以手機為例，降低模擬和數字基帶芯片等手持設備中主要器件的工作電壓是降低功耗的辦法之一。在不需要DSP或微處理器發揮最大性能的時候，可以降低內核供電電壓，并且降低時鐘頻率。越來越多的新一代低功耗應用采用了此項技術，以盡可能地節約系統能量。公式PC~(VC)2.F描述了一個DSP內核的功耗，這里，PC是內核的功耗，VC 是內核電壓，F是內核時鐘頻率。降低內部時鐘頻率可以減少功耗，降低內核供電電壓可以把功耗降得更多。

　　先進的硅片和封裝技術能起到什么作用

　　有很多音箱新興高耗電便攜式設備性能的設計因素，本文將主要以在低電壓應用中最常見的功率開關功率MOSFET為例，說明最新的硅技術突破在增加電源需求上的影響。為說明這些技術進步的影響，有必要了解功率MOSFET的一些關鍵參數。

　　通道的導通電阻(rDS(on))是由通道的橫向和縱向電場控制的。通道電阻主要由柵源電壓差決定的。當VGS超過門限電壓(VGS(th))，FET開始導通。許多操作要求開關接地點。功率MOSFET通道的電阻與由公式R= L/A確定的物理尺寸有關，這里ρ是電阻率，L是溝道長度，A是W x T，即溝道的橫截面積。