中國芯片企業起步較晚，在發展中屢屢遭受國際巨頭的“專利圍剿”，通過支持重點企業的兼并重組及海外收購，培育具有核心競爭力的大型企業，無疑是明智的手段，也是最有效的手段。
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Soitec FD-SOI
全球領先的絕緣硅(SOI)晶圓制造商法國Soitec半導體公司今日在北京舉辦的新聞發布會中介紹了該公司在中國市場的發展歷史、全耗盡絕緣硅(FD-SOI)基板的成熟性和生產及準備狀態、FD-SOI的最新進展及其生態系統。與會發言人包括Soitec公司市場和業務拓展部高級副總裁Thomas Piliszczuk， 以及Soitec公司數字電子商務部高級副總裁Christophe Maleville。會上主要討論的問題包括該技術是否適合各代工廠及應用設計師廣泛使用，更重要的是，該技術如何解決中國半導體行業及
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Soitec FD-SOI
蘋果(Apple)宣布以182萬美元從美信半導體(Maxim Integrated)買下位于加州圣荷西的一座8吋晶圓廠。專家分析認為，此舉并不會影響與蘋果合作的晶圓代工廠生意。
據SemiWiki報導指出，SEMI World Fab Watch Database資料顯示，蘋果買下的晶圓廠于1987年建立，即使全面開工每月也只能生產1萬片晶圓，規模相對小且老舊，無法生產蘋果所需的應用處理器(AP)。
蘋果最新AP采16/14納米FinFET制程，而10納米制程也正在開發中。8吋晶圓近日才微
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三星 FD-SOI
DIGITIMES Research觀察，大陸半導體產業近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有時也稱Ultra-Thin Body;UTB)制程技術，包含拜會關鍵晶圓片底材供應商、簽署相關合作協議、于相關高峰論壇上表態等。大陸選擇FD-SOI路線，而非臺積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場效電晶體)路線，估與手
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半導體 FD-SOI
今年由歐洲兩大主要研發中心——法國CEA-Leti和比利時IMEC舉辦的年度開放日活動剛好都在六月的同一時期舉行。但這種時程的沖突并不是有意的，至少Leti是這么認為。Leti的一位官方代表指出，“在過去七年來我們一直是在六月的同一周舉行年度活動。對他們來說，我們的排程應該不是什么秘密。”
Leti位于法國格勒諾布爾市創新園區的核心地帶
不過，位于格勒諾布爾的Leti Days和位于布魯塞爾的IMEC技術論壇這兩大
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FD-SOI 物聯網
可控石墨烯薄膜制備方面取得新進展：設計了Ni/Cu體系，利用離子注入技術引入碳源，通過精確控制注入碳的劑量，成功實現了對石墨烯層數的調控，有助于實現石墨烯作為電子材料在半導體器件領域真正的應用。
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石墨烯 SOI
美國時間7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺，成為全球第一家實現22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。
FD- SOI技術仍然采用平面型晶體管，目前并不為業內看好，因為無論Intel還是三星、臺積電，22n時代起就紛紛轉入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技術實力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術，22nm上只能繼續改進平面型，20nm上努力了一
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FD- SOI FinFET
格羅方德半導體(GLOBAL FOUNDRIES)今日發布一種全新的半導體工藝，以滿足新一代聯網設備的超低功耗要求。“22FDX™”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當，為迅速發展的移動、物聯網、RF連接和網絡市場提供了一個最佳解決方案。
雖然某些設備對三維FinFet晶體管的終極性能有要求，但大多數無線設備需要在性能、功耗和成本之間實現更好的平衡。22FDX 采用業內首個22nm二維全耗盡平面晶體管技術(FD-SOI)工
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格羅方德 FD-SOI
GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工藝平臺，全球第一家實現22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。 FD-SOI技術仍然采用平面型晶體管， 目前并不為業內看好，因為無論Intel還是三星、臺積電，22n時代起就紛紛轉入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技 術實力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術，22nm上只能繼續改進平面型，20nm上努力了一陣放棄了，14nm索性直接借用三星的。
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GlobalFoundries FD-SOI
在我們大多數人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導體業者應該不是選擇FinFET就是FD-SOI制程技術;不過既然像是臺積電(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圓代工廠，必須要同時提供以上兩種制程產能服務客戶，有越來越多半導體制造商也正在考慮也致力提供“兩全其美”的制程技術。
例如飛思卡爾半導體(Freescale Semiconductor)最近就透露，該公司正在14至16奈米節點采用
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FinFET FD-SOI
身為記者，我有時候會需要經過一系列的資料收集──通常包含非正式評論、隨機事實(random facts)、推特文章、研討會/座談會資料或是公關宣傳稿，然后才能把許多線索串聯在一起;全空乏絕緣上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator，FD-SOI)就是一個例子。
我從美國旅行到中國接著又到歐洲，在與電子產業人士討論技術的過程中，發現FD-SOI從一個不容易了解的名詞，逐漸變得越來越“有形”。關于這個技術，我在最近這幾個星期所收集到的隨機
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晶圓 FD-SOI
Peregrine半導體公司是射頻 SOI(絕緣體上硅)技術的奠基者和先進射頻解決方案的先驅，宣布在大中華市場推出該公司的新系列UltraCMOS?單片相位和幅度控制器(MPAC)。MPAC產品中集成了一個90度混合分離器、移相器、數字步進衰減器以及一個數字SPI接口，全部做在一塊芯片上。與多芯片的砷化鎵(GaAs)解決方案比較，這種單片射頻控制器的線性度高，隔離性能好，能夠控制很大的功率，相位調諧靈活性極強，對于兩路動態負載調制放大器結構，例如多爾蒂(Doherty)功率放大器，是理想的射頻控制方案
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Peregrine SOI MPAC
全球領先的200mm純晶圓代工廠-華虹半導體有限公司(「華虹半導體」或「公司」，連同其附屬公司，統稱「集團」)今日宣布推出全新的0.2微米射頻SOI (絕緣體上硅)工藝設計工具包(Process Design Kit，PDK)。這標志著新的0.2微米射頻SOI工藝平臺已成功通過驗證，并正式投入供客戶設計開發使用。工藝設計工具包(PDK)的推出可協助客戶快速完成高質量射頻器件的設計與流片。
華虹半導體的0.2微米SOI工藝平臺是專為無線射頻前端開關應用優化的工藝解決方案。相比基于砷化鎵(GaAs)
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華虹半導體 SOI
橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體公布了2013年可持續發展報告(Sustainability Report)。意法半導體連續17年公布可持續發展報告。報告內容全面地介紹意法半導體在2013年實施的可持續發展戰略、政策和業績，并例證了可持續發展計劃如何在企業經營中發揮重要作用，為所有的利益相關者創造價值。
意法半導體公司總裁兼首席執行官Carlo Bozotti表示：“意法半導體在很早之前就認識到了可持續發展的重要性，20年來，可持續發展已成為意法半導體核心戰略的
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意法半導體 FD-SOI 可持續發展
電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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IBM RF芯片 代工升級 制程技術 SiGe SOI
soi介紹
SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導體薄膜，SOI材料具有了體硅所無法比擬的優點：可以實現集成電路中元器件的介質隔離，徹底消除了體硅CMOS電路中的寄生閂鎖效應；采用這種材料制成的集成電路還具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡單、短溝道效應小及特別適用于低壓低功耗電路等優勢，因此可以說SO [
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