近日，華中科技大學與湖北九峰山實驗室的研究團隊在光刻膠技術領域取得重大進展，成功突破“雙非離子型光酸協同增強響應的化學放大光刻膠”技術。

在半導體制造環節，光刻膠是不可或缺的材料，其質量和性能是影響集成電路電性、成品率及可靠性的關鍵因素。但光刻膠技術門檻高，市場上制程穩定性高、工藝寬容度大、普適性強的光刻膠產品屈指可數。當半導體制造節點進入到100nm甚至是10nm以下，如何產生分辨率高且截面形貌優良、線邊緣粗糙度低的光刻圖形，成為光刻制造的共性難題。

為此，華中科技大學與九峰山實驗室聯合研究團隊通過巧妙的化學結構設計，以兩種光敏單元構建“雙非離子型光酸協同增強響應的化學放大光刻膠”，最終得到光刻圖像形貌與線邊緣粗糙度優良、space圖案寬度值正態分布標準差（SD）極小（約為0.05）、性能優于大多數商用光刻膠。且光刻顯影各步驟所需時間完全符合半導體量產制造中對吞吐量和生產效率的需求。

依托九峰山實驗室工藝平臺，該自主研發的光刻膠體系已完成產線初步工藝驗證，并同步完成了各項技術指標檢測優化，成功打通從技術研發到產業轉化的全流程。該研究成果有望為光刻制造的共性難題提供明確的方向，同時為EUV光刻膠的著力開發做技術儲備。