聯華電子日前(21日)宣布，推出新一代80奈米小尺寸屏幕驅動芯片(SDDI)工藝，此工藝特色在于具備了晶圓專工業界最富競爭力的SRAM儲存單元。此低耗電的尖端SRAM解決方案采用了先進的設計規則，以縮小儲存單元尺寸到0.714平方微米，將比現有80奈米SDDI工藝中使用的一般0.81平方微米更加微縮許多，使智能手機得以更小芯片尺寸實現HD720/WXGA高畫質。此工藝現已準備量產，并與數家主要客戶針對HD720/WXGA畫質的智能手機產品合作中。

　　聯華電子12吋特殊技術開發處許堯凱資深處長表示，“隨著現在智能手機的快速興起，聯華電子已在特殊技術開發上位居領先者地位，使我們的客戶能夠持續推陳出新，推動功能更強的產品問世。聯華電子現有的80奈米與即將推出的55奈米SDDI工藝，可協助現有或新的客戶，推出耗電更低且畫質更高的尖端SDDI屏幕驅動芯片。”

　　聯華電子已于0.13微米工藝平臺出貨逾3億顆SDDI芯片，運用于WVGA與qHD畫質的主流智能手機，而此次推出的新一代80奈米工藝，延續且穩固了聯華電子在全球SDDI晶圓專工領域的領導者地位。除了0.13微米與80奈米SDDI工藝技術之外，聯華電子也針對了配備Full-HD屏幕的次世代智能手機，推出業界第一個55奈米SDDI工藝，將于本季開放接受客戶SDDI芯片設計開發使用。