三星開發(fā)出新一代高速內存芯片
—— 能耗降低一半,速度提高一倍
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三星電子星期二稱，它已經開發(fā)出了一種新的計算機內存模塊，讀寫數(shù)據(jù)的速度是上一代內存芯片的一倍。
本文引用地址：http://www.j9360.com/article/116014.htm三星電子在聲明中稱，它將在2012年開始使用30納米級的技術生產這種新的DDR4 DRAM內存模塊。
目前DRAM內存行業(yè)的主流產品是DDR3內存模塊，其性能比DDR2產品有所提高。三星電子稱，它是DRAM內存行業(yè)第一個開發(fā)出DDR4內存芯片的廠商。
三星電子補充說，這種新的內存芯片還將把電源消耗減少一半。與DDR3內存芯片相比，DDR4內存芯片的耗電量是1.2伏，數(shù)據(jù)傳輸速度為每秒2.133GB。而DDR內存芯片的耗電量是1.35伏或者1.5伏，數(shù)據(jù)傳輸速度為每秒1.6GB。
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