- 碳排放量的根本源頭在于能源消耗的多寡與能源轉換效率的高低，特別是在電能轉換成熱能或冷能的家電產品上。為了鼓勵民眾使用高能效的家電產品，政府推出了使用一級能效等級家電即提供高額補助獎金的政策。目前市面上的冷氣機和冰箱已經廣泛采用變頻壓縮機技術，一級能效產品屢見不鮮，但高能效的電熱水器產品卻相對稀少。 熱泵熱水器是一種利用少量電能驅動壓縮機冷媒，并將冷媒轉態時產生的熱能傳送到貯水裝置以加熱水源，同時排出冷空氣的設備。其加熱效果大約是傳統能源（市電、天然氣、柴油）的三倍。與傳統電熱水器相比，熱泵熱水器
- 關鍵字：
世平 安森美 NFAL5065L4BT IPM 熱泵熱水器 壓縮機驅動器
- 如下圖，是IGBT產品典型的輸出特性曲線，橫軸是C，E兩端電壓，縱軸是歸一化的集電極電流。可以看到IGBT工作狀態分為三個部分：1、關斷區：CE間電壓小于一個門檻電壓，即背面PN結的開啟電壓，IGBT背面PN結截止，無電流流動。2、飽和區：CE間電壓大于門檻電壓后，電流開始流動，CE間電壓隨著集電極電流上升而線性上升，這個區域稱為飽和區。因為IGBT飽和電壓較低，因此我們希望IGBT工作在飽和區域。3、線性區：隨著CE間電壓繼續上升，電流進一步增大。到一定臨界點后，CE電壓迅速增大，而集電極電流并不隨之增
- 關鍵字：
IGBT
- 今天給大家分享的是：IGBT的損耗與結溫計算。與大多數功率半導體相比，IGBT 通常需要更復雜的一組計算來確定芯片溫度。這是因為大多數 IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個芯片的溫度，有必要知道每個芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數。還需要知道每個器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。這里將主要介紹一下：如何測量功率計算二極管和IGBT芯片的溫升。一、損耗組成部分根據電路拓撲和工作條件，兩個芯片之間的功率損耗可能會有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導
- 關鍵字：
IGBT 損耗 溫升
- 在當今能效需求日益增長的時代背景下，家電及HVAC系統的設計師們正全力以赴地追求更高的能效標準。與此同時，他們也積極響應消費者對可靠、靜音、緊湊且經濟實用的系統的期待。市場上的主要設計挑戰在于，如何在不增加系統成本的前提下，設計并開發出更為小巧、高效且經濟適用的電機驅動器。這一挑戰要求設計師們不斷創新，以實現能效與實用性的完美結合。基于以上背景，德州儀器（TI）再次走在行業前沿，通過其最新發布的DRV7308氮化鎵（GaN）智能功率模塊（IPM），為高壓電機驅動系統帶來了革命性的改變。近日，德州儀器在發布
- 關鍵字：
德州儀器 TI 氮化鎵 IPM 智能電源模塊
- ●? ?650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術，助力家電和暖通空調（HVAC）系統逆變器達到99%以上效率。●? ?得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了對外部散熱器的需求，工程師可以將解決方案尺寸縮減多達 55%。德州儀器 (TI)近日推出了適用于 250W 電機驅動器應用的先進 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設計大型家用電器及加熱、通風和空調 (HVAC) 系統時通常面臨的許多設
- 關鍵字：
德州儀器 GaN IPM 高壓電機
- 650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術，助力家電和暖通空調（HVAC）系統逆變器達到99%以上效率。得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了對外部散熱器的需求，工程師可以將解決方案尺寸縮減多達 55%。中國上海（2024 年 6 月 18 日）– 德州儀器 (TI)（納斯達克股票代碼：TXN）推出了適用于 250W 電機驅動器應用的先進 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設計大型家用電器及加熱、通風和空調 (HVAC) 系統時通
- 關鍵字：
德州儀器 TI 氮化鎵 IPM 智能電源模塊
- 安森美(onsemi) 最新發布第 7 代 1200V QDual3 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率模塊，與其他同類產品相比，該模塊的功率密度更高，且提供高10%的輸出功率。這800 安培 (A) QDual3 模塊基于新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術，帶來出色的效能表現，有助于降低系統成本并簡化設計。在用于 150 千瓦的逆變器中時，QDual3 模塊的損耗比同類競品少 200 瓦（W），從而大大縮減散熱器的尺寸。QDual3模塊專為在惡劣條件下工作而設計，非常適合用于大功率變流器
- 關鍵字：
安森美 IGBT 再生能源
- 01IGBT是什么？IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；（因為Vbe=0.7V,而Ic可以很大（跟PN結材料和厚度有關））MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。（因為MOS管有Rds，如果Ids比較大，就會導致Vds很大）IGBT綜合了以上兩種器件的
- 關鍵字：
IGBT 功率半導體
- Littelfuse公司是一家工業技術制造公司，致力于為可持續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器。 這款創新的驅動器專門設計用于驅動工業應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。IX4352NE的主要優勢在于其獨立的9A拉/灌電流輸出，支持量身定制的導通和關斷時序，同時將開關損耗降至最低。 內部負電荷調節器還能提供用戶可選的負柵極驅動偏置，以實現更高的dV/dt抗擾度和更快的關斷速度。 該驅動器
- 關鍵字：
SiC MOSFET IGBT 低側柵極驅動器
- 深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations近日宣布推出SCALE-iFlex? XLT系列雙通道即插即用型門極驅動器，適配單個LV100（三菱）、XHPTM 2（英飛凌）、HPnC（富士電機）以及耐壓高達2300V的同等半導體功率模塊，該模塊適用于儲能系統以及風電和光伏可再生能源應用。該款超緊湊單板驅動器可對逆變器模塊進行主動溫升管理，從而提高系統利用率，并簡化物料清單(BOM)以提高逆變器系統的可靠性。Power Integrations產品營銷經理Thors
- 關鍵字：
Power Integrations IGBT 門極驅動器
- 本文旨在為 SPM 31 v2 系列功率模塊設計提供實用指南，該系列智能功率模塊 (IPM) 適用于三相電機驅動，包含三相變頻段、柵極驅動器等。設計構思SPM
31 v2 旨在提供封裝緊湊、功耗更低且可靠性更高的模塊。為此，它采用了新型柵極驅動高壓集成電路
(HVIC)、基于先進硅技術的新型絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)，以及基于壓鑄模封裝的改進型直接鍵合銅 (DBC)
襯底。與現有的分立方案相比，SPM 31 v2
的電路板尺寸更小，可靠性更高。其目標應用為工業變頻電機驅動，例如商用空調
- 關鍵字：
功率模塊 指南 IPM 三相電機
- 隨著企業向低碳未來邁進，市場越來越需要更高效的功率半導體。開發功率半導體解決方案的關鍵目標在于，盡量降低系統總成本和縮小尺寸，同時提高效率。于是，智能功率模塊
(IPM) 應運而生，并成為熱泵市場備受矚目的解決方案。這種模塊結構緊湊、高度集成，具有高功率密度以及先進的控制與監測功能，非常適合熱泵應用。熱泵的重要性根據歐盟統計局數據，在歐盟消耗的所有能源中，約 50% 用于供暖和制冷，而且超過 70% 仍然來自化石燃料（主要是天然氣）。在住宅領域，約 80% 的最終能源消耗用于室內和熱水供暖。熱泵（圖
- 關鍵字：
熱泵 功率半導體 智能功率模塊 IPM
- 當前的新能源車的模塊系統由很多部分組成，如電池、VCU、BSM、電機等，但是這些都是發展比較成熟的產品，國內外的模塊廠商已經開發了很多，但是有一個模塊需要引起行業內的重視，那就是電機驅動部分，則是電機驅動部分最核心的元件IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣柵雙極型晶體管芯片）。想要從零了解汽車電控IGBT模塊看這一篇就夠了！根據乘聯會數據，2022年6月新能源車國內零售滲透率27.4%，并且2022年6月29日歐盟對外宣布，歐盟27個成員國已經初步達成一致，歐洲
- 關鍵字：
汽車 電控 IGBT
- 3 月 28 日的發布會上，小米雷軍對外正式公布了小米 SU7 各版本的售價。同時，雷軍宣布特別推出 5000 臺小米 SU7 創始版。創始版除可選標準版及 Max 版基本配置外，還有專屬車標、配件等權益。由于提前生產，不可選配，故相關車型可最先交付，而非創始版的小米 SU7 標準版與 Max 版于 4 月底啟動交付，Pro 版在 5 月底啟動交付。幾天后的 4 月 3 日，小米汽車創始版迎來首批交付。在北京亦莊小米汽車工廠總裝車間的交付現場，雷軍親手將車交給車主并和車主合影留念，再揮手目送每位車主離開。
- 關鍵字：
IGBT
- IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關特性的影響，本文為第一部分，將主要討論直流鏈路環路電感影響分析。測試設置雙脈沖測試
(Double Pulse Test ，DPT)
采用不同的設置來分析SiC和IGBT模塊的開關特性
- 關鍵字：
雜散電感 SiC IGBT 開關特性
igbt-ipm介紹
您好，目前還沒有人創建詞條igbt-ipm!
歡迎您創建該詞條，闡述對igbt-ipm的理解，并與今后在此搜索igbt-ipm的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
