據中國貿易救濟信息網7月29日消息，美國英飛凌科技（Infineon Technologies Americas Corp.）、美國英飛凌技術奧地利公司（Infineon Technologies Austria AG）根據《美國1930年關稅法》第337節規定向美國際貿易委員會（ITC）提出申請，指控中國氮化鎵(GaN)芯片廠商英諾賽科及其子公司對美出口、在美進口及銷售的特定半導體器件及其下游產品（Certain Semiconductor Devices and Products Containing the Same）侵犯了其專利，違反了美國337條款。

此次受指控公司包括：英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（Innoscience (Suzhou) Technology Company, Ltd. ）、英諾賽科（蘇州）半導體有限公司（Innoscience (Suzhou) Semiconductor Co., Ltd.）、英諾賽科（珠海）科技有限公司（Innoscience (Zhuhai) Technology Company, Ltd.）、美國英諾賽科（Innoscience America, Inc. of Santa Clara,CA）。

早在今年3月，英飛凌就通過其官網發布公告稱，為防止自己擁有的與氮化鎵技術相關的美國專利受到侵犯，已對英諾賽科提起訴訟，且正在尋求永久禁令。涉及起訴的專利權利要求涵蓋了氮化鎵功率半導體器件的核心方面，其中包括可實現英飛凌專有的氮化鎵器件可靠性和性能的創新。

值得一提的是，在2023年5月25日，美國氮化鎵（GaN）技術廠商宜普電源轉換公司（Efficient Power Conversion Corporation，以下簡稱宜普公司或EPC）也向美國聯邦法院和美國國際貿易委員會提起訴訟，指控英諾賽科及其子公司侵犯了EPC面向氮化鎵功率半導體器件的四項核心技術專利，專利號分別為8,350,294、8,404,508、9,748,347和10,312,335。

2024年7月8日，EPC發布聲明稱，美國ITC最新確認其兩項關鍵專利（294號和508號專利）有效，并且判定英諾賽科和其子公司英諾賽科美國公司侵犯了EPC的294號美國專利。而另一項508號美國專利則未受到英諾賽科侵權。美國ITC這項最終決定預計將于2024年11月5日發布。

資料顯示，成立于2015年12月英諾賽科，是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵研發與產業化的中國高新技術企業，公司采用IDM全產業鏈模式，集芯片設計、外延生長、芯片制造、測試與失效分析于一體，主要產品涵蓋從低壓到高壓（15V-1200V）的氮化鎵功率器件。

在市場份額方面，根據弗若斯特沙利文的數據，按收入計，英諾賽科于2023年在全球所有氮化鎵功率半導體公司中排名第一，按收入計市場份額為33.7%。

在專利積累方面，截至2023年12月31日，英諾賽科在全球有約700項專利及專利申請（已經獲得的專利累計為213項，其中包括173項發明專利），涵蓋芯片設計、器件結構、晶圓制造、封裝及可靠性測試等關鍵領域。

編輯：芯智訊-浪客劍