繼海力士(Hynix)和惠普(HP)宣布合作開發新世代內存ReRAM(Resistive Random-Access Memory)技術和材料，爾必達(Elpida)與夏普(Sharp)亦宣布共同研發ReRAM，讓次世代內存技術研發掀起跨領域結盟熱潮，內存業者預期，未來ReRAM、3D NAND Flash、相變化內存(Phase Change RAM;PRAM)和磁性隨機存取內存(Magnetic RAM;MRAM)等次世代內存，將會有一番激烈競爭。

　　爾必達在內存領域布局越來越廣泛，2010年取得已破產的奇夢達(Qimonda)繪圖卡內存(GDDR)技術，又與飛索(Spansion)合作研發電荷捕獲 (charging-trapping)NAND Flash技術，未來可能跨足到NOR Flash市場，近期則宣布與夏普合作開發ReRAM。未來爾必達將以內存制程技術，輔以夏普最擅長的材料技術和制作工法，切入30奈米制程，最快2011年研發出ReRAM相關材料和制造技術，并由爾必達負責量產。

　　值得注意的是，海力士與惠普日前才宣布要共同開發ReRAM技術，惠普具有新的極小電子組件(Memory resistors;Memristors)技術，采用十字結構，相較于傳統內存電路，更容易在層內堆棧，藉以讓晶體管儲存更多數據，惠普已研發逾10年之久，藉由惠普的材料技術，以及海力士在內存領域量產和技術實力，雙方合作開發ReRAM芯片，預計在3年內第1款產品問世，采22奈米制程生產。

　　內存業者指出，海力士和爾必達紛攜手異業，進軍次世代內存技術領域，顯示次世代內存的材料和技術門坎相當高，需要靠異業結盟來推動產品進入量產。至于惠普和夏普會投入內存開發，主要亦是為旗下PC、手持式產品等終端產品鋪路，確保能擁有效能最佳的內存產品。

　　ReRAM是一種次世代內存技術，未來應用目標是取代NAND Flash和DRAM，ReRAM芯片能利用現有半導體制程制造，讀寫速度較NAND Flash芯片快許多，且大幅減少耗能。除ReRAM芯片外，其它次世代內存技術包括3D NAND Flash、PRAM和MRAM等，都有不同的內存大廠投入開發，都是為銜接NAND Flash和DRAM技術瓶頸，未來各種次世代內存都得經過導入量產考驗。