安森美GAN_Fet驅動方案(NCP51820)。 數十年來，硅來料一直統治著電晶體世界。但這個狀況在發現了砷化鎵（GaAs）和砷化鎵、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已經逐漸開始改變。由開發了由兩種或三種材料制成的化合物半導體，它們具有獨特的優勢和優越的特性。但問題在于化合物半導體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優勢。作為解決方案出現的兩個化合物半導體器件是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率電晶體。這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器
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NCP51820 安森美 半導體 電源供應器 GaN MOS Driver
【2022年11月24日，德國慕尼黑訊】USB供電（USB-PD）已成為快速充電以及使用統一Type-C連接器為各種移動和電池供電設備供電的主流標準。在最新發布的USB-PD rev 3.1標準中，擴展功率范圍（EPR）規格可支持寬輸出電壓范圍和高功率傳輸。統一化和大功率容量再加上低系統成本的小外型尺寸已成為推動適配器和充電器市場發展的主要驅動力。為了加速這一趨勢，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新XDP?數字電源XDPS2221。這款用于USB-PD的高度集
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英飛凌 PFC和混合反激式組合IC GaN USB-C EPR適配器
此電源設計最大輸出功率為65W，配備1A1C雙口輸出，單USB-C口輸出65W（20V/3.25A），單USB-A口輸出；雙口同時輸出時，C+A同降為5V方案全系列采用雙面板、最簡化設計理念,尺寸才51X51X31mm！上下兩片1.0mm左右厚銅散熱既滿足EMI又導熱好！通標變壓器設計，21V效率最高達到93%,驅動與MOS均采用美國安森美半導體技術！?場景應用圖?展示板照片?方案方塊圖?C口支持協議?核心技術優勢1.51.5*51.5*31 超小體積 功率密度：1.26cm3/W2. QR架構，COST
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安森美 NCP1342 65W PD GAN 1A1C 超小尺寸PD
據外媒《NBC》報道，近日，晶圓代工廠商格芯（GlobalFoundries）獲得3000萬美元政府基金，在其佛蒙特州EssexJunction工廠研發和生產GaN芯片。該資金是2022年綜合撥款法案的一部分。這些芯片被用于智能手機、射頻無線基礎設施、電動汽車、電網等領域。格芯稱，電動汽車的普及、電網升級改造以及5G、6G智能手機上更快的數據傳輸給下一代半導體帶來需求。格芯總裁兼首席執行官Thomas Caulfield表示，GaN芯片將比前幾代芯片能更好地處理高熱量和電力需求。Caulfield在一份聲
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格芯獲 GaN
EPC9176是一款基于氮化鎵器件的逆變器參考設計，增強了電機驅動系統的性能、續航能力、精度和扭矩，同時簡化設計。該逆變器尺寸極小，可集成到電機外殼中，從而實現最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。 宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出EPC9176。這是一款三相BLDC電機驅動逆變器，采用EPC23102 ePower? 功率級GaN IC，內含柵極驅動器功能和兩個具有5.2 mΩ典型導通電阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之間的輸入電源電壓下工作，可提供高達28 Apk(2
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GaN IC 電機驅動器
現階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會導致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會影響關斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優勢和優越的特性，使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個產品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開關的器
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GaN 氮化鎵 SiC 碳化硅 NCP51561 onsemi
氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場擊穿，達 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應用超出了蜂窩基站和國防雷達范疇，在所有 RF 細分市場中獲得應用。其中許多應用需要很長的使用壽
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Wolfspeed 放大器 GaN
氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業的熱門話題，因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設計得以實現。在許多應用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統的硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實現的性能，使用 GaN 進行設計面臨與硅不同的一系列挑戰。不同類型的 GaN FET 具有不同的器件結構。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
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TI GaN
2022年9月20日，致力于亞太地區市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1623和NCP1343產品以及氮化鎵系統公司（GaN System）GS-065-011-2-L功率晶體管的PD快充電源方案。 圖示1-大聯大友尚基于onsemi和GaN System產品的PD快充電源方案的展示板圖 以手機、電腦為代表的移動智能設備已經成為人們日常生活的重要工具，然而隨著這些設備所覆蓋的功能越來越多，設備有限的續航能力已經無法滿足用戶對
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大聯大友尚 onsemi GaN System PD快充電源
氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業的熱門話題，因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設計得以實現。在許多應用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統的硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實現的性能，使用 GaN 進行設計面臨與硅不同的一系列挑戰。不同類型的 GaN FET 具有不同的器件結構。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
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德州儀器 GaN 功率密度
雖然增加可再生能源是全球的大趨勢，但這還不夠，能源效率是另一個重點領域，這是因為服務器及其冷卻系統對能源消耗，占據了數據中心將近40%的運營成本。GaN具有獨特的優勢，提供卓越的性能和效率，并徹底改變數據中心的配電和轉換、節能、減少對冷卻系統的需求，并最終使數據中心更具成本效益和可擴展性。數字化和云端服務的快速建置推動了全球數據服務器的產業規模的成長。今天，數據服務器消耗了全球近1%的電力，這個數字預計會不斷的成長下去。次世代的產業趨勢，例如虛擬世界、增強實境和虛擬現實，所消耗大量電力將遠超現今地球上所能
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GaN 數據服務器 效率
在電力電子應用中，為了滿足更高能效和更高開關頻率的要求，功率密度正在成為關鍵的指標之一。基于硅（Si）的技術日趨接近發展極限，高頻性能和能量密度不斷下降，功率半導體材料也在從第一代的硅基材料發展到第二代的砷化鎵后，正式開啟了第三代寬禁帶技術如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的應用之門。SiC的耐高壓能力是硅的10倍，耐高溫能力是硅的2倍，高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數產品，采用SiC材料可縮小體積50%，降低能量損耗80%。同樣，GaN也有著許多出色的性能，它的帶隙為3.2eV，幾乎比硅的1.1eV帶
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貿澤電子 GaN
和傳統的硅功率半導體相比，GaN（氮化鎵）和 SiC（碳化硅）有著更高的電壓能力、更快的開關速度、更高的工作溫度、更低導通電阻、功率耗散小、能效高等共同的優異的性能 , 是近幾年來新興的半導體材料。但他們也存在著各自不同的特性，簡單來說，GaN
的開關速度比 SiC 快，SiC 工作電壓比 GaN 更高。GaN
的寄生參數極小，開關速度極高，比較適合高頻應用，例如：電動汽車的 DC-DC（直流 - 直流）轉換電路、OBC（車載充電）、低功率開關電源以及蜂窩基站功率放大器、雷達、衛星發射器和通用射頻放大
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202207 東芝 共源共柵 GaN
高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布，新增的TP65H050G4BS器件擴充了其表面貼裝封裝產品系列。這款全新高功率表面貼裝器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封裝的650V SuperGaN?場效應晶體管 (FET)，典型導通阻抗為50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD，豐富了目前面向中低功率應用的PQFN器件。TP65H050G4BS通過了J
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Transphorm GaN
受訪人：黃文源 東芝電子元件（上海）有限公司半導體技術統括部技術企劃部高級經理1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產品？ 回答：自從半導體產品面世以來，硅一直是半導體世界的代名詞。但是，近些年，隨著化合物半導體的出現，這種情況正在被逐漸改變。通常，半導體業界將硅（Si）作為第一代半導體的代表，將砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)作為第二代半導體的
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東芝 GaN 級聯共源共柵
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