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SIP、3D IC和FinFET將并存

作者:王瑩 時間:2013-02-07 來源:電子產品世界 收藏

  三者未來會并行存在,各有千秋,不會出現誰排擠誰的現象。  

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/141901.htm
 

  (Mentor)電子科技有限公司亞太區技術總監李潤華稱,從系統角度看,(系統封裝)和 IC通過堆疊,可以把更多的芯片堆疊在一起,在某種程度上,以前是蓋一層樓,現在是蓋三層樓,可以提升空間密度。另外, IC可以在同一個設計上衍生出更多不同的產品,這對于IC設計企業是另外一個形成差異化的可選項。例如手機有不同的內存版本,16G,32G、64G……,將來芯片也可能通過這種方式去做不同的堆疊,形成差異化。

  目前還比較容易被市場接受。因為SIP的生態系統比較成熟,需要牽涉的設計上的調整也較小。關于 IC,新的設計會比較容易去采用,好處是可以把堆疊做到更高的效率,因為可以把芯片和芯片之間的連接做更好的優化。FinFET是在一個晶體管上做3D化,好處是空間效率更高,器件可以更小;但是在工藝上實現較難,需要對芯片和晶圓片有較大的技術突破。



關鍵詞: 明導 SIP 3D

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