基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出9款新的功率雙極性晶體管，擴大了具有散熱和電氣優勢的DPAK封裝的產品組合，涵蓋2 A - 8 A 和45 V - 100 V應用。新的MJD系列器件與其他DPAK封裝的MJD器件引腳兼容，且在可靠性方面有著顯著優勢。新的MJD系列雙極性晶體管滿足AEC-Q101汽車級器件和工業級器件標準，額定值為2 A 50 V (MJD2873/-Q)、3 A 100 V (MJD31CH-Q)、4 A 45 V (MJD148/-Q)和6 A 100 V（MJD4
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MJD系列 Nexperia 功率產品
由飛利浦（現為Nexperia）于1991年創立的半導體設備制造商ITEC，今日宣布成為獨立實體。ITEC仍然是Nexperia集團的一部分。通過此舉，ITEC能夠及時解決第三方市場的問題，滿足對半導體的噴井式需求。ITEC致力為全球半導體制造商提供經久耐用的創新性制造解決方案。 ITEC一直處于半導體生產的前沿。總經理Marcel Vugts表示：“ITEC扎根于半導體制造領域，作為飛利浦、恩智浦和Nexperia的合作伙伴，我們將30多年來的自動化專業知識與最先進的設備結合起來。ITEC致力于將最新的
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ITEC Nexperia
基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布已完成收購Newport Wafer Fab (NWF)的交易，此舉可助力公司實現宏偉的增長目標和投資，進一步提高全球產能。通過此次收購，Nexperia獲得了該威爾士半導體硅芯片生產工廠的100%所有權。Nexperia Newport將繼續在威爾士半導體生態系統中占據重要地位，引領新港地區和該區域其他工廠的技術研發。 Nexperia是Newport Wafer Fab所提供晶圓代工服務的客戶，并于2019年通過投資Neptune 6 Limite
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Nexperia Fab
基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出用于標準邏輯器件的全球最小且最薄的14、16、20和24引腳封裝。例如，16引腳DHXQFN封裝比行業標準DQFN16無引腳器件小45%。新封裝不但比競爭產品管腳尺寸更小，而且還節省了25%的PCB面積。封裝尺寸僅為2 mm x 2 mm（14 引腳）、2 mm x 2.4 mm（16引腳）、2 mm x 3.2 mm（20引腳）和2 mm x 4 mm（24引腳），0.4 mm間距的DHXQFN封裝只有0.45 mm高。器件包括：十六路反向
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Nexperia DHXQFN封裝
基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布，位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產線啟動，首批產品使用最新的NextPower芯片技術的低RDS(on)和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。新生產線將立即擴大Nexperia的產能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件將具有行業內極低的Qrr品質因數(RDS(on) x Qrr)。Nexperia產品經理Mike Becker指出：“鑒于全球半導體短缺的情況下，Nexperia積極投資
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Nexperia MOSFET
基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布了全球增長戰略最新舉措，即在未來12個月至15個月期間投資7億美元用于擴建歐洲的晶圓廠、亞洲的封裝和測試工廠和全球的研發基地。 新投資將提高所有工廠的制造能力、支持氮化鎵(GaN)寬帶隙半導體和電源管理IC等領域的研發，并將支持舉辦招聘活動，吸引更多芯片設計師和工程師人才。 Nexperia首席運營官Achim Kempe表示：“全球半導體市場正逐漸走出去年上半年以來的頹勢，并重新崛起。2020年，Nexperia 年銷售額為14億美元，銷量從去年第三季度和第四
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Nexperia
基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出新型0.55 m? RDS(on) 40 V功率MOSFET，該器件采用高可靠性的LFPAK88封裝，適用于汽車(BUK7S0R5-40H)和工業(PSMNR55-40SSH)應用。這些器件是Nexperia所生產的RDS(on) 值最低的40 V器件，更重要的是，它們提供的功率密度相比傳統D2PAK器件提高了50倍以上。此外，這些新型器件還可在雪崩和線性模式下提供更高的性能，從而提高了耐用性和可靠性。Nexperia產品市場經理Neil M
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Nexperia 低RDS(on) MOSFET
奈梅亨，2021年5月10日：基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布擴充了旗下的Trench肖特基整流器產品組合，最新推出額定電壓和電流分別高達100 V和20 A的全新器件，具有出色的開關性能和領先的熱性能。新器件采用Nexperia的夾片式FlatPower (CFP)封裝，管腳尺寸遠小于SMA/SMB/SMC器件。 Trench工藝可在降低漏電流的同時，大幅減少存儲在器件中的Qrr電荷。因而，Trench肖特基整流器能夠實現超快的開關速度，既能減少整流器的開關損耗，又減少了同一換向單元中MOS
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Nexperia Trench 肖特基整流器
基礎半導體器件領域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著的性能優勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業開關模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級效率認證的服務器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內的太陽能逆變器和伺服驅動器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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Nexperia MOSFET GaN
基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布推出一系列ESD保護器件，專門用于保護汽車應用中越來越多的高速接口，特別是與信息娛樂和車輛通訊相關的車載網絡(IVN)。 隨著數據傳輸速率的提高和車載電子含量的增加，EMC保護的需求變得越來越重要，提供正確的保護類型已成為設計工程師的巨大挑戰。Nexperia的TrEOS技術優化了ESD保護的三大關鍵參數（信號完整性、系統保護和魯棒性），以提供具有低電容、低鉗位電壓和高ESD魯棒性的理想組合的器件。 全新的PESD4USBx系列總共包括十二款采用Tr
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Nexperia 高速接口 ESD
基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布與國內汽車行業主要供應商聯合汽車電子有限公司（簡稱UAES）在功率半導體氮化鎵（GaN）領域展開深度合作，旨在滿足未來對新能源汽車電源系統不斷提升的技術需求，共同致力于推動GaN工藝技術在中國汽車市場的研發和應用。 隨著汽車電氣化、5G通信、工業4.0市場的不斷增長，基于GaN的主流設計正漸入佳境，勢必推動2021年及未來功率半導體的需求增長。Nexperia GaN FET產品已與UAES在電動汽車的車載充電器、高壓DC-DC直流轉換器等項目中開展研發合作。N
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Nexperia 聯合汽車電子 氮化鎵
關鍵半導體器件領域的專家Nexperia今天宣布推出一系列采用節省空間的LFPAK56D封裝技術的半橋（高端和低端）汽車MOSFET。采用兩個MOSFET的半橋配置是許多汽車應用（包括電機驅動器和DC/DC轉換器）的標準構建模塊。這種新封裝提供了一種單器件半橋解決方案。與用于三相電機控制拓撲的雙通道MOSFET相比，由于去掉了PCB線路，其占用的PCB面積減少了30%，同時支持在生產過程中進行簡單的自動光學檢測(AOI)。LFPAK56D半橋產品采用現有的大批量LFPAK56D封裝工藝，并具有成熟的汽車級
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Nexperia MOSFET AEC-Q101
奈梅亨，2021年2月9日：基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布將在2021年度大幅增加制造能力和研發方面的全球投資。 新投資與公司的發展戰略相吻合。去年，Nexperia的母公司聞泰科技承諾投資120億元人民幣（18.5億美元）在上海臨港新建一座300mm（12英寸）功率半導體晶圓廠。該晶圓廠將于2022年投入運營，預計年產40萬片晶圓。 Nexperia今年的計劃包括提高生產效率，并在其位于德國漢堡和英國曼徹斯特的歐洲晶圓廠試試全新的200mm技術。漢堡晶圓廠還會增加對寬帶隙半導體制造新技術的
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Nexperia 聞泰科技
半導體基礎元器件領域的高產能生產專家Nexperia今天首次宣布推出80 V RET（配電阻晶體管）系列。這些新的RET或“數字晶體管”提供了足夠的余量，可用于48 V汽車板網（如輕度混合動力和EV汽車）和其他更高電壓的電路，這些電路經常受到較大的尖峰和脈沖影響，以前的50 V器件無法處理。 通過在與晶體管相同的SOT23 (250 mW Ptot)或SOT323 (235 mW Ptot)封裝中組合偏置電阻和偏置發射極電阻，RET可以節省空間并降低制造成本。SOT363封裝還提供雙RET（兩個晶體管和兩
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Nexperia RET
半導體基礎元器件領域的高產能生產專家Nexperia今天發布獲得AEC-Q101認證的新重復雪崩專用FET (ASFET)產品組合，重點關注動力系統應用。該技術已通過十億個雪崩周期測試，可用于汽車感性負載控制，例如電磁閥和執行器。除了提供更快的關斷時間（高達4倍）外，該技術還能通過減少BOM數量簡化設計。 在汽車動力總成中的電磁閥和執行器控制領域，基于MOSFET的電源方案通常圍繞著升壓、續流二極管或主動鉗位拓撲結構進行構建。第四個選擇是重復雪崩設計，利用MOSFET的重復雪崩能力來泄放在其關
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Nexperia AEC-Q101 MOSFET
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