移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出 ACT41000-104-REF1，這是一款 GaN 功率放大器 (PA) 偏置參考設計，可加強 Qorvo GaN PA 的設計與測試。GaN 器件是耗盡型 FET，運行時需要施加負柵極電壓。在使用 GaN PA 的系統中，需要以特定的順序進行偏置：提高漏極偏置電壓之前，必須施加負柵極電壓，以保護器件免受損壞。Qorvo 的 ACT41000-104-REF1 內置可配置
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GAN PA
嵌入式開發軟件和服務的全球領導者 IAR Systems 今天宣布推出完整開發工具鏈 IAR Embedded Workbench for Arm 的最新9.30版本，支持最新推出的高性能 Arm Cortex-M85 處理器。圖：IAREmbeddedWorkbench_9.30_screenshot?Arm 公司物聯網和嵌入式事業部副總裁 Mohamed Awad 表示：“要想在多樣化且不斷增長的物聯網和嵌入式市場中進行創新并取得成功，開發者需要一個強大的軟件和工具生態系統。Arm 最高性能
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IAR Systems Arm Cortex-M85 處理器
1 回顧：GAN里的兩個角色在上一期里，詳細介紹了 GAN( 生成對抗網 ) 里的
兩個角色：生成者 (generator) 和判別者 (discriminator)。
其中的生成者，又稱為創新者，而判別者又稱為鑒賞者。
在常見的圖像繪畫領域，其典型的協同創新模式是：
G( 創新者 ) 負責創作圖片；而 D( 鑒賞者 ) 負責辨別一
張圖像的真或假，然后引領 G 逐步改進，止于完美逼
近目標。上述的 GAN 協同創新模式，屬于 AI 機器與機器之
間的協同合作或創新。然而，在 AI 科技不斷
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202206 GAN 人機協同
宜普電源轉換公司（EPC）新推線上論壇，為工程師提供產品信息、答疑解難和分享採用氮化鎵技術的應用現狀和發展趨勢。宜普電源轉換公司宣布新推"GaN Talk支持論壇"，為工程師提供產品信息和技術支持，從而了解氮化鎵（GaN）技術的應用現狀和發展趨勢。該論壇專為工程師、工程專業學生和所有氮化鎵技術愛好者而設，為用戶答疑解難和提供互相交流的平臺。提問可以用主題類別、熱門話題或最新帖子搜索。除了提問外，用戶還可以在論壇使用帖子中的"分享"鏈接參看所有之前的提問和反饋。此外，
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GaN 宜普
5G 通信正在改變我們的生活，同時也在促進產業數字化轉型，為工業、汽車和消費電子等行業提供了巨大的應用想象空間與市場機會，例如實現創建人與機器人和諧共存的環境，高質量醫療，并且加速實現安全的自動駕駛汽車，等等。● 打造未來智能工廠——5G 無線網絡可以幫助工廠實現更高的可靠性，例如縮短延遲時間、提高生產效率。在人與機器人共存的世界里，更強的連接可以改善人機互動，并降低事故風險。● 提供高質量的醫療服務——通用5G 連接可以借助可穿戴生物傳感器對患者實施遠程監測，進行生命體征檢測，并將信息傳輸給基于云的診斷
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202206 毫米波 5G GAN
5G 受到追捧是有充足的理由的。根據CCS Insight 的預測，到2023 年，5G 用戶數量將達10 億；2022 年底，5G蜂窩基礎設施將承載近15％的全球手機流量。高能效、尺寸緊湊、低成本、高功率密度和高線性度是5G 基礎設施對射頻半導體器件的硬性要求。對于整個第三代半導體技術，尤其是氮化鎵（GaN），5G 開始商用是一大利好。與硅、砷化鎵、鍺、甚至碳化硅器件相比，GaN 器件的開關頻率、輸出功率和工作溫度更高，適合1-110 GHz的高頻通信應用，涵蓋移動通信、無線網絡、點對點和點對多點微波通
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202206 第三代半導體 GaN
德州儀器(TI)副總裁暨臺灣、韓國與南亞總裁李原榮，26日于2022 COMPUTEX Taipei論壇中表示，TI將協助客戶充分發揮氮化鎵（GaN）技術的潛力，以實現更高的功率密度和效率。李原榮今日以「數據中心正在擴建 – 以氮化鎵技術實現更高效率」為題，分享設計工程師如何利用TI 氮化鎵技術為數據中心達成體積更小、更高功率密度的解決方案。李原榮表示，隨著各產業領導者期盼透過數據中心實現技術創新，從而也提高了運算能力的需求，TI希望協助客戶充分發揮氮化鎵技術的潛力，以實現更高的功率密度和效率。他也強調，
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TI GaN 數據中心 能源效率
1? ?GAN與NFT的結合在上一期里，我們說明了天字第一號模型：分類器。接著本期就來看看它的一項有趣應用：GAN(generative adversarial networks，生成對抗網絡)。自從2014 年問世以來，GAN 在電腦生成藝術(generative art) 領域，就開始涌現了許多極具吸引力的創作和貢獻。GAN 如同生成藝術的科技畫筆，使用GAN 進行創作特別令人振奮，常常創作出很特別的效果，給人們許多驚喜的感覺，例如圖1。?圖1近年來，非同質化代幣NFT(
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202205 生成對抗網路 GAN
嵌入式開發軟件和服務的全球領導者IAR Systems?日前宣布：其領先的Arm?開發解決方案現已為Alif Semiconductor?的Ensemble?和Crescendo?系列提供支持，從而打造了基于人工智能的、高效微控制器（MCU）和融合處理器。購買了Ensemble或Crescendo器件的公司能夠利用知名的開發工具鏈IAR Embedded Workbench? for Arm，以實現高性能的且強大的代碼優化功能。Alif Semiconductor的這些高能效產品系列現可提供多達4個處理內
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IAR Systems Alif Semiconductor 微控制器 人工智能
當世界繼續努力追求更高速的連接，并要求低延遲和高可靠性時，信息通信技術的能耗繼續飆升。這些市場需求不僅將5G帶到許多關鍵應用上，還對能源效率和性能提出了限制。5G網絡性能目標對基礎半導體器件提出了一系列新的要求，增加了對高度可靠的射頻前端解決方案的需求，提高了能源效率、更大的帶寬、更高的工作頻率和更小的占地面積。在大規模MIMO（mMIMO）系統的推動下，基站無線電中的半導體器件數量急劇增加，移動網絡運營商在降低資本支出和運營支出方面面臨的壓力更加嚴峻。因此，限制設備成本和功耗對于高效5G網絡的安裝和
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氮化鎵 GaN
近期，蘋果“爆料大神”郭明錤透露，蘋果可能年某個時候推出下一款氮化鎵充電器，最高支持30W快充，同時采用新的外觀設計。 與三星、小米、OPPO等廠商積極發力氮化鎵快充產品相比，蘋果在充電功率方面一直較為“保守”。去年10月，伴隨新款MacBook Pro的發布，蘋果推出了140W USB-C電源適配器（下圖），這是蘋果首款采用氮化鎵材料的充電器，售價729元。圖片來源：蘋果 如今，蘋果有望持續加碼氮化鎵充電器，氮化鎵功率半導體市場有望迎來高歌猛進式發展。手機等快充需求上升，氮化鎵功率市場規模將達1
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氮化鎵 GaN
EETOP編譯整理自techinsights 在處理氮化鎵（GaN）時，與硅(Si)相比，還有兩個額外的考慮因素可以優化器件性能。 由于GaN/AlGaN異質結界面上的二維電子氣體(2DEG)通道，GaN具有快速開關的潛力。 氮化鎵的導熱性相對較差。(在300K時約1.3W/cm.K，而硅(Si)為1.49W/cm.K和碳化硅（SiC）為3.7W/cm.K) 雖然體積熱導率并不明顯低于硅，但請記住更高的電流密度-它被限制在異質結周圍的一個小區域。漸進式的改進 雖然不理想，但傳統的硅封裝可以而且已
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氮化鎵 GaN
氮化鎵(GaN)是電力電子行業的熱門話題，因為它可以使得80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動汽車(EV)車載充電器和電動汽車(EV)充電站等設計得以實施。在許多具體應用中，由于GaN能夠驅動更高的功率密度和具有更高的效率，因此它取代了傳統的MOSFET晶體管。但由于GaN的電氣特性和它所能實現的性能，使得使用GaN元件進行設計時，要面臨與硅元件截然不同的一系列挑戰。 GaN場效應晶體管包括耗盡型（d-mode）、增強型（e-mode）、共源共柵型(cascode）等三種類型，并且每種都具有各自的
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氮化鎵 GaN
意法半導體 VIPerGaN50能夠簡化最高50 W的單開關反激式功率變換器設計，并集成一個 650V 氮化鎵 (GaN) 功率晶體管，使電源的能效和小型化達到更高水平。VIPerGaN50 采用單開關拓撲，集成很多功能，包括內置電流采樣和保護電路，采用低成本的 5mm x 6mm 緊湊封裝。芯片內部集成的GaN 晶體管可應用于高開關頻率，從而減小反激變換器的體積和重量。使用這款產品設計先進的高能效開關電源 (SMPS)，可顯著減少外圍元器件的數量。VIPerGaN50 可幫助設計人員利用 GaN 寬禁帶
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意法半導體 GaN 功率變換器
過去的2020年是5G手機大爆發的一年。5G手機無疑為大家帶來了更快的上網體驗，更快的下載速度、低延時，高達10Gps/s的理論峰值速率，比4G手機數據傳輸提升10倍以上，延時更是低至1ms，比4G手機縮短10倍。 當然，5G對數據傳輸速度提升，更強的CPU處理性能也對手機的續航能力提出了更高要求。為此，不少手機廠商為5G手機配備更大容量的電池，采用更高的充電功率，并在充電器上引進最新的氮化鎵技術，實現在提高充電器功率的同時，將體積控制得更小巧。 而這里其實有一個有趣的事實： 這項為5G手機帶來
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