- 根據阿里巴巴達摩院發布的《2021十大科技趨勢》預測的第一大趨勢是“以氮化鎵（GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體迎來應用大爆發”。達摩院指出，近年來第三代半導體的性價比優勢逐漸顯現，正在打開應用市場：SiC元件已用作汽車逆變器，GaN快速充電器也大量上市。半導體材料演進圖：資料來源：Yole, 國盛證券相對于第一代（硅基）半導體，第三代半導體禁帶寬度大，電導率高、熱導率高，其具有臨界擊穿電場高、電子遷移率高、頻率特性好等特點。氮化鎵（GaN）是最具代表性的第三代半導體材料，成為高溫、高頻、大功
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氮化鎵 GaN
- 氮化鎵充電器頻繁的出現在我們的視線中，那么氮化鎵充電器與普通充電器有什么不一樣呢？我們一起來看看?！ 〉壥堑玩壍幕衔?，是一種直接能隙的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中氮化鎵材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的
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氮化鎵 GaN 充電器
- 2022年3月21日Power Integrations宣布推出節能型HiperLCS?-2芯片組以及集成750V PowiGaN?氮化鎵開關的HiperPFS?-5系列功率因數校正(PFC)IC。 據了解，HiperLCS-2雙芯片解決方案由一個隔離器件和一個獨立半橋功率器件組成。其中的隔離器件內部集成了高帶寬的LLC控制器、同步整流驅動器和FluxLink?隔離控制鏈路。而獨立半橋功率器件則采用Power Integrations獨特的600V FREDFET，具有無損耗的電流檢測，同時集成有上
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PI HiperLCS-2芯片組 HiperPFS-5 GaN
- 半導體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產體制，該系列產品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達8V，非常適用于基地臺、數據中心等工控設備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產品 GNE10xxTB系列?有助基地臺和數據中心實現低功耗和小型化一般來說，GaN組件具有優異的低導通電阻和高速開關性能，有助降低各種電源功耗和實現外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低，因此在開關工作時的組件可靠性方面尚存在課題。針對該課題，RO
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SiC GaN ROHM
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列（GNE1040TB）”的量產體制，該系列產品的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）*2高達8V，非常適用于基站、數據中心等工業設備和各種物聯網通信設備的電源電路。一般而言，GaN器件具有優異的低導通電阻和高速開關性能，因而作為有助于降低各種電源的功耗和實現外圍元器件小型化的器件被寄予厚望。但其柵極耐壓很低，在開關工作時的器件可靠性方面存在問題。針對這一課題，ROHM的新產品通過采用自有的結構，成功
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ROHM 150V GaN HEMT
- 32及64位高效能、低功耗RISC-V處理器核心領導供貨商、RISC-V國際協會（RISC-V International）創始首席會員晶心科技（TWSE: 6533；SIN: US03420C2089；ISIN: US03420C1099）及嵌入式開發軟件和服務的全球領導者IAR Systems?共同宣布：來自歐洲及亞洲的IC領導廠商已采用晶心科技RISC-V AndesCore?車用CPU內核，以及IAR Systems已獲得功能安全認證的RISC-V開發工具。這個由晶心科技及IAR Systems所
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晶心科技 IAR Systems 車用芯片
- 嵌入式開發軟件和服務的全球領導者IAR Systems?日前自豪地宣布：其專業開發工具鏈IAR Embedded Workbench? for RISC-V現已支持64位RISC-V內核。憑借此次在內核支持能力方面的擴展，IAR Systems在為RISC-V提供專業開發解決方案方面繼續走在前沿。IAR Embedded Workbench for RISC-V是一個完整的C/C++編譯器和調試器工具鏈，其將嵌入式開發者所需的一切都整合至同一個集成開發環境（IDE）中，包括確保代碼質量的集成式代碼分析工具
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IAR Systems RISC-V
- 1. 提前預定五年產能，全球半導體硅片進入黃金期！根據SEMI發布的數據顯示，2021年全球硅片的出貨量同比增加了14%，總出貨量達到141.65 億平方英寸（MSI），收入同比增長了13%，達到126.2億美元。 目前，包括長江存儲和武漢新芯等客戶，都與滬硅旗下的上海新昇簽訂了2022年至2024年的長期供貨協議。其中，2022年1-6月預計交易金額分別為1.55億元、8000萬元，而2021年1-11月上述公司的交易金額分別為1.43億元、1.03億元。2. 2021 年中國集成電路銷售額首
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半導體 GaN 芯片 產能
- 電源與能源管理對人類社會未來的永續發展至關重要。意法半導體汽車和離散組件產品部（ADG）執行副總裁暨功率晶體管事業部總經理Edoardo MERLI指出，由于全球能源需求正在不斷成長，我們必須控制碳排放，并將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對此非常重要，但要實現這些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST對此也有制定一些具體的目標。 意法半導體汽車和離散組件產品部（ADG）執行副總裁暨功率晶體管事業部總經理Edoardo MERLI僅就工業領域來說，如果能將電力利用效率提升1%，就能節省95.
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- 安森美（onsemi）正在執行其fab-liter制造戰略，最終目標是透過擴大毛利率實現可持續的財務業績。安森美於上周簽署一份最終協議，將剝離其在美國緬因州南波特蘭的工廠。隨著將生產轉移到其全球制造網絡內更高效的晶圓廠，安森美將透過消除與已出售晶圓廠相關的固定成本和降低公司的制造單位成本來改善成本結構。安森美總裁兼首席執行官Hassane
El-Khoury表示：「該擬議的資產剝離表明我們正在實現優化的制造網路，同時為我們的客戶提供長期的供應保證。這些交易為受影響工廠的員工提供了持續的就業和發展機
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- 1? ?看好哪類GaN功率器件的市場？2020—2021 年硅基氮化鎵（GaN）開關器件的商用化進程和5 年前（編者注：指2016 年）市場的普遍看法已經發生了很大的變化，其中有目共睹的是基于氮化鎵件的高功率密度快充的快速成長。這說明影響新材料市場發展的，技術只是眾多因素當中的1 個。我個人看好的未來5 年（編者注：指2022—2027 年）的氮化鎵應用，包括：快充、服務器/ 通信電源、電機驅動、工業電源、音響、無線充電、激光雷達等，其中快充會繼續引領氮化鎵開關器件的市場成長。相對于硅
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- GaN（氮化鎵）作為新興的第三代寬禁帶半導體材料，以高頻、高壓等為特色。但長期以來，由于工藝、成本等因素制約，GaN還處于Si（硅）和SiC（碳化硅）應用的夾縫之間。在新的一年里，GaN的市場前景將如何？GaN技術和應用有何新突破？為此，本媒體邀請了部分GaN資深企業，介紹一下GaN功率器件的新動向。
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202201 GaN
- GaN（氮化鎵）作為新興的第三代寬禁帶半導體材料，以高頻、高壓等為特色。但是長期以來，在功率電源領域，處于常規的Si（硅）和熱門的SiC（碳化硅）應用夾縫之間。GaN產品的市場前景如何？GaN技術有何新突破？不久前，消費類GaN（氮化鎵）功率解決方案供應商——納微半導體宣布推出全球首款智能GaNFast?功率芯片，采用了專利的GaNSense?技術。值此機會，電子產品世界的記者采訪了銷售營運總監李銘釗、高級應用總監黃秀成、高級研發總監徐迎春。圖 從左至右：納微半導體級的高級應用總監黃秀成、銷售營運總監李銘
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GaN 集成 202201
- 10月19日消息，據The Verge報道，蘋果公司向其證實，新上架的140W USB-C電源適配器是蘋果首款GaN充電器?！ ∨c傳統充電器相比，GaN充電器的更小、更輕，同時支持大功率?！ 〈送猓O果公司還確認，140W電源適配器支持USB-C Power Delivery 3.1標準，這意味著該充電器可以為其他支持該標準的設備充電?！ ⌒碌?40W USB-C電源適配器和新款MagSafe連接線現已在蘋果中國官網上架?！ ∑渲?，140W USB-C電源適配器的價格為729元，USB-C轉MagSa
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蘋果 電源適配器 GaN 充電器
- 以GaN和SiC為代表第三代半導體正處于高速發展的階段，Si和GaAs等第一、二代半導體材料也仍在產業中大規模應用。但不可否認，第三代半導體確實具有更多的性能優勢。
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