- 隨著下游需求回溫，自2010年初以來，整體砷化鎵 (GaAs)市場需求回升。而在TriQuint、Skyworks及RFMD等全球砷化鎵IDM業者紛紛上調2010年度財測后，Avago也宣告調高 2010年2~4月的營收預估值。受惠于此，臺系砷化鎵晶圓代工廠宏捷科技以及穩懋半導體的單月營收皆持續攀升，市場預期業者的第2季也可望持續優于第1 季表現。
受惠于智能型手機(smartphone)出貨量持續成長，帶動功率放大器(PA)的需求，也反應在全球各家砷化鎵IDM業者的財測中。而臺系晶圓代工廠以及
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GaAs 晶圓代工
- Avago Technologies(安華高科技)今日宣布推出兩款新經濟型容易使用的通用InGaP異質結雙極晶體管(HBT, Hetero-Junction Bipolar Transistor) MMIC增益方塊放大器產品，適合各種不同的無線通信應用。于DC到6,000MHz頻帶工作，Avago的AVT-51663/53663增益方塊可以作為寬帶增益方塊或驅動放大器使用，這些面向移動通信基礎設施應用設計的增益方塊也可以使用在如基站、WiMAX、WLAN、CATV、衛星電視和機頂盒等各種其他無線通信應
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Avago 放大器 晶體管 HBT
- 數據通信量的增加正在成為回程網絡的瓶頸
近年來，寬帶用戶數量明顯增加，并出現了大量手持移動互聯網設備(MID)。數據和視頻應用已超過話音(參見圖1)，導致傳輸網絡的需求量前所未有地急劇增長。市調專業機構ABIResearch最新報告顯示，2009年移動通信用戶總量將達到43億，2013年將接近54億。因此，數據在移動通信中所占比例將迅速增長。保持這種增長勢頭很大程度上取決于移動用戶能否獲得積極的寬帶體驗。為保證各類通信的服務質量(QoS)，收集和傳送數據的回程網絡必須與用戶需求保持同步。
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TriQuint 3G 4G GaAs
- 新日本無線現開發完成了GaAs MMIC NJG1139UA2，并已開始供貨了。該產品是設有旁通電路的寬帶低噪音放大器，最適合于便攜式數字電視。
【開發背景】
近年來，隨著便攜式設備和汽車導航儀等可接收地面數字廣播的產品越來越多，為了提高終端的接收靈敏度、市場需求具有高增益/高線性度/低噪音指數的低噪音放大器(以后稱作LNA)。為了適應市場的要求，新日本無線開發了NJG1129MD7(08年12月公布)。NJG1139UA2是在此之上采用了小型化封裝，減少了外部元件，并為了更加容易使用而開
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新日本無線 放大器 GaAs
- Strategy Analytics 砷化鎵 (GaAs) 及化合物半導體研究部門發布最新報告“砷化鎵 (GaAs) 行業預測 : 2008-2013”。分析指出，全球經濟衰退造成砷化鎵 (GaAs) 行業2008年的年增長率由先前預測的9%降至6%;而2009年砷化鎵 (GaAs) 市場的預計收益為35億美元，比2008年下降5%，完全抵消前一年的增長。
Strategy Analytics 的砷化鎵 (GaAs) 及化合物半導體技術市場研究部主管 Asif Anwar
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GaAs 半導體 消費電子 光纖
- Strategy Analytics 發布最新年度預測報告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場預測2008-2013”。報告總結，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場年增長率達到22%，但 Strategy Analytics 預計2009年該市場將持平或轉負增長。借助下一代蜂窩手機平臺上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件，以及來自其它市場對砷化鎵 (GaAs) 器件的需求，半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場在2010年將恢復增長。
一直
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GaAs 外延襯底 FET HBT
- Strategy Analytics 砷化鎵及化合物半導體技術 (GaAs and Compound Semiconductor Technologies) 研究服務發布最新研究報告“來自 Satcom/VSAT 市場的 GaAs 設備機會：2008-2013”。報告指出長設計周期，加之被抑制的消費需求，將使得 VSAT 比大多數其他通信市場能夠更好的經受住目前經濟風暴的考驗，并且轉化為對砷化鎵 (GaAs) 設備的穩定需求。
砷化鎵 (GaAs) 半導體技術廣泛用于空間
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GaAs 衛星通信 微波集成電路
- 介紹了基于GaAs PHEMT工藝設計的一款寬帶反射型MMIC SPST開關的相關技術，基于成熟的微波單片集成電路設計平臺開展了寬帶SPST開關設計。工作頻率范圍為DC~40 GHz，插入損耗≤0．8 dB，隔離度≥25 dB，駐波比≤1．4：l。同時，對電路的通孔特性進行了分析，對電路設計流程進行了闡述。要獲得期望帶寬的開關，如何選擇控制器件的通孔連接方式，以及通孔數量對插入損耗等性能的影響。最終，具有小尺寸和優異微波性能的GaAs微波單片集成單刀單擲開關電路成功開發。
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GaAs MMIC SPST GHz
- 新日本無線已開發完成了最適用于1SEG信號用調諧器模塊的寬帶低噪聲放大器（下稱LNA）GaAs MMIC NJG1129MD7，現開始樣品供貨。
近年來，手機和車載導航等能接收1SEG信號產品在不斷地增加，因終端接收信號靈敏度不足，故具有高增益／高線性／低噪聲的高性能LNA是市場需要。新日本無線為滿足這種市場需求，開發了NJG1134HA8（08年3月27日發表）。NJG1129MD7就是為了滿足市場所求的更高靈敏度，所開發了1SEG用寬帶LNA GaAs MMIC。
該產品是可支持47
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新日本無線 寬帶低噪聲放大器 GaAs MMIC NJG1129MD7
- 0 引言
SiGe基區異質結雙極型晶體管(SiGe HBT)是利用SiGe合金特性制成的器件。自1987年采用MBE技術首次制作出SiGe基區HBT以來，SiGe集成電路的規模和電路的速度不斷發展，電流增益和頻率響應等性能已經接近或達到了化合物異質結器件的水平。而SiGe異質結技術和傳統的Si集成電路相比，在工藝上并未增加大的復雜性，且成本低于化合物半導體器件。最新的SiGe HBT的研究表明已研制出超過200 GHz電流增益峰值達到400的晶體管，并且低溫下fT達到200 GHz的SiGeHBT也
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HBT
- CAN總線在GaAs光電陰極制備測控系統中的應用成功的解決了系統測控信息量多，對可靠性和實時性要求高的難題，該測控系統的研制成功將有利于對GaAs光電陰極制備工藝進行深入的理論研究，促進提高GaAs光電陰極的制備水平，該系統具有良好的應用前景和推廣價值。
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陰極 制備 系統 光電 GaAs CAN 總線 基于
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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CMOS 放大器 GaAs
- Hittite Microwave Corporation近日推出兩款SMT封裝GaAs pHEMT MMIC增益單元放大器，適用于頻率在50-4GHz的汽車、寬帶，CATV，蜂窩/3G，WiMAX/4G以及固定無線應用。
HMC636ST89E和HMC639ST89E是GaAs pHEMT高線性增益單元放大器，無需外部匹配電路，從而成為競爭對手的理想替代品，如50MHz到4GHz的IF和RF應用AH-1與AM-1增益單元。
HMC636ST89E高線性增益單元放大器額定為200 MHz到
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放大器 Hittite SMT GaAs pHEMT
- Hittite Microwave Corporation近日推出一個新款GaAs MMIC有源X2倍頻器，從而使設計者可以實現頻率覆蓋22到46GHz的連續輸出。這一器件在時鐘發生器，點對點無線電、軍事和航空、VSAT以及測試設備應用中，還具有優越的基波和諧波抑制。
HMC598有源X2倍頻器使用GaAs PHEMT技術，以裸片形式提供。器件由輸入放大器、低轉換損耗倍頻器和一個輸出緩沖放大器組成。當用+5 dBm輸入信號驅動時，倍頻器提供22到30 GHz的+15 dBm典 型輸入功率。高輸出
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Hittite 倍頻器 有源 GaAs PHEMT
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