來源：界面新聞

南大光電3月21日在投資者互動平臺表示，公司控股子公司寧波南大光電材料有限公司研發的ArF光刻膠，已在下游客戶存儲芯片50nm和邏輯芯片55nm技術節點的產品上通過認證，成為國內通過客戶驗證的第一只國產ArF光刻膠。目前有多款產品正在多家客戶進行認證。

南大光電：ArF光刻膠驗證難度大

近日，南大光電發布了公司的一個調研紀要，在紀要中他們表示。公司研發的 ArF 光刻膠正在多家下游主要客戶穩步推進。

但他們也進一步指出，光刻膠是客制化產品，他們針對每家客戶的不同需求開發多款產品進行驗證。因是進口替代，所以他們能研發的產品需要適應客戶端的工藝參數，留給他們的調整空間很小，所以驗證難度大。不過，他們也強調目前驗證進展順利，公司也將抓緊推進市場拓展工作，爭取盡快實現批量銷售。

南大一份公告，揭露國產光刻膠的“難”

近日，南大光電發布了幾份公告，就公司發布債券的相關問詢向深圳證券交易所回復。在這些回復中，除了深入解讀證券交易所關注的半導體先進制程用前驅體產品產業化項目、高純磷烷、砷烷擴產及砷烷技改項目、電子級三氟化氮項目的相關問題外，還談及了公司之前募資所專注的光刻膠項目。

從這個回答，我們可以看到國產光刻膠的“難”。

首先在關鍵設備采購方面，南大光電表示，實現 14-90nm 制程芯片用光刻膠產業化是前次募投光刻膠的主要任務和目標。而缺陷檢測設備系 28nm 以下制程芯片用光刻膠制備所必需的設備。事實上，公司已和美國供應商確立合作意愿，但目前交貨周期需要延長，具體交付時間尚存不確定性，且該設備在當時環境下確實需要依賴進口。

“缺陷檢測設備的缺失給 28nm 以下制程芯片用光刻膠產品產業化帶來困難，進而影響了整體募投項目實施進度?！蹦洗蠊怆姺矫鎻娬{。

他們同時指出，公司曾嘗試采取委托外包方式解決這一問題。但 28nm 以下制程芯片用光刻膠若采用委外檢測，則會導致參數性能的較大不確定性，自主控制和調試難度較高，且由于目前國內 28nm 以下制程用光刻膠缺陷檢測設備主要集中在下游客戶處，因此檢測成本也將難以有效控制，故不做首選方案。

南大同時也在積極考慮切換其他供應渠道。通過不同渠道對比，公司了解到目前已有國產設備正在測試且即將實現商用。出于使用指導、設備維護、維修便捷等因素，公司正在評估和考慮選擇國產設備供應。

南大光電在公告中表示，光刻膠項目所需的光刻車間已建成，本次募投項目所需的主要先進光刻設備，如 ASML 浸沒式光刻機、CD-SEM（特征尺寸測量用掃描電子顯微鏡）、涂膠顯影一體機等已經完成安裝并投入使用。已經生產出多款樣品發往下游客戶驗證，已具備了 ArF 光刻膠及配套材料產業化的基本條件。

在問到“有關客戶驗證需求變化、公司實際經營情況”的相關問題時。南大回應道，因客觀市場和公司經營情況發生的變化，目前實際情況與 2021 年募資時回復材料內容披露的情況存在部分差異。

一方面，由于進口原材料供應受到國際貿易影響，下游集成電路客戶驗證需求和驗證標準都發生了變化；同時，光刻膠規格不符、質量不穩定會導致芯片產品良率的大幅下降，因此各晶圓廠對光刻膠替換所持的謹慎態度，綜合導致部分產品驗證進度放緩，雖然部分制程產品產線基本建設完畢，但產品驗證完成后產量才能逐步爬坡。且由于公司主要晶圓廠客戶驗證標準變化，在批次產品穩定性上需要投入更多精力。

南大光電進一步解析說，公司前次募投擬產業化的 193nm ArF 光刻膠產品目前仍然需要經過較長時間的客戶驗證，才能達到可批量生產的相對成熟狀態。且由于下游需求的差異性和復雜性，發行人目前送驗的產品種類也無法完全覆蓋下游不同客戶的不同工藝、不同環節的用膠需求。因此，即使發行人目前主打的 ArF 光刻膠細分產品種類產業化推進順利，仍然面臨來自進口企業及其他國產供應商的市場競爭壓力。

目前，國內比較成熟的晶圓廠在驗證國產光刻膠時大多采用“替代型驗證”，即要求國產產品在光刻，刻蝕，OPC 修正等性能方面同 Fab 廠現在使用的光刻膠能夠完全匹配，高端制程誤差要求在+/- 2nm 范圍內，以滿足其現有產線、工藝的要求，減少其調試成本。同時，因使用芯片制程、用途不同，即便同為 193nm ArF 光刻膠，不同客戶的不同產線、工藝等也會對參數要求大不相同，對應光刻膠產品的配方就會有所區別。

例如 LANs base 線條層由于線條寬窄、布線規模、線條間距等不同，對光刻膠的需求均不一樣；Hole 孔柱用光刻膠因孔型大小不同也對參數有特別規定；Metal 金屬布線層在 Fab 端從圖片到出品，需要經過多遍以上全生產過程，每遍所要求的參數也有不同。此外，存儲芯片、邏輯芯片等不同芯片類型對光刻膠的驗證要求也存在差異。

因此，公司 ArF 光刻膠產品除需要除針對不同客戶需求開展產品驗證外，又由于上述不同工藝、不同環節所產生的不同使用需求，即使針對同一客戶也需要多款產品同時送驗，并逐一進行單獨驗證，甚至需要多種產品組的綜合驗證通過后才會被采用。因此，盡管在 193nm ArF 光刻膠領域公司目前具有一定的先發優勢，但若未來公司未能準確把握下游市場需求變化、及時調整研發和產業化重點，或因未能及時生產、調試出符合不同廠商、不同工藝、不同環節所需的產品，則公司仍存在喪失市場先機，進而在高端光刻膠領域相對其他國產供應商領先優勢減小的風險。

盡管近年來國內光刻膠市場保持了良好的增長趨勢，但以 ArF 光刻膠為代表的高端光刻膠領域國內市場份額仍然較小，長期為國外巨頭所壟斷。根據華經產業研究院統計，2021 年全球光刻膠市場份額中，日本廠商東京應化、合成橡膠（JSR）、住友化學及富士膠片的市場占有率合計達到 60%，美國陶氏化學市占率 17%，韓國東進 11%。在 ArF 光刻膠領域，合成橡膠（JSR）以 24%的市場份額位居全球第一，國內 ArF 光刻膠幾乎全部依賴進口，日本及美國公司占據了絕對主導地位。

這種高端光刻膠長期為國外企業壟斷的狀況，使我國芯片制造一直處于“卡脖子”困境，亟待實現國產替代。由于高端光刻膠的保質期很短（通常只有 6 個月左右甚至更短），一旦遇到進口“限供”甚至“斷供”，勢必面臨國內芯片企業短期內全面停產的嚴重不利局面。因此這也對國產替代產品提出了更高要求，例如在產品的應用兼容度、性能穩定性、雜質純度等諸多方面，目前既要趕超進口產品，還要滿足下游晶圓廠的產線技術要求；原本是對單項產品性能、參數開展獨立驗證，目前也增加至多種產品組的綜合驗證通過后方可采用。因此，下游客戶原材料供應需求的變化使得其對送驗產品的需求也發生了變化，進而直接影響了發行人研發、驗證工作的進行。

南大同時指出，由于光刻膠（特別是 193nmArF 及 EUV 等高制程芯片用光刻膠）系研發和產業化難度極高的精細化學品，在分辨率（關鍵尺寸大?。?、對比度（曝光區到非曝光區過渡的陡度）、敏感度（最小曝光量）、粘滯性（膠體厚度）、粘附性（黏著于襯底的強度）、抗蝕性（保持粘附性的能力）、表面張力、存儲和傳送方面都具有多元化且極高的要求，同時對樹脂型聚合物、光引發劑、溶劑、活性稀釋劑及其他助劑等原材料的要求也非常苛刻，光刻膠規格不符、質量不穩定會導致芯片產品良率的大幅下降，因此各晶圓廠對光刻膠大規模替換普遍持謹慎態度。

另一方面，新冠疫情也對公司實際經營造成較大影響，具體體現在驗證效率降低、委外檢測實施困難以及設備維修難度增大等方面。對于市場、客戶需求的變化，公司在前次募資驗證時無法充分預計，因此未能考慮在內，致使目前實際實施進度不及預期，對此，公司自身也做出了適當調整。為增加光刻膠項目產品銷量、提升產品市場地位，隨著研發和產業化重點的調整轉移，原有部分在驗證產品的驗證進度也會受到影響。