- 飛思卡爾半導體近日揭開了全球首款適用于L波段雷達應用的50V LDMOS RF功率晶體管產品的神秘面紗。這一產品線非常適合于各種高功率RF應用，包括空中交通管理和長射程氣象雷達。?
RF產品線包括MRF6V14300H后期器件和MRF6V10010N驅動。當頻率在1200 － 1400 MHz之間時， MRF6V14300H生成330 W的RF脈沖輸出功率；與競爭性雙極場效晶體管（FET）器件相比，它重新設立了該功率和頻率級的新的效率、增益和熱阻標準。?
先進的RF功率
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飛思卡爾 晶體管 RF LDMOS
- 恩智浦推出BLC7G22L（S）-130基站功率晶體管，這是恩智浦應用其業界領先的第七代橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）技術的首款產品，專為高功耗和Doherty放大器應用進行了優化。恩智浦的第七代LDMOS技術可以實現目前功效最高的LDMOS解決方案，與上一代產品相比，功率密度提高了20%，功率效率增長了兩個百分點，而Rth熱阻則降低25%以上。恩智浦第七代LDMOS基站前期晶體管的最初原型將于2008年美國喬治亞州亞特蘭大舉辦的IEEE MTT-S國際微波研討會期間進行展示。
恩智浦R
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恩智浦 LDMOS 基站 功率晶體管
- 英飛凌科技股份公司（IFX： FSE, NYSE）發布兩款面向無線寬帶應用的最新LDMOS射頻功率晶體管，例如在2.5至2.7 GHz頻段上運行的WiMAX應用。這些產品可提供最高達170 W的峰值輸出功率，進一步壯大了英飛凌目前已包括10 W、45 W和130 W器件的面向WiMAX應用的射頻功率晶體管產品陣營。這款LDMOS射頻功率晶體管杰出的峰值功率性能可支持設計師簡化其射頻功率放大器的設計。
英飛凌科技公司副總裁兼射頻功率器件業務部總經理Helmut Volger表示：&ldqu
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英飛凌 LDMOS 晶體管
- 飛思卡爾半導體日前在IEEE MTT-S國際微波大會上宣布推出全球最高功率的LDMOS射頻功率晶體管。MRF6VP11KH 設備提供130 MHz、1 kW的脈沖射頻輸出功率，具有同類設備最高的排放效率和功率增益。 這種超高效率晶體管是飛思卡爾承諾為工業、科技和醫療（ISM）市場提供業界最具創新力的射頻功率解決方案的最新例證。該晶體管的操作電壓為50V，與雙極和MOSFET 設備相比，它具有明顯的優勢。它能夠提供核磁共振成像(MRI)系統、CO2激光器、等
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嵌入式系統 單片機 飛思卡爾 LDMOS 晶體管 嵌入式
ldmos介紹
橫向擴散金屬氧化物半導體
LDMOS
lateral double-diffused metal-oxide semiconductor
LDMOS技術是為900MHz蜂窩電話技術開發的，蜂窩通信市場的不斷增長保證了LDMOS晶體管的應用，也使得LDMOS的技術不斷成熟，成本不斷降低，因此今后在多數情況下它將取代雙極型晶體管技術。 與雙極型晶體管相比,LDMOS管的增益更高，L [
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