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意法半導體量產PowerGaN器件，讓電源產品更小巧、更清涼、更節(jié)能

  • 2023年8月3日，中國 -意法半導體宣布已開始量產能夠簡化高效功率轉換系統(tǒng)設計的增強模式PowerGaN HEMT(高電子遷移率晶體管)器件。STPOWER? GaN晶體管提高了墻插電源適配器、充電器、照明系統(tǒng)、工業(yè)電源、可再生能源發(fā)電、汽車電氣化等應用的性能。該系列先期推出的兩款產品SGT120R65AL 和 SGT65R65AL都是工業(yè)級650V常關G-HEMT? 晶體管，采用PowerFLAT 5x6 HV貼裝封裝，額定電流分別為15A和25A，在25°C時的典型導通電阻(RDS(on))分別為7
  • 關鍵字： 意法半導體  PowerGaN  氮化鎵  GaN  

GaN如何在基于圖騰柱PFC的電源設計中實現高效率

  • 幾乎所有現代工業(yè)系統(tǒng)都會用到 AC/DC 電源，它從交流電網中獲取電能，并將其轉化為調節(jié)良好的直流電壓傳輸到電氣設備。隨著全球范圍內功耗的增加，AC/DC 電源轉換過程中的相關能源損耗成為電源設計人員整體能源成本計算的重要一環(huán)，對于電信和服務器等“耗電大戶”領域的設計人員來說更是如此。氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進而有助于降低終端應用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數校正 (PFC)，即使效率增益僅為 0.8%，也能在 10 年間幫助一個 100MW 數據
  • 關鍵字： TI  GaN  PFC  

ROHM開發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”， 助力減少服務器和AC適配器等的損耗和體積！

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數據服務器等工業(yè)設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源*1，開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來，為了實現可持續(xù)發(fā)展的社會，對消費電子和工業(yè)設備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實現器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
  • 關鍵字： ROHM  AC適配器  GaN HEMT  Si MOSFET  

實測案例：1200V GaN HEMT功率器件動態(tài)特性測試

  • 氮化鎵器件是第三代半導體中的典型代表，具有極快的開關速度，能夠顯著提升功率變換器的性能，受到電源工程師的青睞。同時，極快的開關速度又對其動態(tài)特性的測試提出了更高的要求，稍有不慎就會得到錯誤結果。傳統(tǒng)氮化鎵器件多用于消費類電子市場，研發(fā)高壓氮化鎵器件將有助于在電力電子、新能源和電動汽車行業(yè)開拓新的應用市場。量芯微（GaNPower）是全球第一家推出1200V高壓硅基氮化鎵功率器件的廠家。這次測試的1200伏TO-252封裝的氮化鎵器件GPIHV15DK，在市場上具有標志性意義，傳統(tǒng)的氮化鎵功率器件最高電壓普
  • 關鍵字： GaN HEMT  功率器件  動態(tài)特性測試  

汽車芯片，有兩大好賽道

  • 汽車的智能化和電動化趨勢，勢必帶動車用半導體的價值量提升，其中功率半導體和模擬芯片便迎來了發(fā)展良機。先看功率半導體，車規(guī)功率半導體是新能源汽車的重要組件，無論整車企業(yè)還是功率半導體企業(yè)都在瞄準這一賽道。新能源汽車電池動力模塊都需要功率半導體，混合動力汽車的功率器件占比增至 40%，純電動汽車的功率器件占比增至 55%。再看車規(guī)模擬芯片，模擬芯片在汽車各個部分均有應用，包括車身、儀表、底盤、動力總成及 ADAS，主要分為信號鏈芯片與電源管理芯片兩大板塊。如今，新能源汽車在充電樁、電池管理、車載充電、動力系統(tǒng)
  • 關鍵字： 功率半導體  SiC  GaN  模擬芯片  

第三代半導體高歌猛進，誰將受益？

  • “現在的新車，只要能用碳化硅的地方，便不會再用傳統(tǒng)功率器件”。功率半導體大廠意法半導體（ST）曾以此言表達碳化硅于新能源汽車市場的重要性。當下，在全球半導體行業(yè)的逆流中，第三代半導體正閃爍著獨特的光芒，作為其代表物的碳化硅和氮化鎵順勢成為耀眼的存在。在此賽道上，各方紛紛加大馬力，堅定下注，一部關于第三代半導體的爭奪劇集已經開始上演。一、三代半方興未艾產業(yè)進入高速成長期近日，科學技術部黨組成員、副部長相里斌在2023中關村論壇上表示，2022年在全球疫情和需求端疲軟等多重因素影響下，全球半導體產業(yè)進入下行周
  • 關鍵字： 第三代半導體  SiC  GaN  

泰克推出基于示波器的雙脈沖測試解決方案， 加快SiC和GaN技術驗證速度

  • 中國北京，2023年5月31日—— 全球領先的測試測量解決方案提供商泰克科技公司日前宣布，推出最新雙脈沖測試解決方案 (WBG-DPT解決方案)。各種新型寬禁帶開關器件正推動電動汽車、太陽能、工控等領域快速發(fā)展，泰克WBG-DPT解決方案能夠對寬禁帶器件（如SiC和GaN MOSFETs）提供自動可重復的、高精度測量功能。下一代功率轉換器設計師現在能夠利用WBG-DPT解決方案，滿懷信心地迅速優(yōu)化自己的設計。WBG-DPT解決方案能夠在泰克4系、5系、6系MSO示波器上運行，并能夠無縫集成到示波器測量系統(tǒng)
  • 關鍵字： 泰克  示波器  雙脈沖測試  SiC  GaN  

Transphorm發(fā)布業(yè)界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型

  • 加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒企業(yè)和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規(guī)格書。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導體，領先同類產品。這款產品的發(fā)布展現Transphorm有能力支持未來的汽車電力系統(tǒng)，以及已普遍用于工業(yè)、數據通信和可再生能源市場的三相電力系統(tǒng)。與替代技術相比，這些應用可受益于1
  • 關鍵字： Transphorm  1200伏  GaN-on-Sapphire器件  常關型  氮化鎵.三相電力系統(tǒng)  

EPC起訴英諾賽科，要求保護氮化鎵(GaN)專利

  • 案例聚焦新一代替代硅技術?(加利福尼亞州，埃爾塞貢多）-- 氮化鎵（GaN）技術的全球領導者宜普電源轉換公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC，以下簡稱宜普公司）于今日向美國聯邦法院和美國國際 貿易委員會（U.S. International Trade Commission, ITC）提起訴訟，主張其基礎專利組合中的 四項專利受到英諾賽科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下統(tǒng)稱英諾賽科）侵犯。 這些專利 涉及宜普公司獨家的增強型氮化
  • 關鍵字： 宜普電源  EPC  英諾賽科  氮化鎵  GaN  

意法半導體的100W和65W VIPerGaN功率轉換芯片節(jié)省空間

  • 2023?年?5?月?19?日，中國——意法半導體高壓寬禁帶功率轉換芯片系列新增VIPerGaN100?和?VIPerGaN65兩款產品，適合最大功率100W和65W的單開關管準諧振(QR)反激式功率轉換器。這個尺寸緊湊、高集成度的產品設計的目標應用包括USB-PD充電器、家電、智能建筑控制器、照明、空調、智能表計和其他工業(yè)應用的開關式電源(SMPS)。?每個器件都集成了脈寬調制?(PWM)?控制器和650
  • 關鍵字： 意法半導體  GaN  功率轉換芯片  

ROHM開始量產具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT

  • 全球知名半導體制造商ROHM（以下簡稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產，這兩款產品非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。據悉，電源和電機的用電量占全世界用電量的一大半，為實現無碳社會，如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率元器件是提高它們效率的關鍵，SiC （Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年，RO
  • 關鍵字： ROHM  650V  GaN HEMT  

意法半導體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉換器芯片

  • 2023 年 5月 16 日，中國 —— 意法半導體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉換器應用，采用隔離降壓拓撲結構，需要的外部組件比傳統(tǒng)隔離式反激式轉換器少，并且不需要光耦合器，從而節(jié)省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優(yōu)勢包括 2μA 關斷電流，集成軟啟動時間可調、內部環(huán)路補償、電源正常指示，以及過流保護、熱關斷等保護功能。擴
  • 關鍵字： 意法半導體  隔離式降壓轉換器  功率轉換  IGBT  SiC  GaN  晶體管柵極驅動  

EPC新推基于GaN FET的150 ARMS電機驅動器參考設計

  • 基于氮化鎵器件的EPC9186逆變器參考設計增強了高功率應用的電機系統(tǒng)性能、精度、扭矩和可實現更長的續(xù)航里程。宜普電源轉換公司(EPC)新推EPC9186，這是一款采用EPC2302 eGaN?FET的三相BLDC電機驅動逆變器。EPC9186支持14 V~ 80 V的寬輸入直流電壓。大功率EPC9186支持電動滑板車、小型電動汽車、農業(yè)機械、叉車和大功率無人機等應用。EPC9186在每個開關位置使用四個并聯的EPC2302，可提供高達200 Apk的最大輸出電流。EPC9186包含所有必要的關鍵功能電路
  • 關鍵字： EPC  GaN FET  ARMS  電機驅動器  

Nexperia推出支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET

  • 奈梅亨，2023年5月10日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯型氮化鎵產品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產品組合能為設計人員提供最佳的選擇。  Nexperia的新產品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
  • 關鍵字： Nexperia  E-mode GAN FET  

深挖 GaN 潛力，中國企業(yè)別掉隊

  • 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度達到 3.4eV，是最具代表性的第三代半導體材料。除了更寬的禁帶寬度，氮化鎵還具備更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的電子飽和速率，以及更優(yōu)的抗輻照能力，這些特性對于電力電子、射頻和光電子應用有獨特優(yōu)勢。GaN 產業(yè)上游主要包括襯底與外延片的制備，下游是 GaN 芯片元器件的設計和制造。襯底的選擇對于器件性能至關重要，襯底也占據了大部分成本，因而襯底制備是降低 GaN 器件成本的突破口。襯底GaN 單晶襯底以 2-4 英寸為主，4 英寸已實現商用，6 英寸
  • 關鍵字： GaN-on-Si  氮化鎵  
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