近期，國產半導體行業迎來一些重要突破，涉及景嘉微、龍芯中科、鎵仁半導體、連科半導體、中欣晶圓、國芯科技、瀾起科技等企業，相關技術涵蓋了GPU、MCU芯片、時鐘芯片、碳化硅、氧化鎵等多個半導體關鍵領域。

從表格中可以看出，國產企業正逐步在AI加速、功率半導體等方面實現自主可控，并努力在多個領域與國際巨頭展開更激烈的競爭，以逐步實現市場份額的擴展，推動國產芯片在全球市場中占據越來越重要的地位。

2024年12月3日，國產GPU龍頭景嘉微發布公告稱，JM11系列新款圖形處理芯片已完成流片、封裝階段工作。不過，該產品尚未完成全部測試工作，也尚未形成量產和對外銷售。

圖片來源：景嘉微公告截圖

公告顯示，景嘉微JM11系列圖形處理芯片支持國內外主流CPU，兼容Linux、Windows等國內外主流操作系統，支持虛擬化，滿足圖形工作站、云桌面、云游戲等應用領域。該系列芯片的成功流片和封裝將進一步豐富景嘉微產品線和核心技術儲備，有利于增強公司核心競爭力。

在全球GPU市場中，NVIDIA和AMD仍占據主導地位。未來，隨著技術的成熟與應用的深入，景嘉微、摩爾線程、壁仞科技、燧原科技等國產GPU企業正在加快發展步伐，有望進一步縮小與國際巨頭的差距，逐步擴大在國內外市場的份額，尤其是在云計算、大數據、人工智能等領域。

此外，景嘉微此前公告指出，公司擬作為有限合伙人擬使用自有資金向湖南鈞犀高創二期科技產業基金合伙企業（有限合伙）增資3400萬元。增資后，基金規模仍為10億元，公司作為有限合伙人認繳不超過2.34億元，基金管理公司、鈞犀資本及其他合格投資者共認繳不超過7.66億元。

該產業投資基金主要結合公司在半導體及專用市場應用領域的豐富資源，持續聚焦泛半導體產業鏈開展深度投資布局，重點挖掘面向先進計算、工控、車規和專用市場應用的投資機遇；加大在數字產業鏈、先進材料等產業鏈上游的拓展深度；面向工業、汽車智能化以及專用市場的產業鏈下游應用需求，持續挖掘優質項目并加大布局力度。

11月29日，鎵仁半導體官微宣布，公司于2024年10月在氧化鎵晶體的直拉法生長與電學性能調控方面實現技術突破，成功生長出2英寸N型氧化鎵單晶并制備出2英寸晶圓級N型（010）晶面氧化鎵單晶襯底。襯底平均電阻率＜30mΩ·cm，電阻率均勻性＜5%。

在氧化鎵單晶襯底的主流晶面中，（010）晶面因其卓越的物理特性和外延表現而備受青睞。但受限于襯底尺寸、性能及加工難度，無法在科研和產業中得到充分應用。目前鎵仁半導體制備的導電型襯底，突破了（010）晶圓尺寸的桎梏，豐富了公司的襯底產品線，夯實了氧化鎵外延和器件的科研基礎，也滿足了氧化鎵產業發展的迫切需求。

鎵仁半導體一直致力于直拉法氧化鎵晶體生長技術的研發，于今年相繼完成2英寸UID和半絕緣直拉晶體的技術突破，并成功解決了（010）晶面襯底加工技術難題，成為國際上首個也是目前唯一的2英寸（010）晶面襯底產品供應商。

業界認為，隨著碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的廣泛應用，氧化鎵作為第三代半導體材料的潛力愈發顯現。鎵仁半導體的突破，使得氧化鎵材料的產業化進程加快，預計未來將在電力電子、5G通信、電動汽車等領域找到更廣泛的應用。國內外企業也將加大對這一新型材料的研發投入，推動整個半導體產業鏈的升級。

11月28日，連城數控官微宣布，近日連科半導體8吋碳化硅（SiC）電阻式長晶爐（型號：PVT-RS-40）在客戶現場完成批量驗收，標志著連科半導體8吋電阻爐量產進入國內第一梯隊。同時，連科半導體還成功制備出了直徑超210毫米，厚度30毫米的8吋導電型碳化硅晶體，晶體表面光滑無缺陷。

圖片來源：連城數控

連科半導體的8吋碳化硅電阻式長晶爐，通過石墨電阻發熱，熱輻射傳導石墨坩堝進行加熱，可調整石墨加熱器的結構，有效的進行分區功率控制和溫場的控制，更適合生長大尺寸的碳化硅晶體。

連城數控在遼寧大連、江蘇無錫、美國羅切斯特、越南海防設立了四大研發制造基地，布局光伏與半導體裝備領域全產業鏈。在半導體裝備領域，此前10月底，連科半導體的液相法碳化硅（感應）加熱長晶爐及液相法碳化硅電阻加熱長晶爐已在客戶現場完成驗收。液相法技術在細分領域的優勢逐步凸顯，尤其適用于生長P型碳化硅襯底，可實現生長低位錯密度、高品質的碳化硅晶片，顯著提升碳化硅晶片的生產成品率并降低成本。

碳化硅作為未來電力電子設備中的關鍵材料，在新能源汽車、充電樁、光伏、儲能等領域的應用前景非常廣闊。據TrendForce集邦咨詢研究指出，未來幾年整體市場需求將維持增長態勢，預估2028年全球碳化硅功率器件市場規模有望達到91.7億美元（約648億人民幣）。

11月24日，CPU芯片設計公司國芯科技發布公告稱，公司研發的高性能AI MCU芯片新產品CCR7002于近日在公司內部測試中獲得成功。
根據公告，芯片新產品CCR7002是公司與廣東賽昉科技有限公司（以下簡稱“賽昉科技”）共同研發推出的高性能AI MCU芯片，采用多芯片封裝技術集成了賽昉科技的高性能SoC芯片子系統與公司的AI芯片子系統。

新產品CCR7002具有豐富的外部接口和多個的高速接口，如PCIE2.0、USB3.0、GMAC、SD3.0、CAN2.0、PWMT、ADC等，集成了AES、3DES、HASH、SM4、PKA和TRNG等安全引擎。并支持Linux操作系統，內部集成GPU，兼容主流攝像頭傳感器，支持H.264/H.265/JPEG編解碼和4K@30fps顯示。CCR7002芯片可以面向工業控制、能量控制、樓宇控制、智慧交通等領域實現應用。

國芯科技表示，公司和賽昉科技共同擁有該芯片新產品的知識產權。本次新產品研發成功，豐富了公司AI MCU芯片產品線，完善了公司在AI MCU芯片產品領域的布局，提高了公司在該領域的競爭力，對公司未來業績成長性預計將產生積極的影響。

數據處理及互連芯片設計公司瀾起科技近日在互動平臺表示，目前，時鐘芯片國產化程度較低，主要市場份額被少數幾家海外廠商（如Skyworks、TI、Renesas、Microchip等）占據，國產替代空間廣闊。公司今年已推出首批可編程時鐘發生器芯片系列產品，目前處于量產準備階段。

瀾起科技可編程時鐘發生器芯片具備高精度和低功耗的優點，支持多種輸出格式，可以廣泛應用于5G基站、工業自動化、汽車電子及消費電子等多個領域。

瀾起科技致力于為云計算和人工智能領域提供以芯片為基礎的解決方案。瀾起科技稱，公司未來將進一步完善時鐘芯片的布局，持續豐富相關產品料號，希望能在不遠的將來為客戶提供時鐘芯片“一站式”解決方案。

近日，龍芯中科披露投資者關系活動記錄表中顯示，龍芯中科下一代服務器芯片3C6000目前處于樣片階段，預計2025年Q2完成產品化實現批產并正式發布。

16核32線程的3C6000/S性能可對標至強4314，雙硅片封裝的32核64線程的3D6000（3C6000/D）可對標至強6338，四硅片封裝60/64核120/128線程的3E6000（3C6000/Q）剛剛封裝回來。

GPU芯片方面，目前在研的9A1000定位為入門級顯卡以及終端的AI推理加速（32TOP），顯卡性能對標AMDRX550，預計2024年底或者春節前代碼凍結，爭取明年上半年流片。

據官方介紹，龍芯9A1000支持PCIe 4.0系統總線，搭配128-bit位寬的LPDDR4X顯存。性能參數方面，像素填充率16GP/s（每秒160億個），紋理填充率32GT/s（每秒320億個），算力為FP32 1TFlops（每秒1萬億次）、FP64 64GFlops（每秒640億次）、INT8 32TFlops（每秒32萬億次）。

近日，中欣晶圓12英寸輕摻BCD硅片產品取得技術突破，良率達到行業先進水平，通過國內外客戶驗證并已實現規模量產。

中欣晶圓介紹稱，其12英寸輕摻BCD硅片產品，先進的COP Free及BMD控制晶體生長技術，以及高平坦度、潔凈度的產品加工平臺，使得產品具備優異的性能表現，未來將持續供應。

資料顯示，BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）是功率集成電路的關鍵技術，結合模擬、數字、功率三種不同技術的優勢，擁有穩定的性能表現和優異的電性參數，提高了芯片的可靠性，減少電磁干擾，擁有更小的芯片面積，廣泛應用于電源管理、模擬數據采集和功率器件等領域。

隨著集成電路工藝的進一步發展，BCD工藝已經成為功率集成電路的主流制造技術。據悉，BCD最初由意法半導體于1985年率先研制成功。目前，意法半導體依然是全球領先的BCD工藝制造商，已經生產了500萬片晶圓，售出400億顆芯片，僅2020年就售出近30億顆芯片，此前主要是350nm、180nm、110nm等，最新量產的十代工藝是90nm。

圖片來源：意法半導體官網

從國內來看，BCD技術工藝在晶圓代工行業起步較早，并已實現規模量產。其中，中芯國際、華虹半導體、華潤微、士蘭微、芯聯集成等企業在BCD工藝方面取得了突破。

業界指出，未來，BCD技術將朝著高電壓、高功率、高密度三個關鍵方向發展，滿足汽車電子、工控、消費電子等不同應用場景對高電壓耐受、小型化、高集成度等的需求。