸砷化鎵晶圓生產向6寸氮化鎵晶圓生產和研發的轉變，以降低成本滿足不斷增長的氮化鎵器件市場需求。

　　RFMD公司總裁兼首席執行官鮑勃稱：“我們很高興在RFMD公司的現有高產量6寸砷化鎵生產線上推出業界首款6寸碳化硅基氮化鎵射頻技術。氮化鎵器件和砷化鎵器件在制造上的合并是我們“砷化鎵中氮化鎵代工廠”策略的一部分，以使現存生產能力通過制造創新型氮化鎵基產品抓住增長機會。”

　　根據行業分析公司--策略數據公司的數據，2017年氮化鎵微電子市場將是現在的三倍，達到3.34億美元，年復合增長率(CAGR)達到28%。該市場由軍用(雷達、電子戰、通信)和商用(電源管理、蜂窩通信、有限電視、移動式無線電通信)共同推動。

　　RFMD公司功率寬帶部門副總裁杰夫博士稱：“利用我們在6寸砷化鎵制造技術的領先地位和高產量的專業知識，RFMD公司有能力增加6寸氮化鎵制造能力，來推出新的射頻功率產品，以此加速我們在通信、有線電視、能量轉換、雷達、干擾、宇航和代工業務中的利潤增長。”

　　氮化鎵技術可在有限芯片體積內支持寬頻帶和高擊穿電壓。6寸氮化鎵晶圓所能提供的有效面積是4寸氮化鎵晶圓的2.5倍，因此每個晶圓所產出的射頻功率器件數也增加2.5倍。晶圓面積越大，由此帶來的每個芯片成本更低，是為軍用和商用提供廉價、高性能單片毫米波集成電路(MMIC)的關鍵。RFMD公司預計在2014年將完成對6寸氮化鎵平臺的驗證。