作為原邊MOSFET時，IRF1312能用于高達60V最大輸入電壓，因此最適用于36V至60V及48V穩壓輸入母線隔離式直流-直流轉換器應用中的半橋或全橋結構。與同類75V MOSFET相比，其80V額定電壓提供額外6% 的防護帶，使設計更加堅固耐用。

IR中國及香港銷售總監嚴國富先生表示：“很多用于原邊應用的設計需要器件額定值降低至75%。現有的額定電壓75V MOSFET在此要求下，只能支持輸入電壓最大為56V的系統。全新IRF1312 80V MOSFET可實現高達60V應用時的減額要求，因此能為36V至60V總線應用確保高可靠性，迎合電信及數據通信系統的要求。”

作為付邊MOSFET時，IRF1312能在12V應用中提供比標準75V MOSFET高出0.4% 的效率，可用于最大輸出電壓達15V的付邊電路。

全新MOSFET的柵電荷極低，可降低開關損耗。通態電阻也較低，能將傳導損耗降至最低。該器件設有TO-220AB、D2Pak及TO-262封裝。

全新IRF1312、IRF1312S及IRF1312L器件現已投入供應，基本規格下：

產品型號 IRF1312 IRF1312S IRF1312L

封裝 TO-220ABD2PakTO-262

VDSS 80V

10Vgs下最大通態電阻RDSon 10mOhm

典型Qg值 93nC

典型Qgd值 34nC