飛思卡爾半導體日前宣布為其Airfast RF功率解決方案旗艦系列推出了多個最新成員：包括三個LDMOS功率晶體管和一個氮化鎵(GaN) 晶體管，所有產品均超越了嚴格的地面移動市場要求，具有超強耐用性。

　　全新Airfast LDMOS功率晶體管提供了穩定性、增益和耐用性的完美結合。 新型Airfast GaN器件主要面向多頻帶應用，減少了對大型、復雜甚至是多個無線基站需求。 綜上所述，這些解決方案為地面移動應用提供了高級設計選擇組合。

　　飛思卡爾新型AFT09MS007N、AFT09MP055N和AFT09MS015N LDMOS功率放大器的設計意圖是在極端惡劣的運行條件下完美運行，為地面移動無線射頻應用提供卓越的性能、穩定性和增益。這些器件是公共安全、專業移動無線基站和其他惡劣的M2M通信環境使用的移動VHF、UHF和700-900 MHz收發器的理想選擇。

　　即使同時讓電壓及驅動都超載來壓迫放大器及RF功率晶體管，這三款新型Airfast RF LDMOS功率產品仍能夠承受> 65:1的VSWR。他們整合了許多維持穩定性所需的電路，因此能夠簡化設計，并且在各種操作條件下都能維持穩定。飛思卡爾面向地面移動市場的最新LDMOS Airfast RF功率產品附帶全面、廣泛的參考設計，僅需少量電感器和電容器便可完成設計，與基于模塊的解決方案相比，在類似的體積內提供了更高效率和線性。另外，Airfast RF功率器件的效益通常可達65%或更高，顯著高于模塊化和競爭性的分立器件。

　　飛思卡爾高級副總裁兼RF業務部總經理Ritu Favre表示：“直到目前，工程師在開發需要大型、復雜且設計昂貴的多頻帶系統時仍然面臨巨大的挑戰。我們Airfast RF功率組合的新產品可為地面移動設計師提供卓越的寬帶性能，所有特性均封裝于超緊湊的空間。”

　　對于無線運營商和公共安全人員，能夠與多個機構通信的能力對于在發生緊急情況時采取快速、有序且高效的措施至關重要。飛思卡爾的新型Airfast AFG30S010 GaN器件的寬帶性能使單一功率放大器可以支持許多地面移動頻帶，避免了為多機構通信設計大型、昂貴、復雜的多頻帶系統的需求。AFG30S010 GaN器件具有高效、先進的熱性能，提供的功能可以減小放大器占用的空間，對于在更小的產品空間中滿足客戶需求非常關鍵。

　　產品規格

　　在手持對講機應用中，新型Airfast LDMOS器件在額定7.5 Vdc電源下運行，在移動無線應用中，新型Airfast LDMOS器件在12.5 Vdc電源下運行，同時集成ESD保護。 Airfast GaN器件在28 Vdc電源下運行。

　　AFT09MS007N、AFT09MP055N和AFT09MS015N

　　♦ 可承受> 65:1的VSWR，具有同步過壓和過載
　　♦ 優化系統可靠性，降低維護成本
　　♦ 高功率增益需要較少的階段并提高穩定性
　　♦ 更高的效率，簡化散熱并實現更小的基站。

　　AFG30S010

　　♦ 整個136-941 MHz頻帶功耗10 W
　　♦ 可承受> 20:1的VSWR，具有同步過壓和過載
　　♦ 優化系統可靠性，降低維護成本
　　♦ 避免使用復雜的保護電路，降低了總體系統成本
　　♦ 在寬泛頻率范圍內實現高效率

　　供貨

　　AFT09MS007N 7 W和AFT09MP055N 55 W器件計劃于2013年第2季度投產。AFT09MS015N 15 W和AFG03S010器件的樣品計劃于2013年第4季度供貨。