賽普拉斯半導體公司日前宣布推出一系列16Mb非易失性靜態隨機存取存儲器(nvSRAM)，包括具有異步并行和異步開放式NAND閃存接口(ONFI)標準1.0接口的器件.。這一16 Mb nvSRAM系列擴展了賽普拉斯的產品線，以滿足高端可編程邏輯控制器(PLC)、存儲設備中的高速數據/錯誤日志記錄器、網絡設備、航空電子系統以及電子游戲機等關鍵任務應用的需求。

　　16 Mb nvSRAM是市場上最快的高容量異步非易失性RAM，存取時間可低至25 ns。賽普拉斯的新器件可選擇集成實時時鐘(RTC)，以便在重要數據日志中標記時間。賽普拉斯的nvSRAM具有無限次讀、寫和恢復的特點，在85?C的溫度下數據可保存20年，65?C下則可以保存150年。賽普拉斯的nvSRAM對于需要連續高速讀寫數據和絕對非易失性數據安全的應用來說，是非常理想的選擇。

CY14V116F7、CY14V116G7數據表鏈接地址為：http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3121138

CY14B116K、CY14B116M數據表鏈接地址為：http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3121139

CY14B116L、CY14B116N、CY14B116S、CY14E116L、CY14E116N、CY14E116S：數據表鏈接地址為：http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3121140

　　賽普拉斯非易失性產品事業部高級總監Rainer Hoehler說：“關鍵任務系統需要能在掉電的瞬間立即可靠地捕獲數據的高性能存儲器。賽普拉斯的16 Mb nvSRAM能夠實現絕對的數據安全，并且是業界最快的高容量NVRAM。ONFI 1.0可選接口能使采用NAND控制器的客戶也可以享受到我們nvSRAM無與倫比的性能。”

　　供貨情況

　　16 Mb nvSRAM目前可以提供樣片，預計于2014年第三季度量產。ONFI 1.0器件的供電電壓為3V，IO電壓為1.8V，數據總線寬度為8比特和16比特，封裝方式為165-ball FBGA。異步并行器件可選擇帶或不帶RTC，數據總線寬度為8、6、132比特，供電電壓為3V、5V，以及1.8V IO電壓的3V供電。其封裝方式為44-pin TSOPII、48-pin TSOPI、54-pin TSOPII以及165-ball FBGA。