Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預計今年晚些時候就可以看到相關U盤、記憶卡、固態硬盤等各種產品。

　　IMFT 25nm NAND閃存于今年初宣布投產，這也是該領域的制造工藝首次進軍到30nm之下，并應用了沉浸式光刻技術。新閃存內核面積167平方毫米，每單位容量 2bit，總容量8GB，相比現有的34nm工藝閃存容量翻了一番，內核面積卻小了十分之一。

　　Intel NAND閃存業務市場經理Troy Winslow打了個比方：新閃存以不超過CD光盤中間孔的大小存儲了十倍于光盤容量的數據。

　　對于目前閃存設備容量偏小、使用壽命有限的問題，美光NAND閃存業務市場經理Kevin Kilbuck聲稱，他們將在幾個月內發布新型固態硬盤，初步解決這些問題。

　　三星宣布將在今年第二季度投產27nm NAND閃存，海力士也已經宣布了26nm NAND閃存，不過Troy Winslow表示：“我們相信Intel、美光的領先優勢即使沒有9-12個月，也有5個月。”