射頻(RF)功率晶體管領域的全球領先企業飛思卡爾半導體(NYSE:FSL)日前宣布了一項重大舉措，主要展示其新型和現有商用RF功率和微波RF器件如何滿足美國航空航天和國防(A&D)市場的需求。

　　飛思卡爾計劃通過全新的氮化鎵(GaN) RF功率晶體管產品、經過驗證的400多個LDMOS RF功率晶體管和砷化鎵(GaAs)單片微波集成電路(MMIC)產品支持廣泛的A&D應用。這些飛思卡爾產品將由主攻A&D市場和客戶的一個由專業人員組成的專門團隊提供支持。

　　飛思卡爾高級副總裁兼射頻業務部總經理Ritu Favre表示：“飛思卡爾擁有60多年的RF功率創新和經驗，我們希望將業務重點從我們領先的RF功率晶體管領域延伸至不斷增長的A&D市場。飛思卡爾長期以來一直在與客戶密切合作，共同創建經濟高效的解決方案，這些解決方案結合了精湛的性能、久經考驗的可靠性和極強的耐用性，A&D設備制造商將從中獲益匪淺。”

　　根據分析機構ABI Research的調查，到2018年面向全球國防市場的RF功率器件(4 GHz以下，4 W輸出以上)的銷售總額將達到1.44億(美元)。

　　ABI Research的RF器件研究總監Lance Wilson表示：“多年來，飛思卡爾一直是面向無線基礎設施的RF功率器件領域的市場領先企業。當他們進入包括A&D在內的其他RF功率市場領域時，該經驗和專業技術將為其帶來極大幫助。”

　　RF創新歷程：現在面向航空航天和國防

　　飛思卡爾的RF業務部門(前身是摩托羅拉半導體產品部門的一部分)在RF功率晶體管開發領域擁有60多年的歷史和經驗，在1952年推出了其首款器件。從那時起，它已成為面向無線基礎設施市場的LDMOS RF功率晶體管領域的全球領先企業，每年提供3000多萬件產品。飛思卡爾擁有RF功率晶體管市場的唯一設在美國的LDMOS器件制造工廠，并保留了自有的成品生產基地。

　　公司的Airfast™ LDMOS器件提供高線性、寬瞬時帶寬和先進的塑料封裝。面向商業應用進行“強化”的飛思卡爾LDMOS產品非常適合滿足A&D的要求，它能夠在大于65:1的極端負載失配(VSWR)環境中運行，并具有靜電放電(ESD)增強保護。公司推出的LDMOS器件頻率范圍可擴展至3 GHz以上，RF功率輸出可達1250 W。飛思卡爾的GaAs MMIC器件覆蓋5 GHz以上的應用，包括增益模塊放大器、功率放大器(高達4 W)和具有低至0.35 dB的噪聲指數的低噪放大器。飛思卡爾的首款GaN RF功率晶體管計劃于2013年年末上市。

　　這種獨特的經驗和世界級技術將由一支專注A&D市場(包括技術和應用支持)的RF專家團隊完善。飛思卡爾RF A&D團隊由飛思卡爾技術團隊的高級成員領導，擁有超過30年的RF功率晶體管經驗，包括從設計工程到執行管理。之前他擔任飛思卡爾RF功率業務部門的營銷總監，在市場、銷售和分銷領域擁有40年的經驗。飛思卡爾產品還將由一支由營銷、項目管理、應用、合規性和其他專業人員組成的團隊提供額外支持，該團隊主攻A&D市場和客戶。

　　已購面向A&D應用的新產品將包含在飛思卡爾長期供貨計劃中，供貨期至少為15年。