聯華電子近日宣布，已順利驗證晶圓專工業界第一個結合12V解決方案的高壓嵌入式閃存(eFlash)工藝。此工藝可將中大尺寸之觸控IC所需的驅動高壓，以及存放算法所需的eFlash，結合于同一顆高整合度的單芯片中，并且有效地改善信噪比(SNR)。與業界所提供的其它高壓選項(例如18V、24V或32V)相比，此12V解決方案在信噪比與耗電之間，提供了絕佳的平衡。聯華電子12V eFlash技術目前已于0.11微米與0.18微米工藝上提供給客戶使用。

　　聯華電子特殊技術處陳立哲資深處長表示，“聯華電子建構了完整的技術平臺，該平臺包含了尖端技術與客戶導向的特殊技術，并能充分滿足客戶廣泛應用產品的需求。作為第一家推出整合eFlash工藝的12V至鋁工藝A+平臺之晶圓專工公司，讓我們有能力掌握中大尺寸觸控面板快速成長的市場契機。我們將與客戶攜手合作，協助其充分利用聯華電子技術所帶來的優勢。”

　　聯華電子現有0.18微米與0.11微米eFlash產品的成功經驗，為此新的12V eFlash 平臺的順利推出，打下了穩固的基礎，并可藉此協助客戶在蓬勃發展的觸控芯片市場中，加速產品上市時間，同時差異化其產品定位。聯華電子現已大量出貨eFlash晶圓，數家芯片設計公司也已經在其觸控屏幕產品上，采用并且驗證了聯華電子的12V eFlash解決方案。