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IR推出全新直流總線轉換器芯片組
- 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出首個直流總線轉換器芯片組系列,重新定義用于電信及網絡系統的48V輸入、150W基板安裝功率轉換器的分布式電源架構。IR的直流總線轉換器芯片組架構為整體效率、功率密度和簡易性建立了全新基準,能在小于1.7平方英寸電路占位上,于20A/150Wout條件下提供96%以上的效率。與業界標準的四分一磚設計相比,該芯片組能節省53%的體積,并可將隔離式轉換器的元件數目由約50個大幅縮減至20個。全新芯片組包含一個IR20
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IR全新MOSFET具備快速本體二極管特性
- 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列,新器件具備快速本體二極管特性,專為零電壓開關 (ZVS) 電路等軟開關應用度身訂造。ZVS技術能在開關式電源 (SMPS)電路中實現最大效率,并能提高功率輸出,適用于當今效率和可靠性極為重要的高速、寬帶電信及數據通信系統。最新L系列HEXFET MOSFET由于具備快速本體二極管特性,因此無需在ZVS電路中添置額外肖特基及高壓二極管,減少了元件數目,節省了電路空間
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IR公布2003財年第四季度業績
- 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 公布2003財年第四季度業績,季內營業收益為2.284億美元,不包括早前公布有關遣散及重組活動的開支,模擬凈收入為1540萬美元 (或每股 0.24美元)。公司去年同季的凈收入為1610萬美元 (或每股 0.25美元),營業收益則為2.01億美元。計入共380萬美元的遣散及重組開支后,IR第四季度的凈收入為1320萬美元 (或每股 0.20美元)。IR第四季度的營業收益在預定指標上端,比上季度增加超過6%,比去年同
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IR全新MOSFET具備快速本體二極管特性有效增強零電壓開關操作
- 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列,新器件具備快速本體二極管特性,專為零電壓開關 (ZVS) 電路等軟開關應用度身訂造。ZVS技術能在開關式電源 (SMPS)電路中實現最大效率,并能提高功率輸出,適用于當今效率和可靠性極為重要的高速、寬帶電信及數據通信系統。最新L系列HEXFET MOSFET由于具備快速本體二極管特性,因此無需在ZVS電路中添置額外肖特基及高壓二極管,減少了元件數目,節省了電路空間
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IR為交錯降壓直流-直流轉換器推出XPhase可擴展性多相架構
- 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出高度靈活和可擴展的XPhase架構,適用于需要一個或更多相位的多相交錯降壓直流-直流轉換器。首個Xphase芯片組配備了IR3081控制集成電路及IR3086相位集成電路,可提供超出CPU電壓調節組件 (VRM) 或VRD/EVRD 10.0要求的高性能解決方案,適用于服務器和高端臺式電腦內最先進的微處理器。IR XPhase架構有別于其它只能驅動有限相位的多相方案,它提供可擴展的多相設計,滿足先進CPU瞬息萬
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IR推出多用途80V MOSFET
- 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出IRF1312 型HEXFET功率MOSFET,額定電壓達80V,可用作隔離式直流-直流轉換器中的原邊和付邊MOSFET,專攻網絡通信及數據通信系統領域。作為原邊MOSFET時,IRF1312能用于高達60V最大輸入電壓,因此最適用于36V至60V及48V穩壓輸入母線隔離式直流-直流轉換器應用中的半橋或全橋結構。與同類75V MOSFET相比,其80V額定電壓提供額外6% 的防護帶,使設計更加堅固耐用。IR中國
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ir介紹
紅外線 IrDA
紅外線IrDA,簡稱IR,是一種無線通訊方式,可以進行無線數據的傳輸。自1974年發明以來,得到很普遍的應用,如紅外線鼠標,紅外線打印機,紅外線鍵盤等等。
紅外線的特征:紅外傳輸是一種點對點的傳輸方式,無線,不能離的太遠,要對準方向,且中間不能有障礙物也就是不能穿墻而過,幾乎無法控制信息傳輸的進度;IrDA已經是一套標準,IR收/發的組件也是標準化產品。
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