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sic mosfet 文章 進入sic mosfet技術社區

英飛凌推出全新600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，適用于高成本效益的先進電源應用

  • 英飛凌科技股份公司近日推出600 V CoolMOS??8?高壓超結（SJ）MOSFET產品系列。該系列器件結合了600 V CoolMOS??7 MOSFET系列的先進特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7?和?S7產品系列的后續產品。全新超結MOSFET實現了具有高成本效益的硅基解決方案，豐富了英飛凌的寬帶隙產品陣容。該系列產品配備集成式快速體二極管，適用于服務器和工業開關模式電源裝置（SMPS）、電動汽車充電器、微型太陽能等廣泛應用。這些元件采
  • 關鍵字： 英飛凌  oolMOS 8  SJ  MOSFET  電源應用  

瞻芯電子：第三代SiC MOSFET通過車規認證

  • 6月23日，瞻芯電子宣布，公司基于第三代工藝平臺開發的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產品已經通過車規級可靠性(AEC-Q101)測試認證。同時，瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產，后續將依托浙江義烏的車規級SiC晶圓廠推出更多第三代SiC MOSFET產品。瞻芯電子成立于2017年，是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導體領域的高科技芯片公司，致力于開發碳化硅(SiC)功率器件、驅動和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模塊產品。瞻芯電子表示，第三代1200V 13
  • 關鍵字： 瞻芯電子  SiC  MOSFET  車規認證  

英飛凌推出CoolSiC MOSFET 400V，重新定義AI服務器電源的功率密度和效率

  • 隨著人工智能（AI）處理器對功率的要求日益提高，服務器電源（PSU）必須在不超出服務器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率，這主要是因為高級GPU的能源需求激增。到本十年末，每顆高級GPU芯片的能耗可能達到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應用和相關特定客戶需求的出現，促使英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）開發電壓650 V以下的SiC MOSFET產品。現在，英飛凌基于今年早些時候發布的第二代（G2）CoolSiCTM技術，推出全新CoolSiC??MOS
  • 關鍵字： 英飛凌  CoolSiC MOSFET  AI服務器電源  

英飛凌推出集成高精度溫度傳感器的新型600V CoolMOS S7TA MOSFET

  • 全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出適用于汽車功率管理應用的600 V CoolMOS? S7TA超級結MOSFET。S7TA專為滿足汽車電子部件的特殊要求而設計，其集成溫度傳感器在工業應用同類產品（CoolMOS? S7T）取得的進步基礎上，顯著提高了結溫傳感的精度，因此具有諸如更高的耐用性、安全性和效率等對于汽車領域至關重要的優勢。與同系列中的工業級產品一樣，車規級CoolMOS? S7TA?尤其適合固態繼電器（SSR）應用。它具有出色的RDS(on)?
  • 關鍵字： 英飛凌  溫度傳感器  CoolMOS  MOSFET  

2023年SiC功率元件營收排名，ST以32.6%市占率穩居第一

  • 據TrendForce集邦咨詢研究顯示，2023年全球SiC功率元件產業在純電動汽車應用的驅動下保持強勁成長，前五大SiC功率元件供應商約占整體營收91.9%，其中ST以32.6%市占率持續領先，onsemi則是由2022年的第四名上升至第二名。TrendForce集邦咨詢分析，2024年來自AI服務器等領域的需求則顯著大增，然而，純電動汽車銷量成長速度的明顯放緩和工業需求走弱正在影響SiC供應鏈，預計2024年全球SiC功率元件產業營收年成長幅度將較過去幾年顯著收斂。作為關鍵的車用SiC MOSFE
  • 關鍵字： SiC  功率元件  ST  

碳化硅的新爆發

  • 隨著全球對于電動汽車接納程度的逐步提升，碳化硅（SiC）在未來十年將會迎來全新的增長契機。預計將來，功率半導體的生產商與汽車行業的運作方會更踴躍地參與到這一領域的價值鏈建設里。SiC 作為第三代半導體以其優越的性能，在今年再次掀起風潮。6 英寸到 8 英寸的過渡推動由于截至 2024 年開放 SiC 晶圓市場缺乏批量出貨，因此 8 英寸 SiC 平臺被認為具有戰略性意義。SiC 具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度和高遷移率等特點，是良好的半導體材料，目前已經在汽車電子、工業半導體等領域有
  • 關鍵字： SiC  

純電車需求放緩 SiC功率組件業年營收動能降溫

  • 在純電動汽車應用的驅動下，根據TrendForce研究顯示，2023年全球SiC功率組件產業保持強勁成長，但2024年純電動汽車銷量成長速度的明顯放緩與工業需求走弱，預估今年全球SiC功率組件產業營收年成長幅度將較過去幾年顯著收斂。根據TrendForce研究顯示，2023年全球前5大SiC功率組件供貨商約占整體營收91.9%，其中ST以32.6%市占率持續領先，onsemi則是由2022年的第4名上升至第2名。 TrendForce表示，作為關鍵的車用SiC MOSFET供貨商，ST正在意大利卡塔尼亞打
  • 關鍵字： 純電車  SiC  功率組件  TrendForce  

GaN“上車”進程加速，車用功率器件市場格局將改寫

  • 根據Yole機構2024 Q1的預測，氮化鎵 (GaN) 功率半導體器件市場2023至2029年平均復合年增長 (CAGR) 將高于45%，其中表現最為搶眼的是汽車與出行市場（automotive & mobility），“從無到有”，五年后即有望占據三分之一的GaN應用市場（圖1）。而相比之下，碳化硅（SiC）應用市場成長則顯得比較溫和，CAGR遠低于GaN（圖1）。隨著GaN“上車”進程加速，功率器件器件市場競爭格局或將被改寫。圖1：在GaN市場份額變化中，汽車與出行市場 “從無到有”，五年后
  • 關鍵字： GaN  車用功率器件  Transphorm  SiC  

一文了解SiC MOS的應用

  • 作為第三代半導體產業發展的重要基礎材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統電力轉換效率，并且降低對熱循環的散熱要求。在電力電子系統中，應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件，可以實現更低的開關和導通損耗，同時具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統效率及功率密度，從而降低系統綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對比一、行業典型應用碳化硅MOSFET的主要應用領域包括：充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機、新能源汽車空調、新能
  • 關鍵字： SiC  MOS  碳化硅  MOSFET  

新型OptiMOS 7 MOSFET改進汽車應用中的導通電阻、設計穩健性和開關效率

  • 英飛凌科技股份公司正在擴大其用于汽車應用的下一代OptiMOS? 7 MOSFET產品組合，在40 V?產品組合中新增了采用穩健且無鉛封裝的器件，并且推出了80 V和100 V型號的OptiMOS? 7 MOSFET。這些MOSFET針對各項標準和未來的48 V汽車應用進行了優化，包括電動助力轉向、制動系統、新區域架構中的功率開關、電池管理、電子保險絲盒，以及各種12 V和48 V電氣系統應用中的直流/直流和BLDC驅動器等。這些產品還適用于輕型電動汽車（LEV）、電動二輪車、電動踏板車、電動摩
  • 關鍵字： 英飛凌科技  汽車應用  OptiMOS? 7   MOSFET  

使用先進的SPICE模型表征NMOS晶體管

  • 為特定CMOS工藝節點設計的SPICE模型可以增強集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫了一系列關于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章，但如果我們的主要目標是準確模擬集成電路MOSFET的電學行為，那么結合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中，我將介紹下載用于IC設計的高級SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過程。然后，我們將使用下載的模型對NMOS晶體管進
  • 關鍵字： CMOS，MOSFET  晶體管，Spice模型  

低導通電阻SiC器件在大電流高功率應用中的優越性

  • 眾所周知，SiC作為一種性能優異的第三代半導體材料，因其高擊穿場強、寬禁帶寬度、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等特性可以輔助電子器件更好地在高溫、高壓、高頻應用中使用，可有效突破傳統Si基半導體材料的物理極限。目前使用最廣泛的SiC開關器件是SiC MOSFET，與傳統Si IGBT相比，SiC材料的優異性能配合MOSFET單極開關的特點可以在大功率應用中實現高頻、高效、高能量密度、低成本的目標，從而推動電力電子系統的發展。圖1: 碳化硅器件應用范圍示意圖1圖2: 典型應用場景對應的功率等級2從技術上講，
  • 關鍵字： 低導通電阻  SiC  大電流  高功率  

SiC 功率器件中的溝槽結構測量

  • 汽車和清潔能源領域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應更高的電壓，擁有更快的開關速度，并且比傳統硅基功率器件提供更低的損耗，而溝槽結構的 SiC 功率器件可以實現這一點。但是，雖然基于溝槽的架構可以降低導通電阻并提高載流子遷移率，但它們也帶來了更高的復雜性。對于 SiC 功率器件制造商來說，準確測量外延層生長和這些溝槽中注入層深度的能力是相當重要的，特別是在面臨不斷增加的制造復雜性時。今天我們分享一下來自Onto Innovation 應用開發總監Nick Keller的文章，來重點介紹下SiC 功率器
  • 關鍵字： SiC  功率器件  溝槽結構測量  

設計基于SiC的電動汽車直流快速充電機

  • 電動汽車（EV）直流快速充電機繞過安裝在電動汽車上的車載充電機，直接為電池提供快速直流充電。如下圖所示，直流快速充電機由一級 AC-DC 和一級 DC-DC 組成：圖 1. 直流快速充電機由一級 AC-DC 和一級 DC-DC 組成在優化系統效率的同時最大限度縮短充電時間是直流快速充電機的主要關注點。在設計此類系統時，必須考慮器件選型、電壓范圍和負載要求、運行成本、溫度、堅固性和環境保護，以及可靠性。相比傳統硅（Si）和 IGBT 器件，基于碳化硅（SiC）的器件由于具有工作溫度更高、導通損耗更小、漏電流
  • 關鍵字： SiC  電動汽車  直流快速充電機  Wolfspeed  

安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設計注意事項，您知道嗎？

  • 安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業電源系統中的高功率應用進行了優化。此前我們描述了M3S的一些關鍵特性以及與第一代相比的顯著性能提升，本文則將重點介紹M3S產品的設計注意事項和使用技巧。寄生導通問題由于NTH4L022N120M3S的閾值電壓具有 NTC，因此在最高結溫TJ(MAX) = 175°C時具有最低值。即使數據表中的典型V
  • 關鍵字： SiC  MOSFET  RSP  
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