吳錦帆（電子科技大學電子科學與工程學院??四川??成都??610054） 摘?要：本文介紹了一種通過改進LDMOS的器件結構，提升以LDMOS搭建的功率放大器的功率附加效率大信號指標的方法。在器件仿真環境中，通過對LDMOS的漂移區進行結構優化，提升器件的小信號增益，然后利用器件等效建模技術，在電路仿真環境中，搭建出功率放大器進行大信號仿真，在相同的工作條件下功率附加效率提升了約5%左右。 關鍵詞：LDMOS；功率放大器；功率附加效率 0 引言 橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管（RFLDMO
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202006 LDMOS 功率放大器 功率附加效率
近日，埃賦隆半導體（Ampleon）現在面向工業加熱、除霜、等離子照明和醫療應用推出基于LDMOS 的BLP05H9S500P功率放大器晶體管。BLP05H9S500P的工作頻率范圍為423至443MHz，它可在脈沖或連續波模式下提供高達500W的輸出功率，并實現迄今尚未被開發利用的75%的典型漏極效率水平。這種一流特性可使所需的制冷量降至最低，同時還可節省空間和運營成本。此外，該產品還專門設計了輕便的推挽式晶體管放大器，它可以在50V電壓下在所有相位上承受10:1的駐波比(VSWR)，而不會造成損壞或性
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LDMOS VSWR
數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。 與LDMOS相比，硅基氮化鎵的性能優勢已牢固確立——它可提供超過70%的功率效率，將每單位面積的功率提高4到6倍，并且可擴展至高頻率。同時，綜合測試數據已證實，硅基氮化鎵符合嚴格的可靠性要求，其射頻性能和可靠性可媲美甚至超越昂貴的碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)替代技術。 硅基氮化鎵成為射頻半導體
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氮化鎵 LDMOS
橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)今天宣布與遠創達科技公司簽署一份LDMOS射頻功率技術許可協議。遠創達是一家總部位于中國蘇州的無晶圓廠的半導體公司，專業設計制造射頻功率半導體產品、模塊和子系統集成。 導電通道短且擊穿電壓高使LDMOS器件適用于無線通信系統基站射頻功率放大器以及商用和工業系統的功率放大器。意法半導體與遠創達的合作協議將擴大意法半導體LDMOS產品的應用范圍。 協議內容保密，不對外披露。
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意法半導體 LDMOS
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管，
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射頻功率晶體管 耐用性 LDMOS
本文介紹了氮化鎵的發展歷程，并與砷化鎵和LDMOS進行對比與分析，介紹了氮化鎵在軍事、無線基站及射頻能量等方面的特性和未來發展的廣闊市場。
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氮化鎵 砷化鎵 LDMOS 201701
2016年8月29日，每年一次循例來為華為RF工程師講課的Qorvo高級Fellow Bill Boesch在深圳接受了專訪，他說：“4G、5G基站大功率射頻(RF)元件市場正在發生變革，原有的占主導地位的LDMOS元件雖有成本較低的優勢，但市場份額正在出現下滑態勢，代之而起的是新興的GaN元件，它因其能夠節省更大功率的優勢正在基站RF市場上快速增長。”
他特別提到，5G現在頻譜標準還沒有定，有可能會選擇4-5GHz或更高至毫米波頻段。對于手機終端來說，如果5G頻段在4-
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5G LDMOS
隨著人們對數據速率要求越來越高，直接導致無線通信系統帶寬的需求也在逐步增加，也同時推動了通信技術的進一步可持續性發展。2G、3G、4G技術的相繼推出，使移動業務由單一形態逐漸過渡到可同時支持語音、數據和視頻等多種業務并舉的盛況。目前，隨著4G市場的蓬勃發展，中國移動、電信、聯通都已經獲得了4G的牌照，獲得的頻段如下表：
表1：各運營商4G牌照頻段分布 從上表可以看出，4G的頻率范圍大約覆蓋了從1700～2700MHz的頻率，約1GHz的頻率跨度。這對采用
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基站 LDMOS
國際領先的微波半導體器件制造廠商英飛凌推出了可以覆蓋TD-SCDMA 兩個頻段的大功率330W LDMOS，器件型號為PXAC203302FV。該器件適用于1880-2025MHz頻段，可以用于基站多載波射頻功率放大器。PXAC203302FV采用非對稱Push-Bull結構，載波功放130W，峰值功放200W，在非對稱Doherty功放中可以實現更高的效率。
PXAC203302FV特性：
寬帶內部輸入、輸出匹配
適用于非對稱Doherty設計：Main: 130W, Peak:
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TD-SCDMA LDMOS
LDMOS(LateralDiffusedMetalOxideSemiconductorTransistor，橫向擴散金屬氧化物半導體)以其高功率增益、高效率及低成本等優點，被廣泛應用于移動通信基站、雷達、導航等領域。射頻大功率LDMOS由于具有P、L波段以上的工作頻率和高的性價比，已成為3G手機基站射頻放大器的首選器件。
隨著IC集成度的提高及器件特征尺寸的減小，柵氧化層厚度越來越薄，其柵的耐壓能力顯著下降，擊穿電壓是射頻LDMOS器件可靠性的一個重要參數，它不僅決定了其輸出功率，還決定了器件
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LDMOS RFIC 射頻放大器
RF功率行業的領導者飛思卡爾推出了第二代Airfast? RF功率解決方案，為高級無線架構設備(包括GSM/UMTS、CDMA/W-CDMA、LTE和 TD-LTE應用)提供了全新級別的性能。
飛思卡爾最新的Airfast系列RF功率解決方案基于成功且具備卓越性能的上一代產品，包含了28V獨立和單級功率放大器。在充分利用并增強了第一代Airfast電路、模具、匹配網絡和封裝技術的基礎上，飛思卡爾憑借新一代Airfast技術(包括首次推出RF功率LDMOS部件，從而在Doherty配置
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飛思卡爾 RF Airfast LDMOS 201407
射頻(RF)功率晶體管領域的全球領導者飛思卡爾半導體日前宣布11個全新商用的射頻功率LDMOS產品全面上市，這個產品可滿足美國國防電子產品應用的要求，這是2013年6月公布的公司射頻功率業務戰略防御計劃發布的首套產品。 飛思卡爾現在為美國國防系統客戶提供與其他市場相當的支持水平，使客戶可以優化這些射頻器件的性能，適合雷達、軍用通信和電子戰的應用。這些產品包含在飛思卡爾產品長期供貨計劃中，根據不同產品可確保最低10年或15年的產品供應。?此外，飛思卡爾射頻國防市場專家組成的專門團隊擁有符合I
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飛思卡爾 LDMOS RF 國防
電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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射頻 抗擊穿 LDMOS 埋層 漂移區 襯底
摘要：LDMOS RF功率放大器因其極高的性價比在GSM和CDMA基站市場占據了主導地位。使用LDMOS放大器時，保證高性能 ...
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DS4303 LDMOS RF 功率放大器
ldmos介紹
橫向擴散金屬氧化物半導體
LDMOS
lateral double-diffused metal-oxide semiconductor
LDMOS技術是為900MHz蜂窩電話技術開發的，蜂窩通信市場的不斷增長保證了LDMOS晶體管的應用，也使得LDMOS的技術不斷成熟，成本不斷降低，因此今后在多數情況下它將取代雙極型晶體管技術。 與雙極型晶體管相比,LDMOS管的增益更高，L [
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