10月16日消息，近日，關于晶圓代工廠力積電赴日本建設12英寸晶圓廠計劃迎來新進展。最新的傳聞顯示，力積電日本12英寸晶圓廠將會落腳于日本三重縣，與鄰近的工業大城名古屋、聯電日本廠區連接成半導體新聚落，等待日本官方補助案落實后，該項目就將正式啟動。

據了解，相關半導體設備廠近期傳出消息稱，力積電與日本 SBI 控股株式會社（簡稱“SBI”）合作的日本新廠將選址在三重縣，主要原因有兩個方面：一個是工業大城名古屋就在隔壁，不論是原材料或晶圓出口都具備交通優勢。第二，聯電此前收購富士通半導體12英寸晶圓廠USJC，正好位于三重縣桑名市，代表當地已具備半導體晶圓制造人才，若選在此地則具備產業群聚效應，不論是在招募人力或材料進出口都已有一定基礎，可讓建廠與生產更順利。

今年7月，力積電就宣布與SBI達成協議，雙方計劃攜手在日本境內建設 12 吋晶圓代工廠，結合日本政府及產業資源，共同參與日本強化半導體供應鏈的發展計劃。

力積電預期，在日本合作設立的晶圓廠將會基于22／28nm制程，加上晶圓堆疊（Wafer on Wafer）技術，以應對未來AI市場需求發展。外媒日前也披露，力積電與SBI合作的日本新廠將獲日本政府補助1,400億日元。

據了解，力積電與SBI合作在日本設廠，將會循多年前力積電在大陸官方合作設立的晶合集成模式，即由力積電提供建廠及產線營運等經驗，待一切上軌道后，才會逐步淡出合作設立的晶圓廠，后續可能以持股模式參與在日本合設的晶圓廠。

編輯：芯智訊-浪客劍