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聯華電子與美商Spansion合作技術研發與授權協議

作者: 時間:2013-03-05 來源:IC設計與制造 收藏

  雙方將共同開發整合邏輯與閃存技術,以推動高效能低功耗電子產品的問世

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/142728.htm

  與閃存解決方案領導廠商Spansion 4日共同宣布,將展開工藝研發合作,整合LP邏輯工藝,以及Spansion eCTTM (embedded Charge Trap, eCT)嵌入式電荷擷取閃存技術。此份非專屬授權協議包含了授權采用此技術為Spansion制造產品。

  Spansion嵌入式電荷擷取技術是兼具高效能、低功耗及成本效益的NOR閃存技術,且此項新技術可與先進邏輯工藝相整合,用于系統單芯片產品上。此外,該技術可微縮至以下,并可與High-k工藝結合。采用Spansion eCT技術的產品,將促進工業、汽車與消費性電子等應用產品所采用之技術,朝向更快速、更尖端的研發方向邁進。Spansion的eCT技術是擴展該公司PSS (Programmable System Solutions)產品技術藍圖的主要推手,其結合閃存與邏輯電路后,可強化需要大量使用內存,處理器與MIPS之應用產品的處理效能。

  Spansion公司總裁暨執行長John Kispert表示:「與聯華電子并肩合作,可進一步拓展Spansion的授權事業策略。藉由與聯華電子這樣的業界領導者合作,我們可更有效率地擴展本公司PSS產品技術藍圖與授權業務。除此之外,其它公司也將得以受惠于我們的電荷擷取技術,藉此跨入新市場,同時獲得更高的附加價值。」

  聯華電子營運長陳文洋表示:「聯華電子期待與Spansion公司攜手,整合我們的40納米工藝與Spansion的電荷內存技術,利用雙方優勢,共同打造業界頂尖的邏輯平臺。此次研發成果將可為不同產品市場的客戶,帶來具成本效益的創新技術解決方案。」



關鍵詞: 聯華電子 40納米

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