- 賽普拉斯半導體公司今天宣布推出一款具有四個串行外設接口(SPI)的1Mb 非易失性靜態隨機存取存儲器(nvSRAM)。 這一新款nvSRAM的四個SPI接口使得該器件可以在尺寸更小的情況下，超越尺寸更大的并行接口器件的數據吞吐量。該款nvSRAM可為RAID存儲設備、工業自動化、計算和網絡應用在掉電時，無需電池即可保存大吞吐量的數據。
四SPI接口CY14V101QS 1Mb nvSRAM的最高時鐘頻率為108MHz，其性能超過了并行接口(x8 IO 寬度, 45-ns 訪問時間)器件。該nvS
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賽普拉斯 nvSRAM
- 賽普拉斯半導體公司日前宣布推出一系列16Mb非易失性靜態隨機存取存儲器(nvSRAM)，包括具有異步并行和異步開放式NAND閃存接口(ONFI)標準1.0接口的器件.。這一16 Mb nvSRAM系列擴展了賽普拉斯的產品線，以滿足高端可編程邏輯控制器(PLC)、存儲設備中的高速數據/錯誤日志記錄器、網絡設備、航空電子系統以及電子游戲機等關鍵任務應用的需求。
16 Mb nvSRAM是市場上最快的高容量異步非易失性RAM，存取時間可低至25 ns。賽普拉斯的新器件可選擇集成實時時鐘(RTC)，
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賽普拉斯 ONFI nvSRAM
- 賽普拉斯半導體公司日前宣布，LSI在其用于高性能服務器、工作站和外部存儲器的12Gb/s SAS主機總線適配器(HBA)中，選用了賽普拉斯的并行非易失性靜態隨機存取存儲器(nvSRAM)。nvSRAM為SAS HBA帶來高速度、低電壓、無故障的存儲器，提升了LSI解決方案的性能。LSI選擇并行nvSRAM的另一個原因是它可工作在不同的電壓下，而且廣受媒體好評。
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- 賽普拉斯半導體公司(納斯達克股票代碼：CY)日前宣布，該公司在其產品系列中整合了Ramtron International的鐵電隨機存取存儲器(F-RAM)產品，提供了市場上最豐富的快速寫入非易失性存儲器容量范圍選擇。F-RAM是業界最低功耗的非易失性存儲器，為賽普拉斯全球速度最快的非易失性靜態隨機存取存儲器提供了有效補充。
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- 賽普拉斯半導體日前宣布推出一款1-Mbit串行非易失性靜態隨機存取存儲器(nvSRAM)系列，以及新的擁有集成實時時鐘(RTC)的4-Mbit 和 8-Mbit nvSRAM。
賽普拉斯的nvSRAM是基于其S8? 0.13-微米 SONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon)嵌入式非易失性存儲器技術，能達到更大的密度并改善存取時間和性能。nvSRAM對于要求絕對數據非易失安全性的應用來說是理想的選擇，如RAID系統、工業控制和自動化(如PLC，
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- 日前，賽普拉斯半導體公司宣布推出 2 Mbit 和 8 Mbit 非易失性靜態隨機存取存儲器（nvSRAM），進一步豐富了公司旗下從 16 Kbit 到 8 Mbit 的nvSRAM 產品系列。該新型產品的存取時間短至 20 納秒，支持無限次的讀寫與調用循環，而且數據能保存 20 年之久。nvSRAM 為需要持續高速寫入數據和絕對非易失性數據安全的應用提供了最佳解決方案，因此成為了服務器、RAID 應用、惡劣環境下的工業控制、汽車、醫療以及數據通信等領域的理想選擇。
CY14B102 2 Mbi
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- 摘要： 本文介紹了針對高端存儲應用的最新非易失性存儲器NVSRAM。可以根據應用要求以及功能需要選擇最佳的非易失性存儲器架構。關鍵詞： Flash；EEPROM；SRAM；NVSRAM
概述眾所周知，在非易失性存儲器領域，市場熱度節節攀升。近日，SRAM家族又增加了新的成員—NVSRAM。NVSRAM 為 Non-volatile SRAM縮寫，即為非易失性SRAM。本文將比較各類非易失性存儲器，并介紹NVSRAM的特點和優勢， NVSRAM 的應用以及工作方式。 非易失性存儲器應用
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