基礎半導體領域的高產能生產專家Nexperia近日宣布推出適用于電力應用的14款整流二極管，采用其新型CFP2-HP（銅夾片粘合FlatPower）封裝。提供標準版和AECQ-101版，其中包括45 V、60 V和100 V Trench肖特基整流二極管（帶1 A和2 A選項），例如PMEG100T20ELXD-Q就是一款100V、2 A的Trench肖特基整流二極管。針對要求超快速恢復的應用，Nexperia還在產品組合中增加了200 V、1 A PNE20010EXD-Q整流二極管。在現代汽車架構中，
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Nexperia CFP2-HP 二極管 FlatPower
基礎半導體領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出適用于電力應用的14款整流二極管，采用其新型CFP2-HP（銅夾片粘合FlatPower）封裝。提供標準版和AECQ-101版，其中包括45 V、60 V和100 V Trench肖特基整流二極管（帶1 A和2 A選項），例如PMEG100T20ELXD-Q就是一款100V、2 A的Trench肖特基整流二極管。針對要求超快速恢復的應用，Nexperia還在產品組合中增加了200 V、1 A PNE20010EXD-Q整流二極管。 在現
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Nexperia CFP2-HP 二極管
基礎半導體器件領域的專家Nexperia推出了用于自動化安全氣囊應用的專用MOSFET (ASFET)新產品組合，重點發布的BUK9M20-60EL為單N溝道60 V、13 mOhm導通內阻、邏輯控制電平MOSFET，應用于LFPAK33封裝。ASFET是專門為用于某一應用而設計并優化的MOSFET。此產品組合是Nexperia為電池隔離、電機控制、熱插拔和以太網供電(PoE)應用提供的一系列ASFET中的最新產品。 BUK9M20-60EL采用Nexperia的新型增強安全工作區(SOA)技術
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Nexperia 自動安全氣囊 MOSFET
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日公布2021年財務業績，數據顯示公司在所有領域均實現強勁增長。這家半導體制造公司專門供應分立器件、功率器件和邏輯IC，2021年總營收同比增長49%，達到21.4億美元。這意味著Nexperia的業績表現優于整個半導體市場，公司市場份額得以提高1%，達到9.4%。 過去五年，Nexperia的制造能力不斷提升，目前已經處于行業前沿，完全符合汽車行業的最高標準，且能提供全面的產品組合。Nexperia首席財務官Stefan Tilger表示：“我們公司自
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Nexperia
基礎半導體元器件領域的高產能生產專家Nexperia，今日宣布其分立式器件系列推出新品，新器件采用無引腳DFN封裝，配有側邊可濕焊盤 (SWF)。這些器件堅固耐用，節省空間，有助于滿足下一代智能電動汽車的應用需求。Nexperia的所有產品系列都符合AEC-Q101標準，包括： · 采用DFN1110D-3封裝的BC817QBH-Q和BC807QBH-Q系列45V 500mA NPN/NPN通用三極管。· &nbs
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Nexperia 小型DFN封裝 分立器件
Nexperia近日宣布，其位于德州達拉斯的全新設計中心正式啟動。值此成為獨立實體五周年之際，這一舉措標志Nexperia朝著2030年成為全球基礎半導體領軍企業的既定目標又邁出了重要的一步。達拉斯設計中心是Nexperia在北美地區設立的第一家研發機構，專注于開發模擬信號轉換和電源管理IC。新研發中心由Nexperia電源和信號轉換業務部門總經理Irene Deng領導，她表示：“達拉斯設計中心代表了公司的一個關鍵里程碑，一方面是因為它體現了Nexperia在北美推進研究工作的決心，另一方面它還將助力N
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Nexperia 設計中心
基礎半導體元器件領域的高產能生產專家Nexperia（安世半導體）近日宣布MOSFET器件推出全新增強型電熱模型。半導體制造商通常會為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數。Nexperia的全新先進模型可捕獲-55℃至175℃的整個工作溫度范圍的一系列完整器件參數。這些先進模型中加入了反向二極管恢復時間和電磁兼容性(EMC)，大大提升了器件整體精度。參數可幫助工程師建立精確的電路和系統級仿真，并在原型設計前對電熱及EMC性能進行評估。模型還有助于節省時間和資源，工程師此
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Nexperia 電熱模型 MOSFET
Nexperia（安世半導體）今天隆重宣布 - 慶祝公司作為獨立實體進入半導體行業五周年。Nexperia仍是一個較為年輕的品牌，但憑借過去幾十年在半導體制造領域樹立的良好口碑和強勁表現，經過五個春秋的不懈努力，已經在市場站穩腳跟。 回望2017年成立之初，Nexperia秉持滿懷激情和專業精深的精神積極打造創新產品，既滿足了客戶需求，也實現了與客戶的共同成長。 五年來，Nexperia展現了種種前瞻性理念和業績增長，推出引領市場的產品，實現業界先進水平的產能開發，可在持續滿足嚴苛的車規級標準
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Nexperia
基礎半導體元器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出全系列低電流穩壓器二極管。50μA齊納二極管系列提供3種不同的表貼(SMD)封裝選項，采用超小型分立式扁平無引腳(DFN)封裝以及符合AEC-Q101標準的器件，為客戶提供了更多選擇和靈活性。這些高效率二極管采用在低測試電流(50μA)下的性能工作，非常適合移動、可穿戴、汽車和工業應用中的低偏置電流和便攜式電池供電設備。 Nexperia產品經理Paula Stümer表示：“DFN1006BD-2封裝器件配有可濕錫焊接側側邊可濕錫
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Nexperia 齊納二極管
基礎半導體元器件領域的高產能生產專家Nexperia（安世半導體）今天宣布推出業內首批A-selection齊納二極管。BZT52H-A(SOD123F)和BZX384-A(SOD323)系列的容差僅有±1%，相比B(±2%)和C(±5%)版本，可提供更高精度的基準電壓。這兩個系列不僅可以滿足日漸增長的移動便攜式和可穿戴應用、汽車和工業應用的需求及監管要求，也可以支持Q產品組合器件。 “Nexperia的A-selection齊納二極管涵蓋從1.8V至75V的各種應用，提供高精度、低容差基準電壓
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Nexperia A-selection 齊納二極管
基礎半導體元器件領域的專家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二極管，正式進軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場。這對于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應商Nexperia而言是一項戰略性舉措，旨在擴展高壓寬禁帶半導體器件產品范圍。 Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業級器件，重復反向峰值電壓為650V(VRRM)，持續正向電流為10A(IF)，旨在為功率轉換應用實現超高性能、高效率、低損耗。以及兼容高壓的具有更高爬電距離的純雙引腳(R2P)封裝，使該系列
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Nexperia 碳化硅 SiC 二極管
基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布，公司研發的表面貼裝器件-銅夾片FlatPower封裝CFP15B首次通過領先的一級供應商針對汽車應用的板級可靠性 (BLR)測試。該封裝將首先應用于發動機控制單元。 BLR是一種評估半導體封裝堅固性和可靠性的方法。測試遵循極為嚴格的程序，在十分注重安全性和可靠性的汽車應用中具有重要的指導意義。隨著汽車行業向電動和車聯網轉型，車載電子系統越來越復雜，因此該認證至關重要。 Nexperia雙極性功率分立器件產品經理Guido S?h
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Nexperia 表面貼裝器件
基礎半導體器件領域的專家Nexperia，今日宣布將于9月21日至23日舉辦‘Power Live’，這是其第二次舉辦此年度虛擬會議。鑒于去年首屆活動取得圓滿成功，本屆為期三天的活動將擴大規模，涵蓋與功率電子元件相關的眾多主題，包括面向汽車和工業應用的GaN、MOSFET、功率二極管和雙極性晶體管。 會議重點將包括：l MOSFET全電熱模型Nexperia新款MOSFET電熱模型的詳細預覽，該模型可以在仿真中準確呈現器件的靜態和動態特性，并降低在設計過程后期發現EMC問題的風險。 l
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Nexperia Power Live
基礎半導體器件領域的專家Nexperia非常榮幸地宣布，公司榮獲博世全球供應商榮譽大獎“采購直接材料 - 移動解決方案”。連續兩次獲得這一殊榮足以證明Nexperia與全球領先的技術和服務供應商博世已建立長期協作關系，包括合作進行早期階段的產品開發，以應對汽車行業面臨的挑戰。 博世供應鏈管理主管Arne Flemming博士表示：“博世全球供應商大獎旨在表彰全球各地的最佳供應商。作為開發和創新領域的合作伙伴，他們在幫助博世保持競爭力方面發揮了重要作用。” 每隔兩年，博世會從全球各地的供應商中挑
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Nexperia 博世 供應商大獎
新推出的80 V和100 V器件最大限度降低額定值，并改善均流，從而提供最佳性能、高可靠性并降低系統成本。基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET，新器件增強了SOA性能，適用于5G電信系統和48 V服務器環境中的熱插拔與軟啟動應用以及需要e-fuse和電池保護的工業設備。 ASFET是一種新型MOSFET，經過優化，可用于特定應用場景。通過專注于對某一應用至關重要的特定參數，有時需要犧牲相同設計中其他較不重要的參數，以實現全新性能水平。新款熱插拔ASFET
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Nexperia MOSFET
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